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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WNSC5D04650D6J | - | ![]() | 6469 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | WNSC5 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Dpak | - | 1740-WNSC5D04650D6JTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 v @ 4 a | 0 ns | 20 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 4A | 138pf @ 1V, 1 MHz | |||||
![]() | WND35P08Q | 0.5644 | ![]() | 1911 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | WND35 | Estándar | TO20AC | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 800 V | 1.4 V @ 35 A | 50 µA @ 600 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 35a | - | |||||||
![]() | WB35SD160Alz | 0.6908 | ![]() | 7815 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Morir | WB35 | Estándar | Objeto | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1600 V | 1.2 V @ 35 A | 50 µA @ 1600 V | 150 ° C | 35a | - | |||||||
![]() | WNSC2D301200W6Q | 5.3483 | ![]() | 9168 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | WNSC2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | To-247-2 | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.6 V @ 30 A | 0 ns | 150 µA @ 1.2 kV | -55 ° C ~ 175 ° C | 30A | 1407pf @ 1V, 1 MHz | ||||||
![]() | WNSC2D021200D6J | 0.3699 | ![]() | 6699 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | WNSC2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Dpak | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.65 v @ 2 a | 0 ns | 10 µA @ 1200 V | 175 ° C | 2A | 95pf @ 1v, 1 MHz | ||||||
![]() | WB75FC120Alz | 1.8128 | ![]() | 6110 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Morir | WB75 | Estándar | Objeto | - | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 3.3 V @ 75 A | 85 ns | 250 µA @ 1200 V | 175 ° C | 75a | - | ||||||
![]() | WB75FC65Alz | 1.2113 | ![]() | 2969 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Morir | WB75 | Estándar | Objeto | - | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 650 V | 2.75 V @ 75 A | 50 ns | 10 µA @ 650 V | 175 ° C | 75a | - | ||||||
![]() | WNSC2D101200CW6Q | 2.0518 | ![]() | 9405 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | WNSC2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO-247-3 | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1 par Cátodo Común | 1200 V | 10A | 1.6 v @ 5 a | 0 ns | 25 µA @ 1200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||
![]() | Byc30wt-600psq | 1.3879 | ![]() | 4791 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Byc30 | Estándar | TO-247-3 | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 2.75 V @ 30 A | 35 ns | 10 µA @ 600 V | 175 ° C | 30A | - | ||||||
![]() | WNSC401200CWQ | 11.5500 | ![]() | 6471 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | La Última Vez Que Compre | A Través del Aguetero | TO-247-3 | WNSC4 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO-247-3 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.75 V @ 20 A | 0 ns | 200 µA @ 1200 V | 175 ° C (Máximo) | 40A | 810pf @ 1v, 1 MHz | ||||
![]() | BYV32E-300PQ | 0.5940 | ![]() | 9788 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | BYV32 | Estándar | TO20E | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 300 V | 10A | 1.25 V @ 10 A | 35 ns | 20 µA @ 300 V | 175 ° C (Máximo) | ||||
![]() | WND45P16WQ | 3.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | WND45 | Estándar | To-247-2 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1600 V | 1.4 V @ 45 A | 10 µA @ 1600 V | 150 ° C | 45a | - | |||||
![]() | BYV25X-600,127 | 0.3795 | ![]() | 6217 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paquete completo, Pestaña aislada | BYV25 | Estándar | Un 220FP | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 5 A | 60 ns | 50 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 5A | - | ||||
![]() | WNSC2D10650XQ | 1.4550 | ![]() | 6616 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To20-2 paquete completo, Pestaña aislada | WNSC2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 220F | - | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1740-WNSC2D10650XQ | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | 175 ° C | 10A | 310pf @ 1V, 1 MHz | |||
BYC5-1200PQ | 0.4290 | ![]() | 3754 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Byc5 | Estándar | TO20AC | descascar | 1 (ilimitado) | 93407203333127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 3.2 v @ 5 a | 36 ns | 100 µA @ 1200 V | 175 ° C (Máximo) | 5A | - | |||||
![]() | WNSC2D201200WQ | 8.3600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | WNSC2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | To-247-2 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1740-WNSC2D201200WQ | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1200 V | 1.8 V @ 20 A | 0 ns | 200 µA @ 1200 V | 175 ° C | 20A | 845pf @ 1V, 1 MHz | |||
![]() | BYR29-600,127 | 0.4785 | ![]() | 6230 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | BYR29 | Estándar | TO20AC | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.5 V @ 8 A | 75 ns | 10 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 8A | - | ||||
![]() | WNSC5D30650CW6Q | - | ![]() | 9895 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | WNSC5 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO-247-3 | - | 1740-WNSC5D30650CW6Q | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1 par Cátodo Común | 650 V | 30A | 1.7 V @ 15 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||
![]() | Wbsf30fc120alv | 1.2113 | ![]() | 1167 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Una granela | Activo | Montaje en superficie | Morir | WBSF30 | Estándar | Objeto | descascar | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 3.5 V @ 30 A | 65 ns | 250 µA @ 1200 V | 175 ° C | 30A | - | ||||||
![]() | Byc15-1200pq | 1.3100 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | BYC15 | Estándar | TO20AC | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 934072039127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 3.2 V @ 15 A | 61 ns | 100 µA @ 1200 V | 175 ° C (Máximo) | 15A | - | |||
![]() | WNSC5D08650D6J | - | ![]() | 5032 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | WNSC5 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Dpak | - | 1740-WNSC5D08650D6JTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 V @ 8 A | 0 ns | 40 µA @ 650 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 8A | 267pf @ 1v, 1 MHz | |||||
WNS20S100CXQ | 0.2805 | ![]() | 9647 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | WNS20 | Schottky | Un 220F | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 100 V | 10A | 950 MV @ 10 A | 50 µA @ 100 V | 150 ° C (Máximo) | ||||||
ByW29ed-200,118 | 1.0400 | ![]() | 112 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | BYW29 | Estándar | Dpak | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 20 A | 25 ns | 10 µA @ 200 V | 150 ° C (Máximo) | 8A | - | |||||
![]() | BYC10D-600,127 | 0.4125 | ![]() | 7928 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Byc10 | Estándar | TO20AC | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 2.5 V @ 10 A | 18 ns | 200 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 10A | - | ||||
![]() | NXPSC04650X6Q | 2.7000 | ![]() | 6191 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | La Última Vez Que Compre | A Través del Aguetero | To20-2 paquete completo, Pestaña aislada | NXPSC | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | Un 220F | descascar | 1 (ilimitado) | 934072079127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 650 V | 1.7 v @ 4 a | 0 ns | 170 µA @ 650 V | 175 ° C (Máximo) | 4A | 130pf @ 1V, 1 MHz | ||||
![]() | BYC10-600CT, 127 | 0.5280 | ![]() | 1616 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Byc10 | Estándar | Un 220b | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 600 V | 10A | 2.9 v @ 5 a | 50 ns | 100 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | ||||
![]() | BYC100W-1200PQ | 4.3904 | ![]() | 2829 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | EEPP ™ | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | To-247-2 | BYC100 | Estándar | To-247-2 | descascar | No Aplicable | 934072041127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 450 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1200 V | 3.3 V @ 100 A | 90 ns | 250 µA @ 1200 V | 175 ° C (Máximo) | 100A | - | ||||
![]() | NXPSC20650W6Q | 8.6300 | ![]() | 707 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | NXPSC | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO-247-3 | descascar | 1 (ilimitado) | 934072090127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 240 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1 par Cátodo Común | 650 V | 20A | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 250 µA @ 650 V | 175 ° C (Máximo) | ||||
![]() | WNSC2D20650CWQ | 5.1300 | ![]() | 480 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | TO-247-3 | WNSC2 | Sic (CARBURO DE SILICIO) SCHOTTKY | TO-247-3 | descascar | 1 (ilimitado) | 1740-WNSC2D20650CWQ | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | Sin tiempo de recuperación> 500MA (io) | 1 par Cátodo Común | 650 V | 20A | 1.7 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA @ 650 V | 175 ° C | ||||
![]() | BYC5-600,127 | 0.8700 | ![]() | 17 | 0.00000000 | Semiconductorores de ween | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | Byc5 | Estándar | TO20AC | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 500 V | 2.9 v @ 5 a | 50 ns | 100 µA @ 600 V | 150 ° C (Máximo) | 5A | - |
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