SIC
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Diodos (14739)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Tolerancia Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Velocidad Configuración de diodos Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if Tiempo de recuperación inverso (TRR) Actual: Fuga Inversa @ VR Temperatura de FuncionAmiento - Unión Real - Promedio Rectificado (IO) Capacitchancia @ vr, f Voltaje - Zener (nom) (Vz) Impedancia (Max) (ZZT)
S4D V7G Taiwan Semiconductor Corporation S4D V7G 0.6200
RFQ
 ECAD 8047 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta de Corte (CT) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S4d Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 200 V 1.15 v @ 4 a 1.5 µs 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 60pf @ 4V, 1MHz
S4K V7G Taiwan Semiconductor Corporation S4K V7G 1.0200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta de Corte (CT) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S4K Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 800 V 1.15 v @ 4 a 1.5 µs 10 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 60pf @ 4V, 1MHz
SK515C V7G Taiwan Semiconductor Corporation SK515C V7G 1.0900
RFQ
 ECAD 761 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta de Corte (CT) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC SK515 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 950 MV @ 5 A 300 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
SS35 V7G Taiwan Semiconductor Corporation SS35 V7G 1.0000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta de Corte (CT) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC SS35 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 750 MV @ 3 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
SS36 V7G Taiwan Semiconductor Corporation SS36 V7G 1.0000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Cinta de Corte (CT) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC SS36 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 750 MV @ 3 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A -
HS5G V7G Taiwan Semiconductor Corporation HS5G V7G 1.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC HS5G Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.3 V @ 5 A 50 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 80pf @ 4V, 1 MHz
S4J V7G Taiwan Semiconductor Corporation S4J V7G 1.0100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S4J Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 600 V 1.15 v @ 4 a 1.5 µs 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 4A 60pf @ 4V, 1MHz
SK53C V7G Taiwan Semiconductor Corporation SK53C V7G -
RFQ
 ECAD 4929 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Sk53 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 850 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 550 MV @ 5 A 500 µA @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
SK55C V6G Taiwan Semiconductor Corporation SK55C V6G -
RFQ
 ECAD 1186 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC Sk55 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 50 V 750 MV @ 5 A 500 µA @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
SK56C Taiwan Semiconductor Corporation Sk56c 0.1938
RFQ
 ECAD 7689 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC Sk56 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 750 MV @ 5 A 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A -
SSL33 Taiwan Semiconductor Corporation SSL33 0.3150
RFQ
 ECAD 1372 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC SSL33 Schottky DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 30 V 200 µA @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 3A -
1SMC5352 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMC5352 0.3249
RFQ
 ECAD 6659 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AB, SMC 1SMC5352 5 W DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 3.000 1 µA @ 11.5 V 15 V 2.5 ohmios
1SMC5352 V7G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMC5352 V7G -
RFQ
 ECAD 3655 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie DO-214AB, SMC 1SMC5352 5 W DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0050 850 1 µA @ 11.5 V 15 V 2.5 ohmios
ESH3D Taiwan Semiconductor Corporation ESH3D 0.2139
RFQ
 ECAD 8515 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC ESH3 Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 20 ns 5 µA @ 200 V -55 ° C ~ 175 ° C 3A 45pf @ 4V, 1MHz
HS3G Taiwan Semiconductor Corporation HS3G 0.2021
RFQ
 ECAD 1614 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC HS3G Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 400 V 50 ns 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 80pf @ 4V, 1 MHz
S10MC Taiwan Semiconductor Corporation S10MC 0.2235
RFQ
 ECAD 7090 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC S10M Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 1000 V 1 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 60pf @ 4V, 1MHz
S12GC Taiwan Semiconductor Corporation S12GC 0.2349
RFQ
 ECAD 9108 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC S12G Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 12A 78pf @ 4V, 1MHz
S3B V6G Taiwan Semiconductor Corporation S3B V6G -
RFQ
 ECAD 1700 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S3B Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.5 µs 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 3A 60pf @ 4V, 1MHz
S5B V6G Taiwan Semiconductor Corporation S5B V6G -
RFQ
 ECAD 5181 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic Montaje en superficie DO-214AB, SMC S5B Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 100 V 1.5 µs 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 60pf @ 4V, 1MHz
S5G Taiwan Semiconductor Corporation S5G 0.2127
RFQ
 ECAD 1117 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie DO-214AB, SMC S5G Estándar DO-214AB (SMC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.10.0080 3.000 RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) 400 V 1.5 µs 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 60pf @ 4V, 1MHz
MBRAD560H Taiwan Semiconductor Corporation MBRAD560H 0.6600
RFQ
 ECAD 9506 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MBRAD560 Schottky Thindpak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 4.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 800 MV @ 5 A 100 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 244pf @ 4V, 1 MHz
MBRAD5150H Taiwan Semiconductor Corporation MBRAD5150H 0.7200
RFQ
 ECAD 7213 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MBRAD5150 Schottky Thindpak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 4.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 150 V 880 MV @ 5 A 10 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 102pf @ 4V, 1MHz
MBRAD1560DH Taiwan Semiconductor Corporation MBRAD1560DH 0.9300
RFQ
 ECAD 6560 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MBRAD1560 Schottky Thindpak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 4.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 60 V 15A 750 MV @ 7.5 A 100 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRAD1060H Taiwan Semiconductor Corporation MBRAD1060H 0.8200
RFQ
 ECAD 7764 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MBRAD1060 Schottky Thindpak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 4.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 60 V 800 MV @ 10 A 100 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 397pf @ 4V, 1MHz
MBRAD545H Taiwan Semiconductor Corporation MBRAD545H 0.6600
RFQ
 ECAD 9537 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MBRAD545 Schottky Thindpak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 4.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 45 V 700 MV @ 5 A 100 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 302pf @ 4V, 1MHz
MBRAD8200H Taiwan Semiconductor Corporation MBRAD8200H 0.7700
RFQ
 ECAD 7857 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MBRAD8200 Schottky Thindpak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 4.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 200 V 950 MV @ 8 A 10 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 125pf @ 0V, 1 MHz
MBRAD8100H Taiwan Semiconductor Corporation MBRAD8100H 0.7200
RFQ
 ECAD 4559 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MBRAD8100 Schottky Thindpak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 4.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 850 MV @ 8 A 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 8A 198pf @ 4V, 1 MHz
MBRAD10100H Taiwan Semiconductor Corporation MBRAD10100H 0.8200
RFQ
 ECAD 3157 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MBRAD10100 Schottky Thindpak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 4.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 830 MV @ 10 A 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 10A 260pf @ 4V, 1MHz
MBRAD5100H Taiwan Semiconductor Corporation MBRAD5100H 0.6600
RFQ
 ECAD 6856 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MBRAD5100 Schottky Thindpak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 4.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 100 V 850 MV @ 5 A 10 µA @ 100 V -55 ° C ~ 150 ° C 5A 94pf @ 4V, 1 MHz
MBRAD1545DH Taiwan Semiconductor Corporation MBRAD1545DH 0.9300
RFQ
 ECAD 6877 0.00000000 Capacidad de semiconductor de Taiwán Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MBRAD1545 Schottky Thindpak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 4.500 RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) 1 par Cátodo Común 45 V 15A 700 MV @ 7.5 A 100 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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