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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Jan1n5416 | 6.6300 | ![]() | 4320 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/411 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | B, axial | 1N5416 | Estándar | B, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.5 v @ 9 a | 150 ns | 1 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||||
![]() | Jantxv1n4109cur-1/tr | 26.4537 | ![]() | 6404 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N4109CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 11.4 V | 15 V | 100 ohmios | ||||||||||||
![]() | 1N4754P/TR8 | 1.8600 | ![]() | 9807 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4754 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 29.7 V | 39 V | 60 ohmios | |||||||||||
![]() | Jantx1n2805rb | - | ![]() | 9795 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/114 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A-204AD | 1N2805 | 50 W | TO-204AD (TO-3) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 100 µA @ 5 V | 7.5 V | 0.3 ohmios | ||||||||||||
Jans1n6486cus/tr | - | ![]() | 9269 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/406 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | descascar | 150-jans1n6486cus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 50 µA @ 1 V | 3.6 V | 10 ohmios | |||||||||||||||
![]() | SMBG5373AE3/TR13 | 1.1250 | ![]() | 2341 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB | SMBG5373 | 5 W | SMBG (DO-215AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 49 V | 68 V | 44 ohmios | |||||||||||
![]() | 1N4372A | 3.0900 | ![]() | 5530 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4372 | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1N4372ams | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 µA @ 1 V | 3 V | 29 ohmios | ||||||||||
![]() | CDLL5530C | 12.1950 | ![]() | 6821 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5530C | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 9.1 V | 10 V | 60 ohmios | |||||||||||||
![]() | R702 | 69.2100 | ![]() | 4307 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-204AA, TO-3 | R702 | Estándar | TO-204AD (TO-3) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | R702MS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.4 V @ 15 A | 200 ns | 1 ma @ 200 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 15A | - | |||||||||
1N4738AURE3/TR | 3.4048 | ![]() | 2936 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4738AUR3/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 6 V | 8.2 V | 4.5 ohmios | |||||||||||||
![]() | CDLL823AE3/TR | 5.1300 | ![]() | 2872 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 4.84% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL823AE3/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 V | 15 ohmios | |||||||||||||
![]() | Jantx1n6337dus/tr | 58.0650 | ![]() | 9535 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | Alcanzar sin afectado | 150-Jantx1n6337dus/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 27 V | 36 V | 50 ohmios | |||||||||||||
![]() | Jantx1n4132dur-1 | 30.4050 | ![]() | 4269 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4132 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 62.4 V | 82 V | 800 ohmios | |||||||||||
![]() | 1N5346CE3/TR13 | 1.3350 | ![]() | 7671 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5346 | 5 W | T-18 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.250 | 1.2 v @ 1 a | 7.5 µA @ 6.6 V | 9.1 V | 2 ohmios | |||||||||||
Jantxv1n746d-1 | 10.9800 | ![]() | 7707 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N746 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 1 V | 3.3 V | 28 ohmios | ||||||||||||
![]() | Jan1N3826C-1/TR | 15.5078 | ![]() | 7553 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1 W | Do-41 | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1N3826C-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 3 µA @ 1 V | 5.1 V | 7 ohmios | ||||||||||||
CDLL4372 | 5.9550 | ![]() | 1936 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL4372 | 500 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 30 µA @ 1 V | 3 V | 29 ohmios | ||||||||||||
![]() | S4260F | 57.8550 | ![]() | 9614 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | S42 | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | S4260 | Estándar | DO-205AA (DO-8) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.2 v @ 200 a | 50 µA @ 600 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 125a | - | |||||||||||
![]() | 1N4596R | 102.2400 | ![]() | 7095 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-205AA, DO-8, Semento | Polaridad Inversa Estándar | DO-205AA (DO-8) | descascar | Alcanzar sin afectado | 150-1N4596R | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1400 V | 1.1 v @ 200 a | 50 µA @ 1400 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 150a | - | ||||||||||||
1N6858-1 | 8.1150 | ![]() | 5191 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N6858 | Schottky | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 70 V | 650 MV @ 15 Ma | 200 na @ 50 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 75 Ma | 4.5pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | 1N5824E3 | 55.9800 | ![]() | 7869 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Axial | Schottky | Axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5824E3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 370 MV @ 5 A | 10 Ma @ 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 5A | - | ||||||||||||
![]() | CD5383A | 5.6700 | ![]() | 6029 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | Morir | 5 W | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 150-CD5383A | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 500 na @ 114 V | 150 V | 330 ohmios | |||||||||||||
![]() | 1N4446 | 1.8900 | ![]() | 3440 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4446 | Estándar | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1N4446MS | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 1 V @ 20 Ma | 4 ns | 25 na @ 20 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 200 MMA | - | ||||||||
![]() | Aptdf400kk60g | 129.3311 | ![]() | 1555 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | LP4 | Aptdf400 | Estándar | Sp6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 600 V | 500A | 2 V @ 400 A | 160 ns | 750 µA @ 600 V | ||||||||||
![]() | Jan1N5535CUR-1 | 37.0200 | ![]() | 1926 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N5535 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 13.5 V | 15 V | 100 ohmios | |||||||||||
![]() | 1N5833 | 57.4200 | ![]() | 9304 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 1N5833 | Schottky | Do-5 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N5833MS | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 550 MV @ 40 A | 20 Ma @ 30 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 40A | - | ||||||||||
![]() | CDLL4771 | 97.4550 | ![]() | 4943 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | CDLL4771 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 10 µA @ 6 V | 9.1 V | 200 ohmios | |||||||||||||
Jankcc1n6636 | - | ![]() | 4061 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | E, axial | 5 W | E, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-JANKCC1N6636 | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.5 v @ 1 a | 20 µA @ 1 V | 4.7 V | 2 ohmios | ||||||||||||||
Jan1n6309us/tr | 15.4350 | ![]() | 5451 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | 150-Enero1n6309us/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 v @ 1 a | 100 µA @ 1 V | 2.4 V | 30 ohmios | |||||||||||||||
Jankca1n5523d | - | ![]() | 6635 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-jankca1n5523d | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 2.5 V | 5.1 V | 26 ohmios |
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