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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de funciones	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
Jan1N3024D-1/TR	19.3515	RFQ	8290	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial			1 W	Do-41	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N3024D-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 11.4 V				15 V	14 ohmios
UFS105JE3/TR13	0.9000	RFQ	2719	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214BA	UFS105	Estándar		DO-214BA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	50 V	950 MV @ 1 A	30 ns	5 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1A	-
1N3041BUR-1/TR	15.4500	RFQ	7306	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	-					EAR99	8541.10.0050	100			1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 56 V				75 V	175 ohmios
Jantxv1n4124ur-1/tr	10.1080	RFQ	3609	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-Jantxv1n4124ur-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 32.7 V				43 V	250 ohmios
Jantxv1n6345dus/tr	68.7000	RFQ	1910	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/533	Tape & Reel (TR)	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			500 MW	B, SQ-Melf	-				150-jantxv1n6345dus/tr	EAR99	8541.10.0050	100			1.4 v @ 1 a		50 na @ 56 V				75 V	180 ohmios
1N3293ar	102.2400	RFQ	8355	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AA, DO-8, Semento	1N3293	Polaridad Inversa Estándar		DO-205AA (DO-8)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	1N3293ams	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	600 V	1.1 v @ 200 a		50 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 200 ° C	150a	-
Jan1n4962cus/tr	22.7100	RFQ	9666	Tecnología de Microchip	MIL-PRF-19500/356	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	SQ-Melf, B			5 W	E-Mada	-				150-Enero1n4962cus/TR	EAR99	8541.10.0050	100			1.5 v @ 1 a		5 µA @ 11.4 V				15 V	3.5 ohmios
Jantx1n649-1	-	RFQ	9119	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/240	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N649	Estándar		Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	600 V	1 V @ 400 Ma		50 na @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	400mA	-
Jantxv1n4120c-1	23.1600	RFQ	8054	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4120		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 22.8 V				30 V	200 ohmios
R3410	36.6600	RFQ	2454	Tecnología de Microchip	R34	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	R3410	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	100 V	1.15 V @ 90 A		10 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 200 ° C	45a	-
1N3611E3	4.9050	RFQ	9746	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	A, axial	1N3611	Estándar		A, axial	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	200 V	1.1 v @ 1 a		1 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
1 PMT5932AE3/TR7	0.7350	RFQ	4574	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5932		3 W	DO-216AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000			1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 15.2 V				20 V	14 ohmios
R21120	33.4500	RFQ	9870	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	R21120	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1200 V	1.2 V @ 30 A		10 µA @ 1200 V	-65 ° C ~ 200 ° C	22A	-
Jantxv1n6658r	328.4550	RFQ	1121	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	TO-254-3, TO-254AA (CLIENTES POTENCADES RECTOS)		Estándar		Un 254	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	150 V	1.2 V @ 20 A	35 ns	10 µA @ 150 V	-	15A	150pf @ 10V, 1 MHz
CDLL5535A/TR	5.9052	RFQ	4139	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	Do-213ab, melf			500 MW	DO-213AB	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CDLL5535A/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 12.5 V				15 V	100 ohmios
Jan1N4454-1	0.8700	RFQ	3550	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/144	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N4454	Estándar		Do-35	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	50 V	1 V @ 10 Ma	4 ns	100 na @ 50 V	-55 ° C ~ 175 ° C	200 MMA	-
CDLL2810	2.4339	RFQ	4922	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-213AA	CDLL2810	Schottky		DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad	20 V	1 V @ 35 Ma		100 na @ 15 V	-65 ° C ~ 150 ° C	75 Ma	2pf @ 0V, 1 MHz
Jantx1n5524c-1	-	RFQ	7145	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Una granela	Descontinuado en sic	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		2 µA @ 3.5 V				5.6 V	30 ohmios
Jan1n3826cur-1/TR	31.6274	RFQ	7274	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)			1 W	DO-213AB (Melf, LL41)	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-ENERO1N3826CUR-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1			1.2 v @ 200 ma		3 µA @ 1 V				5.1 V	7 ohmios
UES804	65.9400	RFQ	1234	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental		Estándar		Do-5	-		No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	200 V	1.25 V @ 50 A	50 ns		-55 ° C ~ 150 ° C	50A	-
SBR60100R	143.2050	RFQ	5149	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental		Schottky		Do-5	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	100 V	890 MV @ 60 A			-	60A	-
1n6921utk4as	259.3500	RFQ	6543	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo									-			Alcanzar sin afectado	150-1n6921utk4as			1
Jantx1n3164r	-	RFQ	8315	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/211	Una granela	Activo			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento		Estándar		DO-205AB (DO-9)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	200 V	1.55 V @ 940 A		10 Ma @ 200 V	-65 ° C ~ 200 ° C	300A	-
DSB5817	-	RFQ	7528	Tecnología de Microchip	*	Una granela	Activo					DSB5817				-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1
Jantxv1n5542bur-1/tr	17.2900	RFQ	8276	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/437	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AA (Vidrio)			500 MW	DO-213AA	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jantxv1n5542bur-1/tr	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		10 na @ 21.6 V				24 V	100 ohmios
1N5988B-1	3.4050	RFQ	2696	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5988B-1	EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		25 µA @ 1 V				3.3 V	95 ohmios
Jans1n4621d-1	155.7750	RFQ	6156	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/435	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	DO-35 (DO-204AH)	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.1 V @ 200 Ma		3.5 µA @ 2 V				3.6 V	1700 ohmios
1N5417-1/TR	5.0250	RFQ	6540	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Axial		Polaridad Inversa Estándar		B	-			Alcanzar sin afectado	150-1N5417-1/TR	EAR99	8541.10.0080	188	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	200 V	1.5 v @ 9 a	150 ns	1 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
CD5368B	5.0274	RFQ	2449	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 200 ° C	Montaje en superficie	Morir			5 W	Morir	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-CD5368B	EAR99	8541.10.0050	1			1.5 v @ 1 a		500 na @ 35.8 V				47 V	25 ohmios
Jantxv1n3321rb	-	RFQ	2478	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/358	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	Do-203ab, do-5, semental			50 W	Do-5	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1			1.5 V @ 10 A		10 µA @ 18.2 V				24 V	2.6 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²