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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de funciones | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Janhca1n971b | 8.5785 | ![]() | 4497 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AA, do-7, axial | 500 MW | DO-7 (DO-204AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JANHCA1N971B | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 20.6 V | 27 V | 41 ohmios | ||||||||||
1N4103-1/TR | 2.3408 | ![]() | 4563 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N4103-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 7 V | 9.1 V | 200 ohmios | |||||||||||
![]() | UPS170/TR7 | 0.6150 | ![]() | 1877 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | UPS170 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | |||||||||||||||||||
![]() | Jan1n5814 | - | ![]() | 8187 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Descontinuado en sic | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 950 MV @ 20 A | 35 ns | 10 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 20A | 300pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||
![]() | 1N1345 | 45.3600 | ![]() | 7997 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 1N1345 | Estándar | DO-4 (DO-203AA) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.3 V @ 30 A | 10 µA @ 300 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 16A | - | |||||||||
![]() | 1N5188 | - | ![]() | 9914 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Descontinuado en sic | A Través del Aguetero | B, axial | Estándar | B, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.5 v @ 9 a | 250 ns | 2 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||
![]() | Jantxv1n6323dus/tr | 71.5350 | ![]() | 4713 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | 150-jantxv1n6323dus/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 v @ 1 a | 1 µA @ 7 V | 9.1 V | 6 ohmios | ||||||||||||
![]() | Jantxv1n4122ur-1 | 11.2500 | ![]() | 5416 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N4122 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 27.4 V | 36 V | 200 ohmios | |||||||||
![]() | 1N4735AP/TR8 | 1.8900 | ![]() | 5804 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4735 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 3 V | 6.2 V | 2 ohmios | |||||||||
![]() | 1N1205A | 34.7100 | ![]() | 9087 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 1N1205 | Estándar | DO-4 (DO-203AA) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 1N1205ams | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 1.2 V @ 30 A | 10 µA @ 500 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 12A | - | ||||||||
![]() | 1N4526 | 62.1150 | ![]() | 2734 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 1N4526 | Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.19 v @ 90 A | 10 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 40A | - | |||||||||
![]() | Jantxv1n748cur-1/tr | 17.6624 | ![]() | 5051 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/127 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-jantxv1n748cur-1/tr | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 1 V | 3.9 V | 23 ohmios | ||||||||||
1N6345US | 14.6400 | ![]() | 2728 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/533 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 1N6345 | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 56 V | 75 V | 180 ohmios | |||||||||||
1N5231D | 6.7950 | ![]() | 9281 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Alcanzar sin afectado | 150-1N5231D | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 V | 17 ohmios | ||||||||||||
![]() | R36110 | 42.4501 | ![]() | 6589 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | - | Alcanzar sin afectado | 150-R36110 | 1 | |||||||||||||||||||||||
Jantx1n4115-1 | 4.4250 | ![]() | 3912 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4115 | 500 MW | Do-35 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 16.8 V | 22 V | 150 ohmios | ||||||||||
Jan1N4622-1/TR | 3.4580 | ![]() | 7910 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-Enero1N4622-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2.5 µA @ 2 V | 3.9 V | 1650 ohmios | |||||||||||
Jantxv1n4462us | - | ![]() | 6135 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Descontinuado en sic | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Sq-melf, un | 1.5 W | D-5A | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 4.5 V | 7.5 V | 2.5 ohmios | |||||||||||
![]() | UES704 | 53.5950 | ![]() | 8498 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | Estándar | DO-203AA (DO-4) | - | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.25 V @ 20 A | 50 ns | - | 20A | - | ||||||||||
![]() | 1N5239Bur-1 | 2.8650 | ![]() | 3891 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 1N5239 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 7 V | 9.1 V | 10 ohmios | ||||||||||
1N822 | 4.7550 | ![]() | 1212 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N822 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 V | 15 ohmios | |||||||||||
1N829AE3 | 13.6200 | ![]() | 7127 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N829AE3 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 V | 10 ohmios | ||||||||||||
![]() | 1N6319US/TR | 13.1404 | ![]() | 3999 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N6319US/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.4 v @ 1 a | 5 µA @ 3.5 V | 6.2 V | 3 ohmios | ||||||||||
![]() | UFS580J/TR13 | 3.7650 | ![]() | 3679 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | UFS580 | Estándar | DO-214AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.35 v @ 5 a | 60 ns | 10 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 5A | - | |||||||
Jan1N4618C-1 | 9.4650 | ![]() | 5562 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4618 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 1 V | 2.7 V | 1500 ohmios | ||||||||||
![]() | Jantxv1n4480d | 41.4900 | ![]() | 7641 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4480 | 1.5 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 50 na @ 34.4 V | 43 V | 40 ohmios | |||||||||
![]() | UPS180E3/TR7 | 0.4800 | ![]() | 1458 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | UPS180 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | |||||||||||||||||||
Jans1n4618c-1 | 124.5750 | ![]() | 7635 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 1 V | 2.7 V | 1500 ohmios | ||||||||||||
![]() | HSM130GE3/TR13 | 1.0650 | ![]() | 4501 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | HSM130 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | |||||||||||||||||||
Jan1N4130-1 | 4.1100 | ![]() | 8293 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N4130 | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 51.7 V | 68 V | 700 ohmios |
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