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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | S10MC R6G | - | ![]() | 9212 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-S10MCR6GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.1 v @ 10 a | 1 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||
![]() | S3K R6G | - | ![]() | 9275 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-S3KR6GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.15 v @ 3 a | 1.5 µs | 10 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | MUR440S R6G | - | ![]() | 5173 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-MOR440SR6GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.25 v @ 4 a | 50 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 4A | 65pf @ 4V, 1 MHz | |||||||
![]() | ES3C R6 | - | ![]() | 6958 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-ES3CR6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 950 MV @ 3 A | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 45pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | HS5F M6 | - | ![]() | 3124 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-HS5FM6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1 v @ 5 a | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||||
![]() | SK55C R6 | - | ![]() | 9607 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SK55CR6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 750 MV @ 5 A | 500 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | ||||||||
![]() | S10JC R7 | - | ![]() | 8475 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-S10JCR7TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 10 a | 1 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||
![]() | S4J R6 | - | ![]() | 8412 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-S4JR6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.15 v @ 4 a | 1.5 µs | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | ES3G M6 | - | ![]() | 8381 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-ES3GM6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 3 A | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 30pf @ 4V, 1 MHz | |||||||
![]() | HS3M R6G | - | ![]() | 9754 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-HS3MR6GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.7 v @ 3 a | 75 ns | 10 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 50pf @ 4V, 1 MHz | |||||||
![]() | S8GC R6 | - | ![]() | 1407 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-S8GCR6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 985 MV @ 8 A | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | 48pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||
![]() | MUR420S M6 | - | ![]() | 6803 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-MOR420SM6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 875 MV @ 4 A | 25 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 4A | 65pf @ 4V, 1 MHz | |||||||
![]() | HS5K R6 | - | ![]() | 4173 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-HS5KR6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.7 V @ 5 A | 75 ns | 10 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 50pf @ 4V, 1 MHz | |||||||
![]() | S4J R7 | - | ![]() | 9003 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-S4JR7TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.15 v @ 4 a | 1.5 µs | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | MUR320S R6G | - | ![]() | 7003 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-MOR320SR6GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 875 MV @ 3 A | 25 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | |||||||
![]() | HS5A R6 | - | ![]() | 9571 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-HS5AR6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1 v @ 5 a | 50 ns | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||||
![]() | Rs3d m6 | - | ![]() | 1895 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-RS3DM6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 3 A | 150 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||
![]() | S8KC R6G | - | ![]() | 7597 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-S8KCR6GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 985 MV @ 8 A | 10 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | 48pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||
![]() | SS32 R7 | - | ![]() | 5445 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SS32R7TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 500 MV @ 3 A | 500 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | ||||||||
![]() | SK53C M6 | - | ![]() | 4072 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-sk53cm6tr | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 550 MV @ 5 A | 500 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | ||||||||
![]() | S4A R6 | - | ![]() | 1020 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-S4AR6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.15 v @ 4 a | 1.5 µs | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | S4B R7 | - | ![]() | 5071 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-S4BR7TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.15 v @ 4 a | 1.5 µs | 10 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | S3D R7 | - | ![]() | 6423 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-S3DR7TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.15 v @ 3 a | 1.5 µs | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | S4G M6 | - | ![]() | 5216 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-S4GM6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.15 v @ 4 a | 1.5 µs | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | 1PGSMC5369 m6g | - | ![]() | 6865 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | 1PGSMC | 5 W | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-1PGSMC5369M6GTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 500 na @ 38.8 V | 51 V | 27 ohmios | |||||||||
![]() | Mur840 | - | ![]() | 5357 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Estándar | TO20AC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-MOR840 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 8 A | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 8A | - | |||||||
![]() | SR503 | - | ![]() | 8338 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Schottky | Do-201ad | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SR503TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 550 MV @ 5 A | 500 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 5A | - | ||||||||
![]() | SRAF540 | - | ![]() | 6645 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Schottky | ITO-220AC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SRAF540 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 5 A | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 5A | - | ||||||||
![]() | SF41GH | - | ![]() | 2641 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | SF41 | Estándar | Do-201ad | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SF41GHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.250 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1 v @ 4 a | 35 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 100pf @ 4V, 1 MHz | ||||||
![]() | MBRF16150 | - | ![]() | 9984 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Schottky | ITO-220AC | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-MBRF16150 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 950 MV @ 16 A | 100 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 16A | - |
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