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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N4148ub2r | 27.0900 | ![]() | 1818 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | 2-smd, sin plomo | 1N4148 | Estándar | UB2 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 1.2 V @ 100 Ma | 5 ns | 500 na @ 75 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 200 MMA | 4PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||
![]() | Jan1n4996c | - | ![]() | 5004 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/356 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | E, axial | 5 W | E, axial | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 1 a | 2 µA @ 297 V | 390 V | 1800 ohmios | |||||||||||||
![]() | Jan1N5540Dur-1/TR | 32.1993 | ![]() | 8964 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/437 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N5540DUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 18 V | 20 V | 100 ohmios | ||||||||||||
![]() | 689-3p | - | ![]() | 4587 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Descontinuado en sic | Monte del Chasis | Nd, módulo | 689-3 | Estándar | Dakota del Norte | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 300 V | 15A | 1.2 v @ 10 a | 500 ns | 10 µA @ 300 V | 150 ° C (Máximo) | |||||||||
![]() | Jan1n5188 | 9.4800 | ![]() | 8828 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/424 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | B, axial | 1N5188 | Estándar | B, axial | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.5 v @ 9 a | 250 ns | 2 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||||
![]() | Jan1n6349cus/tr | 63.8550 | ![]() | 8445 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/533 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SQ-Melf, B | 500 MW | B, SQ-Melf | - | 150-Enero1n6349cus/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 100 | 1.4 v @ 1 a | 50 na @ 84 V | 110 V | 500 ohmios | ||||||||||||||
![]() | SMAJ5922BE3/TR13 | 0.6450 | ![]() | 9738 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaj5922 | 3 W | DO-214AC (SMAJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 6 V | 7.5 V | 3 ohmios | |||||||||||
![]() | 1n1126ar | 38.3850 | ![]() | 5005 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 1N1126 | Polaridad Inversa Estándar | DO-4 (DO-203AA) | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.2 V @ 30 A | 10 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 12A | - | |||||||||||
![]() | 1N4254 | 16.2750 | ![]() | 4214 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | MIL-PRF-19500/279 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | S, axial | 1N4254 | Estándar | S, axial | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1500 V | 3.5 V @ 100 Ma | 1 µA @ 1500 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 250 Ma | - | |||||||||||
![]() | 1N3600 | 1.3800 | ![]() | 2498 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N3600 | Estándar | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 50 V | 1 V @ 200 Ma | 4 ns | 100 na @ 50 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | - | |||||||||
![]() | Jan1n5623/tr | 7.8600 | ![]() | 5264 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/429 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | Estándar | A, axial | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N5623/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.6 v @ 3 a | 500 ns | 500 na @ 1 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | ||||||||||
![]() | SMAJ4759CE3/TR13 | 0.6450 | ![]() | 1984 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaj4759 | 2 W | DO-214AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 47.1 V | 62 V | 125 ohmios | |||||||||||
CDLL5920B | 3.9300 | ![]() | 2715 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL5920 | 1.25 W | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 4 V | 6.2 V | 2 ohmios | ||||||||||||
CDLL980 | 2.9400 | ![]() | 1360 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 20% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL980 | 500 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 47 V | 62 V | 185 ohmios | ||||||||||||
Jan1n4486c | 20.3700 | ![]() | 8200 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/406 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N4486 | 1.5 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 250 na @ 60 V | 75 V | 130 ohmios | ||||||||||||
![]() | 1N5367C/TR12 | 3.3900 | ![]() | 6621 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5367 | 5 W | T-18 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 31 V | 43 V | 20 ohmios | |||||||||||
![]() | Jantxv1n5195ur | - | ![]() | 8773 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/118 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | DO-213AA | Estándar | DO-213AA | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 180 V | 1 V @ 100 Ma | -65 ° C ~ 175 ° C | 200 MMA | - | |||||||||||||
![]() | Jan1n5416us/tr | 11.2050 | ![]() | 3955 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/411 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | B, axial | Estándar | B, axial | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N5416US/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.5 v @ 9 a | 150 ns | 1 µA @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||
![]() | 1N4101 | 2.4750 | ![]() | 2195 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | 1N4101 | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||||
![]() | SMBJ4742A/TR13 | 0.8850 | ![]() | 2959 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ4742 | 2 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 9.1 V | 12 V | 9 ohmios | |||||||||||
Jan1n914 | 0.7200 | ![]() | 1285 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/116 | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N914 | Estándar | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 75 V | 1.2 V @ 50 Ma | 20 ns | 500 na @ 75 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 200 MMA | 2.8pf @ 1.5V, 1MHz | ||||||||||
![]() | Jantxv1n972dur-1 | 24.2250 | ![]() | 8299 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N972 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 23 V | 30 V | 49 ohmios | |||||||||||
![]() | CD4467 | 4.3624 | ![]() | 6011 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | - | Montaje en superficie | Morir | Morir | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD4467 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||
Jans1n5616us | 49.9950 | ![]() | 3325 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/427 | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Sq-melf, un | Estándar | A, SQ-Melf | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 3 A | 2 µs | -65 ° C ~ 200 ° C | 1A | - | |||||||||||||
![]() | Jan1n816 | - | ![]() | 5231 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | - | - | - | - | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | |||||||||||||||||||
![]() | Smaj5940be3/tr13 | - | ![]() | 7186 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaj5940 | 3 W | DO-214AC (SMAJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 32.7 V | 43 V | 53 ohmios | |||||||||||
![]() | Jan1n3671r | 56.9250 | ![]() | 2564 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/260 | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 1N3671 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AA (DO-4) | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.35 V @ 38 A | 5 µA @ 800 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 12A | - | ||||||||||
![]() | Jantxv1n984cur-1 | 19.3800 | ![]() | 2957 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/117 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 1N984 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 500 na @ 69 V | 91 V | 400 ohmios | |||||||||||
Jan1N823-1 | - | ![]() | 4491 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/159 | Una granela | Descontinuado en sic | ± 5% | - | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 6.2 V | 15 ohmios | ||||||||||||||
![]() | Jantxv1n2982b | - | ![]() | 5868 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/124 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje | DO-203AA, DO-4, semento | 10 W | DO-213AA (DO-4) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 13.7 V | 18 V | 4 ohmios |
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