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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | Rs3d m6 | - | ![]() | 1895 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-RS3DM6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 3 A | 150 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | |||||||
![]() | S8KC R6G | - | ![]() | 7597 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-S8KCR6GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 985 MV @ 8 A | 10 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | 48pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||
![]() | SS32 R7 | - | ![]() | 5445 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SS32R7TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 500 MV @ 3 A | 500 µA @ 20 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 3A | - | ||||||||
![]() | SK53C M6 | - | ![]() | 4072 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-sk53cm6tr | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 550 MV @ 5 A | 500 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | ||||||||
![]() | S4A R6 | - | ![]() | 1020 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-S4AR6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.15 v @ 4 a | 1.5 µs | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | S4B R7 | - | ![]() | 5071 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-S4BR7TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.15 v @ 4 a | 1.5 µs | 10 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | S3D R7 | - | ![]() | 6423 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-S3DR7TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.15 v @ 3 a | 1.5 µs | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | S4G M6 | - | ![]() | 5216 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-S4GM6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.15 v @ 4 a | 1.5 µs | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | 1PGSMC5369 m6g | - | ![]() | 6865 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | 1PGSMC | 5 W | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-1PGSMC5369M6GTR | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 500 na @ 38.8 V | 51 V | 27 ohmios | |||||||||
![]() | ES3C R6 | - | ![]() | 6958 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-ES3CR6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 150 V | 950 MV @ 3 A | 35 ns | 10 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 45pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | HS5F M6 | - | ![]() | 3124 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-HS5FM6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 300 V | 1 v @ 5 a | 50 ns | 10 µA @ 300 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 80pf @ 4V, 1 MHz | |||||||
![]() | SK55C R6 | - | ![]() | 9607 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Schottky | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-SK55CR6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 750 MV @ 5 A | 500 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | - | ||||||||
![]() | S10JC R7 | - | ![]() | 8475 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-S10JCR7TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 10 a | 1 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | 60pf @ 4V, 1MHz | ||||||||
![]() | S4J R6 | - | ![]() | 8412 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-S4JR6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.15 v @ 4 a | 1.5 µs | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | ES3G M6 | - | ![]() | 8381 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-ES3GM6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 3 A | 35 ns | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 30pf @ 4V, 1 MHz | |||||||
![]() | HS3M R6G | - | ![]() | 9754 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-HS3MR6GTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.7 v @ 3 a | 75 ns | 10 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 50pf @ 4V, 1 MHz | |||||||
![]() | S8GC R6 | - | ![]() | 1407 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-S8GCR6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 985 MV @ 8 A | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | 48pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||
![]() | MUR420S M6 | - | ![]() | 6803 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-MOR420SM6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 875 MV @ 4 A | 25 ns | 5 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 4A | 65pf @ 4V, 1 MHz | |||||||
![]() | HS5K R6 | - | ![]() | 4173 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-HS5KR6TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.7 V @ 5 A | 75 ns | 10 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 5A | 50pf @ 4V, 1 MHz | |||||||
![]() | S4J R7 | - | ![]() | 9003 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-S4JR7TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 850 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.15 v @ 4 a | 1.5 µs | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 4A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | 1PGSMC5363H | 0.3459 | ![]() | 9314 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotive, AEC-Q101, 1PGSMC53 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | 1PGSMC | 5 W | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 500 na @ 22.8 V | 30 V | 8 ohmios | ||||||||||
![]() | 1PGSMB5933H | 0.1798 | ![]() | 9391 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotive, AEC-Q101, 1PGSMB59 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | 3 W | DO-214AA (SMB) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 16.7 V | 22 V | 17.5 ohmios | |||||||||||
![]() | 1PGSMC5360H | 0.3459 | ![]() | 5001 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotive, AEC-Q101, 1PGSMC53 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | 1PGSMC | 5 W | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 500 na @ 19 V | 25 V | 4 ohmios | ||||||||||
![]() | Mur310sh | 0.2277 | ![]() | 9206 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 875 MV @ 3 A | 25 ns | 5 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||
![]() | Rs3kh | 0.1791 | ![]() | 2750 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.3 V @ 3 A | 500 ns | 10 µA @ 800 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||
![]() | 1PGSMB5952 | 0.1689 | ![]() | 7719 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | 1PGSMB59 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | 3 W | DO-214AA (SMB) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 98.8 V | 130 V | 450 ohmios | |||||||||||
![]() | ES3A | - | ![]() | 6854 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-ES3ATR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 950 MV @ 3 A | 35 ns | 10 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 45pf @ 4V, 1MHz | |||||||
![]() | S2AH | - | ![]() | 4876 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | Estándar | DO-214AA (SMB) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1801-S2AHTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.15 v @ 2 a | 1.5 µs | 1 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | 30pf @ 4V, 1 MHz | |||||||
![]() | S8gch | 0.2111 | ![]() | 1683 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 985 MV @ 8 A | 10 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | 48pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||
![]() | S3MH | 0.1561 | ![]() | 9412 | 0.00000000 | Capacidad de semiconductor de Taiwán | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | Estándar | DO-214AB (SMC) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.15 v @ 3 a | 1.5 µs | 10 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz |
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