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Diodos (34409)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Jantxv1n6766 | - |  | 4933 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-254-3, TO-254AA (CLIENTES POTENCADES RECTOS) | Estándar | Un 254 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.55 V @ 12 A | 60 ns | 10 µA @ 320 V | - | 12A | 300pf @ 5V, 1MHz | |||||||||
 | Jantx1n3821d-1 | 27.4650 | | 6020 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/115 | Una granela | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3821 | 1 W | Do-41 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 100 µA @ 1 V | 3.3 V | 10 ohmios | |||||||||
 | 1 PMT4113E3/TR13 | 0.4950 | | 6213 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | PowerMite® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt4113 | 1 W | DO-216 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 14.44 V | 19 V | 150 ohmios | |||||||||
| 1 PMT4104CE3/TR7 | 0.4950 | | 4859 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | PowerMite® | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1pmt4104 | 1 W | DO-216 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 7.6 V | 10 V | 200 ohmios | |||||||||
 | Smaj5932be3/tr13 | 0.6450 | | 2398 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Smaj5932 | 3 W | DO-214AC (SMAJ) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 7,500 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 15.2 V | 20 V | 14 ohmios | |||||||||
 | UZ5709 | 32.2650 | | 6306 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | B, axial | 5 W | B, axial | - | Alcanzar sin afectado | 150-UZ5709 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 100 µA @ 6.9 V | 9.1 V | 2 ohmios | ||||||||||||
| 1 PMT5951AE3/TR7 | 0.7350 | | 1306 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-216AA | 1PMT5951 | 3 W | DO-216AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 91.2 V | 120 V | 380 ohmios | |||||||||
 | 1N3305A | 49.3800 | | 4793 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 1N3305 | 50 W | Do-5 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 300 µA @ 4.5 V | 6.8 V | 0.2 ohmios | |||||||||
 | CDLL759 | 2.8650 | | 8139 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL759 | 500 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 1 µA @ 9 V | 12 V | 30 ohmios | |||||||||
 | 1N5239Be3 | 2.9550 | | 7321 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Bolsa | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5239 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1N5239BE3MS | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 200 Ma | 3 µA @ 7 V | 9.1 V | 10 ohmios | ||||||||
| HSM320G/TR13 | 1.5000 | | 3809 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Tape & Reel (TR) | Activo | HSM320 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | |||||||||||||||||||
 | CD4153 | 1.3433 | | 2393 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Morir | Estándar | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-CD4153 | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 50 V | 880 MV @ 20 Ma | 4 ns | 50 na @ 50 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 20 Ma | 2pf @ 0V, 1 MHz | ||||||||
 | 1N6013B | 2.0700 | | 9567 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N6013 | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1N6013bms | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 27 V | 36 V | 95 ohmios | ||||||||
| SD24150 | 63.3000 | | 7709 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | SD2415 | - | Alcanzar sin afectado | 150-SD24150 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | 1N4701UR-1 | 5.0850 | | 5809 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA | 1N4701 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 50 na @ 10.6 V | 14 V | |||||||||||
 | 1N5919AP/TR8 | 1.8600 | | 3865 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N5919 | 1.5 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 3 V | 5.6 V | 2 ohmios | |||||||||
| Jantx1n2836rb | - | | 3510 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A-204AD | 1N2836 | 10 W | TO-204AD (TO-3) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 v @ 2 a | 10 µA @ 62.2 V | 82 V | 11 ohmios | ||||||||||
| CDLL5529A | 6.4800 | | 4870 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | CDLL5529 | 500 MW | DO-213AB | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 7 V | 9.1 V | 45 ohmios | |||||||||
| CDLL4583A | 18.4950 | | 5011 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | - | -55 ° C ~ 100 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | CDLL4583 | 500 MW | DO-213AA | descascar | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 2 µA @ 3 V | 25 ohmios | ||||||||||||
| CDLL829 | 26.2800 | | 5021 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | * | Una granela | Activo | CDLL829 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | ||||||||||||||||||||
| 1N3042B-1 | 8.1900 | | 2340 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1N3042 | 1 W | DO-204Al (DO-41) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 62.2 V | 82 V | 200 ohmios | |||||||||
| Jan1n3312b | - | | 5967 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/158 | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | 1N3312 | 50 W | Do-5 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 10 A | 10 µA @ 9.9 V | 13 V | 1.1 ohmios | |||||||||
| CDLL5256C | 6.7200 | | 1795 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA | 10 MW | DO-213AA | - | Alcanzar sin afectado | 150-CDLL5256C | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 23 V | 30 V | 49 ohmios | |||||||||||
 | 1N6625E3/TR | 16.5300 | | 8497 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | A, axial | Estándar | A, axial | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-1N6625E3/TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1100 V | 1.95 V @ 1.5 A | 80 ns | 1 µA @ 1100 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | - | ||||||||
| 1N5342C/TR12 | 3.3900 | | 6460 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | T-18, axial | 1N5342 | 5 W | T-18 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 10 µA @ 4.9 V | 6.8 V | 1 ohmios | |||||||||
| Jan1N4105D-1/TR | 11.7838 | | 6996 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 1% | -65 ° C ~ 175 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-ENERO1N4105D-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 na @ 8.5 V | 11 V | 200 ohmios | |||||||||||
| Jantxv1n4128cur-1/tr | 25.6690 | | 2915 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 150-JantXV1N4128CUR-1/TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 10 na @ 45.6 V | 60 V | 400 ohmios | ||||||||||
 | SMBJ5346A/TR13 | 1.6350 | | 4511 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 10% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | SMBJ5346 | 5 W | SMBJ (DO-214AA) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 1 a | 7.5 µA @ 6.6 V | 9.1 V | 2 ohmios | |||||||||
| Jans1n4623cur-1 | 165.5850 | | 7025 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/435 | Una granela | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AA (Vidrio) | 500 MW | DO-213AA | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 Ma | 2 µA @ 2 V | 4.3 V | 1600 ohmios | |||||||||||
| Jan1N3910R | - | | 6624 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Militar, MIL-PRF-19500/308 | Una granela | Activo | Montaje | Do-203ab, do-5, semental | Estándar | Do-5 | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.4 V @ 50 A | 200 ns | -65 ° C ~ 150 ° C | 30A | - |
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