Tel: +86-0755-83501315
Correo electrónico:sales@sic-components.com
Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 6a20g | 1.2700 | ![]() | 7015 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | R-6, axial | Estándar | R-6 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1 v @ 6 a | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 6A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | SMLW RVG | 0.3800 | ![]() | 4440 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123W | Estándar | SOD-123W | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.1 V @ 800 Ma | 1 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 800mA | 7pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | Puup6bh | 1.1100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Estándar | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 6,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 940 MV @ 6 A | 25 ns | 2 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 6A | 96pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||
Pu1dlsh | 0.4500 | ![]() | 129 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123H | Estándar | Sod-123he | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 930 MV @ 1 A | 25 ns | 2 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 19PF @ 4V, 1MHz | |||||||||
PU1BFSH | 0.4600 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | Estándar | SOD-128 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-PU1BFSHCT | EAR99 | 8541.10.0080 | 14,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 930 MV @ 1 A | 25 ns | 2 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 19PF @ 4V, 1MHz | ||||||||
![]() | PU1DLWH | 0.4000 | ![]() | 18 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123W | Estándar | SOD-123W | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 930 MV @ 1 A | 25 ns | 2 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 19PF @ 4V, 1MHz | ||||||||
Pu2blsh | 0.5000 | ![]() | 20 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-123H | Estándar | Sod-123he | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-Pu2blshtr | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 930 MV @ 2 A | 25 ns | 2 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | 31pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||
![]() | Pu2bah | 0.5300 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | Estándar | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 930 MV @ 2 A | 25 ns | 2 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | 33pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||
PU1DFSH | 0.4600 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOD-128 | Estándar | SOD-128 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-PU1DFSHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 14,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 930 MV @ 1 A | 25 ns | 2 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 1A | 19PF @ 4V, 1MHz | ||||||||
![]() | SK84C R6G | - | ![]() | 4024 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SK84CR6GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 8 A | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 8A | - | ||||||||
![]() | S4G R7 | - | ![]() | 6304 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-S4GR7TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.15 v @ 4 a | 1.5 µs | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | SK55C M6 | - | ![]() | 4278 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-sk55cm6tr | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 750 MV @ 5 A | 500 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | ||||||||
![]() | SK55C R7 | - | ![]() | 5576 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SK55CR7TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 750 MV @ 5 A | 500 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | ||||||||
![]() | SS310 R6 | - | ![]() | 5958 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SS310R6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 850 MV @ 3 A | 100 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||
![]() | 1PGSMC5355 V7G | - | ![]() | 6817 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | 1PGSMC | 5 W | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-1PGSMC535555V7GTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 850 | 500 na @ 13.7 V | 18 V | 3 ohmios | |||||||||
![]() | 1PGSMC5350 V7G | - | ![]() | 4233 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | 1PGSMC | 5 W | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-1PGSMC5350V7GTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 850 | 1 µA @ 9.9 V | 13 V | 3 ohmios | |||||||||
![]() | 1PGSMC5364 V7G | - | ![]() | 6775 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | 1PGSMC | 5 W | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-1PGSMC5364V7GTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 850 | 500 na @ 25.1 V | 33 V | 10 ohmios | |||||||||
![]() | S4B M6 | - | ![]() | 9468 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-S4BM6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.15 v @ 4 a | 1.5 µs | 10 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | SK56C R6 | - | ![]() | 5289 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SK56CR6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 60 V | 750 MV @ 5 A | 500 µA @ 60 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | ||||||||
![]() | S5G R6 | - | ![]() | 7535 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-S5GR6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.15 v @ 5 a | 1.5 µs | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | MUR360S R6G | - | ![]() | 7835 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-MOR360SR6GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.25 v @ 3 a | 50 ns | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||
![]() | ES3C M6 | - | ![]() | 1998 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-ES3CM6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 950 MV @ 3 A | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 45pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | SK810C R6 | - | ![]() | 6475 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SK810CR6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 900 MV @ 8 A | 500 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | - | ||||||||
![]() | S4d r6g | - | ![]() | 6873 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-S4DR6GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.15 v @ 4 a | 1.5 µs | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | SK53C R6 | - | ![]() | 1011 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SK53CR6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 550 MV @ 5 A | 500 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | ||||||||
![]() | S10MC M6 | - | ![]() | 9009 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-S10MCM6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.1 v @ 10 a | 1 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||
![]() | ESH3D R6G | - | ![]() | 9686 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-she3dr6gtr | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 900 MV @ 3 A | 20 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | 45pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | ES3F M6 | - | ![]() | 8181 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-ES3FM6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1.3 V @ 3 A | 35 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 30pf @ 4V, 1 MHz | |||||||
![]() | MUR440S R7 | - | ![]() | 6457 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-MOR440SR7TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.25 v @ 4 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 4A | 65pf @ 4V, 1 MHz | |||||||
![]() | 1SMC5352 R6G | - | ![]() | 6146 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | 5 W | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-1SMC5352R6GTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 11.5 V | 15 V | 2.5 ohmios |
Volumen de RFQ promedio diario
Unidad de producto estándar
Fabricantes mundiales
Almacén en stock