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Cristales, Osciladores, Resonadores (18804)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Calificaciones | Tamaña / dimensión | AltoRura - Sentada (Max) | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | TUPO | Base Número de Producto | Freacuencia | Productora | Voltaje - Suministro | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Amontonamiento | Real - Suministro (Max) | Alta | Base de resonancia | Estabilidad de Frecuencia | Rango de Extracció Absoluta (APR) | Difundir el Ancho de Banda del Espectro | Real - Suministro (Deshabilitar) (Máximo) | FRECUENCIA - Salida 1 | FRECUENCIA - Salida 2 | FRECUENCIA - Salida 3 | FRECUENCIA - Salida 4 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DSA1121DA3-004.0000VAO | - |  | 2564 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA1121 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA1121 | 4 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.63V | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA1121DA3-004.0000VAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 140 | En Espera (Potencia) | 35mA | Mems | ± 20ppm | - | - | 22 MA | |||||||
| DSA1121DA3-008.0000VAO | - | | 5987 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA1121 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA1121 | 8 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.63V | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA1121DA3-008.0000VAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 140 | En Espera (Potencia) | 35mA | Mems | ± 20ppm | - | - | 22 MA | |||||||
| DSA1121DA3-016.0000TVAO | - | | 5911 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA1121 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA1121 | 16 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.63V | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA1121DA3-016.0000TVAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 35mA | Mems | ± 20ppm | - | - | 22 MA | |||||||
| Dsa2311ka2-r0076vao | - | | 9033 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA2311 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA2311 | LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA2311KA2-R0076VAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 140 | Habilitar/deshabilitar | 23 MA | 0.035 "(0.90 mm) | Mems | ± 25ppm | 20MHz | 26.956522MHz | - | - | ||||||||
| DSA2311KA3-R0041VAO | - | | 3299 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA2311 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA2311 | LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA2311KA3-R0041VAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 140 | Habilitar/deshabilitar | 23 MA | 0.035 "(0.90 mm) | Mems | ± 20ppm | 100MHz | 100MHz | - | - | |||||||
| DSA2311KI1-R0003VAO | - | | 9464 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA2311 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA2311 | LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA2311KI1-R0003VAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 140 | Habilitar/deshabilitar | 23 MA | 0.035 "(0.90 mm) | Mems | ± 50ppm | 125MHz | 125MHz | - | - | ||||||||
| DSA2311KI2-R0015VAO | - | | 1065 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA2311 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA2311 | LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA2311KI2-R0015VAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 140 | Habilitar/deshabilitar | 23 MA | 0.035 "(0.90 mm) | Mems | ± 25ppm | 24MHz | 24MHz | - | - | |||||||
| DSA2311KI2-R0064TVAO | - | | 8037 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA2311 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA2311 | LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA2311KI2-R0064TVAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Habilitar/deshabilitar | 23 MA | 0.035 "(0.90 mm) | Mems | ± 25ppm | 12.288MHz | 24.999724MHz | - | - | ||||||||
| DSA2311KL2-R0015VAO | - | | 3846 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA2311 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA2311 | LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA2311KL2-R0015VAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 140 | Habilitar/deshabilitar | 23 MA | 0.035 "(0.90 mm) | Mems | ± 25ppm | 24MHz | 25MHz | - | - | ||||||||
| DSA2311KL2-R0027TVAO | - | | 9204 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA2311 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA2311 | LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA2311KL2-R0027TVAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | Habilitar/deshabilitar | 23 MA | 0.035 "(0.90 mm) | Mems | ± 25ppm | 27MHz | 27MHz | - | - | |||||||
| DSA2311KL2-R0027VAO | - | | 9309 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA2311 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA2311 | LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA2311KL2-R0027VAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 140 | Habilitar/deshabilitar | 23 MA | 0.035 "(0.90 mm) | Mems | ± 25ppm | 27MHz | 27MHz | - | - | |||||||
| DSA2311KL2-R0073VAO | - | | 4381 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSA2311 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSA2311 | LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSA2311KL2-R0073VAO | EAR99 | 8542.39.0001 | 140 | Habilitar/deshabilitar | 23 MA | 0.035 "(0.90 mm) | Mems | ± 25ppm | 40MHz | 40MHz | - | - | |||||||
| DSC1001AE1-003.5700T | - | | 3578 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1001 | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición 4-vdfn | Xo (Estándar) | DSC1001 | 3.57 MHz | CMOS | 1.8v ~ 3.3V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSC1001AE1-003.5700T | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 8 MA | Mems | ± 50ppm | - | - | 15 µA | ||||||
| DSC1001BI1-099.0000 | - | | 4802 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1001 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-vdfn | Xo (Estándar) | DSC1001 | 99 MHz | CMOS | 1.8v ~ 3.3V | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSC1001BI1-099.0000 | EAR99 | 8542.39.0001 | 72 | En Espera (Potencia) | 16.6MA | Mems | ± 50ppm | - | - | 15 µA | |||||||
| DSC1001BI5-066.6660 | - | | 3375 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1001 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-vdfn | Xo (Estándar) | DSC1001 | 66.666 MHz | CMOS | 1.8v ~ 3.3V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSC1001BI5-066.6660 | EAR99 | 8542.39.0001 | 72 | En Espera (Potencia) | 10.5MA | Mems | ± 10ppm | - | - | 15 µA | ||||||
| DSC1001BI5-066.6660T | - | | 5644 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1001 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-vdfn | Xo (Estándar) | DSC1001 | 66.666 MHz | CMOS | 1.8v ~ 3.3V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSC1001BI5-066.6660T | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 10.5MA | Mems | ± 10ppm | - | - | 15 µA | ||||||
| DSC1001BL2-125.0000T | - | | 6324 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1001 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-vdfn | Xo (Estándar) | DSC1001 | 125 MHz | CMOS | 1.8v ~ 3.3V | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSC1001BL2-125.0000T | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 16.6MA | Mems | ± 25ppm | - | - | 15 µA | |||||||
 | DSC1001CE2-013.5600T | - | | 4321 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1001 | Tape & Reel (TR) | Activo | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-vdfn | Xo (Estándar) | DSC1001 | 13.56 MHz | CMOS | 1.8v ~ 3.3V | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSC1001CE2-013.5600T | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 8 MA | Mems | ± 25ppm | - | - | 15 µA | |||||||
| DSC1001CL2-026.0000T | - | | 1673 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1001 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-vdfn | Xo (Estándar) | DSC1001 | 26 MHz | CMOS | 1.8v ~ 3.3V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSC1001CL2-026.0000T | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 8 MA | Mems | ± 25ppm | - | - | 15 µA | ||||||
| DSC1001CL5-064.0000T | - | | 5469 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1001 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-vdfn | Xo (Estándar) | DSC1001 | 64 MHz | CMOS | 1.8v ~ 3.3V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSC1001CL5-064.0000T | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 10.5MA | Mems | ± 10ppm | - | - | 15 µA | ||||||
| DSC1001DI3-012.2880 | - | | 2290 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1001 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-vdfn | Xo (Estándar) | DSC1001 | 12.288 MHz | CMOS | 1.8v ~ 3.3V | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSC1001DI3-012.2880 | EAR99 | 8542.39.0001 | 140 | En Espera (Potencia) | 8 MA | Mems | ± 20ppm | - | - | 15 µA | |||||||
| DSC1003DL1-050.0000 | - | | 2090 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1003 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-vdfn | Xo (Estándar) | DSC1003 | 50 MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSC1003DL1-050.0000 | EAR99 | 8542.39.0001 | 140 | En Espera (Potencia) | 10.5MA | Mems | ± 50ppm | - | - | 15 µA | ||||||
| DSC1003DL2-024.0000T | - | | 6394 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1003 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079" W (2.50 mm x 2.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 4-vdfn | Xo (Estándar) | DSC1003 | 24 MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSC1003DL2-024.0000T | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 8 MA | Mems | ± 25ppm | - | - | 15 µA | ||||||
 | DSC1101BI2-027.1200T | - | | 7689 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "L x 0.126" W (5.00 mm x 3.20 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSC1101 | 27.12 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSC1101BI2-027.1200T | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 35mA | Mems | ± 25ppm | - | - | 95 µA | ||||||
 | DSC1101NI2-018.7500 | - | | 1728 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1101 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSC1101 | 18.75 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSC1101NI2-018.7500 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | En Espera (Potencia) | 35mA | Mems | ± 25ppm | - | - | 95 µA | |||||||
| DSC1102AI5-160.0000T | - | | 4968 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1102 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 6-vdfn exposición almohadilla | Xo (Estándar) | DSC1102 | 160 MHz | Lvpecl | 2.25V ~ 3.6V | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSC1102AI5-160.0000T | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 58 Ma | Mems | ± 10ppm | - | - | 95 µA | |||||||
| DSC1102AI5-400.0000T | - | | 2272 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1102 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 6-vdfn exposición almohadilla | Xo (Estándar) | DSC1102 | 400 MHz | Lvpecl | 2.25V ~ 3.6V | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSC1102AI5-400.0000T | EAR99 | 8542.39.0001 | 1,000 | En Espera (Potencia) | 58 Ma | Mems | ± 10ppm | - | - | 95 µA | |||||||
| DSC1102NI5-200.0000 | - | | 8987 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1102 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSC1102 | 200 MHz | Lvpecl | 2.25V ~ 3.6V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSC1102NI5-200.0000 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | En Espera (Potencia) | 58 Ma | Mems | ± 10ppm | - | - | 95 µA | ||||||
| DSC1103AI5-180.0000 | - | | 5968 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1103 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197" W (7.00 mm x 5.00 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 6-vdfn exposición almohadilla | Xo (Estándar) | DSC1103 | 180 MHz | LVDS | 2.25V ~ 3.63V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSC1103AI5-180.0000 | EAR99 | 8542.39.0001 | 50 | En Espera (Potencia) | 32MA | Mems | ± 10ppm | - | - | 95 µA | ||||||
| DSC1103CE1-100.0000 | - | | 7704 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | DSC1103 | Tubo | Activo | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "L x 0.098" W (3.20 mm x 2.50 mm) | 0.035 "(0.90 mm) | Montaje en superficie | 6-vdfn | Xo (Estándar) | DSC1103 | 100 MHz | LVDS | 2.25V ~ 3.63V | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 150-DSC1103CE1-100.0000 | EAR99 | 8542.39.0001 | 110 | En Espera (Potencia) | 32MA | Mems | ± 50ppm | - | - | 95 µA |
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