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Diodos (34409)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
HSM835GE3/TR13	1.3950	RFQ	5590	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-215AB, Ala de Gaviota SMC	HSM835	Schottky		DO-215AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		35 V		620 MV @ 8 A		250 µA @ 35 V	-55 ° C ~ 175 ° C	8A	-
Jans1n6491dus	-	RFQ	5006	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/406	Una granela	Activo	± 1%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Sq-melf, un			1.5 W	A, SQ-Melf	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 v @ 1 a		500 na @ 2 V				5.6 V	5 ohmios
Jantxv1n3308rb	-	RFQ	1646	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/358	Una granela	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje	Do-203ab, do-5, semental			50 W	Do-5	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.5 V @ 10 A		25 µA @ 6.1 V				9.1 V	0.5 ohmios
Jantxv1n5553us/tr	17.5650	RFQ	8947	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/420	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SQ-Melf, B		Estándar		B, SQ-Melf	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N5553US/TR	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.3 V @ 9 A	2 µs		-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
1N4627-1/TR	2.5137	RFQ	2424	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AA, do-7, axial			500 MW	Do-7	descascar	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-1N4627-1/TR	EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		1 µA @ 5.7 V				6.2 V	1200 ohmios
1N6840	161.9550	RFQ	6729	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	3-SMD, sin Plomo	1N6840	Schottky		U3 (SMD-0.5)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	35 V	10A	750 MV @ 10 A		100 µA @ 35 V	-55 ° C ~ 150 ° C
1N3902	48.5400	RFQ	3045	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	1N3902	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		300 V		1.4 V @ 63 A	200 ns	50 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 150 ° C	20A	150pf @ 10V, 1 MHz
UPS540E3/TR13	0.5200	RFQ	3	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	PowerMite®3	UPS540	Schottky		Powermit 3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		540 MV @ 5 A		500 µA @ 40 V	-55 ° C ~ 125 ° C	5A	250pf @ 4V, 1 MHz
UFR3015R	56.6250	RFQ	4279	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento		Estándar		DO-203AA (DO-4)	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		975 MV @ 30 A	35 ns	15 µA @ 200 V	175 ° C (Máximo)	30A	140pf @ 10V, 1 MHz
UES2603HR2	92.0250	RFQ	9521	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	TO-204AA, TO-3		Estándar		A 3	-		No Aplicable	Alcanzar sin afectado	2266-Ues2603hr2	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		930 MV @ 15 A	35 ns		-55 ° C ~ 175 ° C	30A	-
1 PMT5953AE3/TR13	0.7350	RFQ	6647	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5953		3 W	DO-216AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 114 V				150 V	600 ohmios
HSM350GE3/TR13	0.9900	RFQ	5292	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-215AB, Ala de Gaviota SMC	HSM350	Schottky		DO-215AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		620 MV @ 3 A		100 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
1N6662	11.0400	RFQ	8969	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF- 19500/587	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N6662	Estándar		DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1 V @ 400 Ma		50 na @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	500mA	-
1N4942	5.0700	RFQ	6688	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	A, axial	1N4942	Estándar		A, axial	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	1 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	45pf @ 12V, 1 MHz
Apt30dq100kg	1.0800	RFQ	420	Tecnología de Microchip	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-2	Apt30dq100	Estándar		Un 220 [k]	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1000 V		3 V @ 30 A	295 ns	100 µA @ 1000 V	-55 ° C ~ 175 ° C	30A	-
UES1002SM	24.1650	RFQ	9361	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	A, axial		Estándar		A, axial	-		No Aplicable	Alcanzar sin afectado			0000.00.0000	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)				975 MV @ 1 A	25 ns		-	-	-
Jans1n938b-1/tr	-	RFQ	3758	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/156	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial			500 MW	Do-35	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-jans1n938b-1/tr	EAR99	8541.10.0050	1							10 µA @ 6 V				9 V	20 ohmios
1N5812	62.2350	RFQ	1005	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje	DO-203AA, DO-4, semento	1N5812	Estándar		DO-203AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		950 MV @ 20 A	15 ns	10 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	20A	300pf @ 10V, 1 MHz
UPS120E3/TR13	0.4800	RFQ	8592	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-216AA	UPS120	Schottky		Powermite	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	12,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		20 V		450 MV @ 1 A		400 µA @ 20 V	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	80pf @ 5V, 1 MHz
Jantx1n979bur-1	-	RFQ	6347	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/117	Una granela	Descontinuado en sic	± 5%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N979		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.1 V @ 200 Ma		500 na @ 43 V				56 V	150 ohmios
SMBG5367A/TR13	2.2200	RFQ	3002	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 10%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-215AA, Ala de Gaviota de SMB	SMBG5367		5 W	SMBG (DO-215AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3.000					1.2 v @ 1 a		500 na @ 31 V				43 V	20 ohmios
Jan1N3027C-1	17.3250	RFQ	8347	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/115	Una granela	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N3027		1 W	Do-41	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	1					1.2 v @ 200 ma		10 µA @ 15.2 V				20 V	22 ohmios
Apt2x61dq100j	23.3500	RFQ	2497	Tecnología de Microchip	-	Tubo	Activo			Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	Apt2x61	Estándar		ISOTOP®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	2 Independientes	1000 V	60A	2.8 V @ 60 A	235 ns	100 µA @ 1000 V
R3760	59.0400	RFQ	8184	Tecnología de Microchip	SR37	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental		Estándar		Do-5	-	Rohs no conforme		Alcanzar sin afectado	2266-R3760	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.15 V @ 200 A			-65 ° C ~ 200 ° C	85a	-
UPR5/TR7	1.3350	RFQ	3403	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-216AA	UPR5	Estándar		DO-216	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		975 MV @ 2 A	25 ns	2 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2.5a	-
Jan1N5553	7.5000	RFQ	5679	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/420	Una granela	Activo			A Través del Aguetero	B, axial	1N5553	Estándar		B, axial	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.3 V @ 9 A	2 µs	1 µA @ 800 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
CDLL6676	2.7450	RFQ	9458	Tecnología de Microchip	-	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-213AA	CDLL6676	Schottky		DO-213AA	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	1	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		30 V		500 MV @ 200 Ma		5 µA @ 30 V	-65 ° C ~ 125 ° C	200 MMA	50pf @ 0v, 1 MHz
Jantxv1n5552us/tr	14.3700	RFQ	3308	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/420	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SQ-Melf, E		Estándar		D-5B	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N5552US/TR	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.2 v @ 9 a	2 µs	1 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-
1 PMT5936BE3/TR13	0.7350	RFQ	7438	Tecnología de Microchip	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-216AA	1pmt5936		3 W	DO-216AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	12,000					1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 22.8 V				30 V	28 ohmios
Jantxv1n5420us/tr	22.8600	RFQ	1375	Tecnología de Microchip	Militar, MIL-PRF-19500/411	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SQ-Melf, E		Estándar		D-5B	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado	150-JantXV1N5420US/TR	EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.5 v @ 9 a	400 ns	1 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	3A	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (34409)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²