SIC
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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
SK55C V6G Taiwan Semiconductor Corporation SK55C V6G -
RFQ
 ECAD 1186 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Sk55 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 750 MV @ 5 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
SK56C Taiwan Semiconductor Corporation Sk56c 0.1938
RFQ
 ECAD 7689 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Sk56 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 750 MV @ 5 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
SSL33 Taiwan Semiconductor Corporation SSL33 0.3150
RFQ
 ECAD 1372 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC SSL33 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 200 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
1SMC5352 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMC5352 0.3249
RFQ
 ECAD 6659 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AB, SMC 1SMC5352 5 W DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 µA @ 11.5 V 15 V 2.5 ohmios
1SMC5352 V7G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMC5352 V7G -
RFQ
 ECAD 3655 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AB, SMC 1SMC5352 5 W DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 850 1 µA @ 11.5 V 15 V 2.5 ohmios
ESH3D Taiwan Semiconductor Corporation ESH3D 0.2139
RFQ
 ECAD 8515 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC ESH3 Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 20 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
HS3G Taiwan Semiconductor Corporation HS3G 0.2021
RFQ
 ECAD 1614 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC HS3G Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 50 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1 MHz
S10MC Taiwan Semiconductor Corporation S10MC 0.2235
RFQ
 ECAD 7090 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC S10M Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 60pf @ 4V, 1MHz
S12GC Taiwan Semiconductor Corporation S12GC 0.2349
RFQ
 ECAD 9108 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC S12G Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 12A 78pf @ 4V, 1MHz
S3B V6G Taiwan Semiconductor Corporation S3B V6G -
RFQ
 ECAD 1700 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S3B Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.5 µs 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
S5B V6G Taiwan Semiconductor Corporation S5B V6G -
RFQ
 ECAD 5181 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S5B Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.5 µs 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 60pf @ 4V, 1MHz
MBRAD560H Taiwan Semiconductor Corporation MBRAD560H 0.6600
RFQ
 ECAD 9506 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MBRAD560 Schottky Thindpak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 4.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 800 MV @ 5 A 100 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 244pf @ 4V, 1 MHz
MBRAD5150H Taiwan Semiconductor Corporation MBRAD5150H 0.7200
RFQ
 ECAD 7213 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MBRAD5150 Schottky Thindpak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 4.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 880 MV @ 5 A 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 102pf @ 4V, 1MHz
MBRAD1560DH Taiwan Semiconductor Corporation MBRAD1560DH 0.9300
RFQ
 ECAD 6560 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MBRAD1560 Schottky Thindpak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 4.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 15A 750 MV @ 7.5 A 100 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRAD1060H Taiwan Semiconductor Corporation MBRAD1060H 0.8200
RFQ
 ECAD 7764 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MBRAD1060 Schottky Thindpak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 4.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 800 MV @ 10 A 100 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 397pf @ 4V, 1MHz
MBRAD545H Taiwan Semiconductor Corporation MBRAD545H 0.6600
RFQ
 ECAD 9537 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MBRAD545 Schottky Thindpak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 4.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 700 MV @ 5 A 100 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 302pf @ 4V, 1MHz
MBRAD8200H Taiwan Semiconductor Corporation MBRAD8200H 0.7700
RFQ
 ECAD 7857 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MBRAD8200 Schottky Thindpak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 4.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 8 A 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 125pf @ 0V, 1 MHz
MBRAD8100H Taiwan Semiconductor Corporation MBRAD8100H 0.7200
RFQ
 ECAD 4559 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MBRAD8100 Schottky Thindpak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 4.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 850 MV @ 8 A 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 198pf @ 4V, 1 MHz
MBRAD10100H Taiwan Semiconductor Corporation MBRAD10100H 0.8200
RFQ
 ECAD 3157 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MBRAD10100 Schottky Thindpak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 4.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 830 MV @ 10 A 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 260pf @ 4V, 1MHz
MBRAD5100H Taiwan Semiconductor Corporation MBRAD5100H 0.6600
RFQ
 ECAD 6856 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MBRAD5100 Schottky Thindpak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 4.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 850 MV @ 5 A 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 94pf @ 4V, 1 MHz
MBRAD1545DH Taiwan Semiconductor Corporation MBRAD1545DH 0.9300
RFQ
 ECAD 6877 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MBRAD1545 Schottky Thindpak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 4.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 15A 700 MV @ 7.5 A 100 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF1560CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1560CT-Y 0.4530
RFQ
 ECAD 5833 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tubo Activo A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA MBRF1560 Schottky ITO-220AB descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-MBRF1560CT-Y EAR99 8541.10.0080 1,000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 15A 950 MV @ 15 A 300 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZS55C10 Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C10 0.0340
RFQ
 ECAD 3916 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 1206 (3216 Métrica) BZS55 500 MW 1206 descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZS55C10TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 10 Ma 100 na @ 7.5 V 10 V 15 ohmios
BZD27C82P Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C82P 0.2753
RFQ
 ECAD 9260 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños ± 6.09% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-219AB BZD27 1 W Subma descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 1.2 v @ 200 ma 1 µA @ 62 V 82 V 200 ohmios
BZX584B4V7 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B4V7 RKG -
RFQ
 ECAD 2795 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 2% 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-79, SOD-523 BZX584 150 MW Sod-523f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 900 MV @ 10 Ma 3 µA @ 2 V 4.7 V 80 ohmios
MTZJ18B R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ18B R0G -
RFQ
 ECAD 1043 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Obsoleto ± 2.5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Do-204ag, do-34, axial 500 MW Do-34 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 10,000 200 na @ 13 V 17.26 V 45 ohmios
BZT52C10S RRG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C10S RRG -
RFQ
 ECAD 4937 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-90, SOD-323F BZT52C 200 MW Sod-323f descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 V @ 10 Ma 180 na @ 7 V 10 V 20 ohmios
BZT55C11 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C11 0.0350
RFQ
 ECAD 9221 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Variatura Sod-80 500 MW Mmmmel descascar ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 1801-BZT55C11TR EAR99 8541.10.0050 10,000 1 V @ 10 Ma 100 na @ 8.2 V 11 V 20 ohmios
1PGSMB5940H Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMB5940H 0.1798
RFQ
 ECAD 6514 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotive, AEC-Q101, 1PGSMB59 Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AA, SMB 3 W DO-214AA (SMB) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 µA @ 32.7 V 43 V 53 ohmios
SK59B Taiwan Semiconductor Corporation Sk59b -
RFQ
 ECAD 8141 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AA, SMB Schottky DO-214AA (SMB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1801-SK59BTR EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 90 V 850 MV @ 5 A 100 µA @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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