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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de funciones	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
VS-6EWX06FNTRRHM3	1.0025	RFQ	5348	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	6EWX06	Estándar		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS6EWX06FNTRRHM3	EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		3.1 v @ 6 a	21 ns	20 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	6A	-
VS-6TQ040STRPBF	-	RFQ	1718	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	6TQ040	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS6TQ040StrrPBF	EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		600 MV @ 6 A		800 µA @ 40 V	-55 ° C ~ 175 ° C	6A	400pf @ 5V, 1MHz
VS-8CWH02FNTRL-M3	0.4576	RFQ	2454	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	8CWH02	Estándar		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS8CWH02FNTRLM3	EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	4A	950 MV @ 4 A	27 ns	4 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C
VS-8EWS16STRPBF	-	RFQ	7607	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	8ews16	Estándar		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Vs8ews16strpbf	EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1600 V		1.1 v @ 8 a		50 µA @ 1600 V	-40 ° C ~ 150 ° C	8A	-
VS-STPS1045BTRL-M3	0.4613	RFQ	5817	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	STPS1045	Schottky		D-Pak (TO-252AA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSSTPS1045BTRLM3	EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		630 MV @ 10 A		200 µA @ 45 V	-40 ° C ~ 175 ° C	10A	760pf @ 5V, 1MHz
VS-STPS20L15GTRLP	-	RFQ	9468	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	STPS20	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VSSTPS20L15GTRLP	EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		15 V		520 MV @ 40 A		10 Ma @ 15 V	-55 ° C ~ 125 ° C	20A	2000pf @ 5V, 1MHz
Z4KE130A-E3/54	0.1635	RFQ	2950	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	Z4ke130		1.5 W	DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Z4KE130AE354	EAR99	8541.10.0050	5.500					1 V @ 500 Ma		500 na @ 99.2 V				130 V	800 ohmios
ZM4745A-GS18	0.3900	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	ZM4745		1 W	DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000							5 µA @ 12.2 V				16 V	16 ohmios
ZM4750A-GS18	0.3900	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	ZM4750		1 W	DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000							5 µA @ 20.6 V				27 V	35 ohmios
ZM4753A-GS18	0.3900	RFQ	9	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	ZM4753		1 W	DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	5,000							5 µA @ 27.4 V				36 V	50 ohmios
VS-85HFLR10S02M	22.8236	RFQ	8537	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	85HFLR10	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS85HFLR10S02M	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.75 V @ 267 A	120 ns		-40 ° C ~ 125 ° C	85a	-
VS-88HF80	12.0800	RFQ	80	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	88HF80	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.2 V @ 267 A			-65 ° C ~ 180 ° C	85a	-
VS-95PF160	11.3300	RFQ	2868	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	95pf160	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1600 V		1.4 V @ 267 A			-55 ° C ~ 180 ° C	95a	-
VS-95PFR160	6.7132	RFQ	1830	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	95PFR160	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS95PFR160	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1600 V		1.4 V @ 267 A			-55 ° C ~ 180 ° C	95a	-
VS-95PFR80	6.4340	RFQ	9197	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	95pFr80	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS95PFR80	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.4 V @ 267 A			-55 ° C ~ 180 ° C	95a	-
VS-70HFR40M	17.0803	RFQ	4572	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	70HFR40	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS70HFR40M	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.35 V @ 220 A			-65 ° C ~ 180 ° C	70a	-
VS-72HFR120	11.8100	RFQ	6804	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	72HFR120	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.35 V @ 220 A			-65 ° C ~ 180 ° C	70a	-
VS-80PF40W	4.7892	RFQ	1583	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	80pf40	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS80PF40W	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.4 V @ 220 A			-55 ° C ~ 180 ° C	80A	-
VS-80PFR120W	4.9319	RFQ	5313	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	80pFr120	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS80PFR120W	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.4 V @ 220 A			-55 ° C ~ 180 ° C	80A	-
VS-4CSH01-M3/86A	0.6000	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	4CSH01	Estándar		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	2A	950 MV @ 2 A	16 ns	2 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C
VS-6ESU06-M3/86A	0.6300	RFQ	36	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	6esu06	Estándar		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.3 V @ 6 A	58 ns	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	6A	-
VS-20MQ100HM3/5AT	0.0950	RFQ	3812	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	20MQ100	Schottky		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		910 MV @ 2 A		100 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	38pf @ 10V, 1 MHz
VS-10BQ060HM3/5BT	0.4800	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Una granela	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	10BQ060	Schottky		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		490 MV @ 1 A		100 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	80pf @ 5V, 1 MHz
VS-30BQ015HM3/9AT	0.5900	RFQ	227	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	30BQ015	Schottky		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		15 V		350 MV @ 3 A		4 Ma @ 15 V	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	1120pf @ 5V, 1 MHz
Murs260he3_a/i	0.1518	RFQ	8515	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	Murs260	Estándar		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.45 v @ 2 a	75 ns	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	2A	-
Murs360she3_a/h	0.1518	RFQ	6854	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	Murs360	Estándar		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.45 v @ 3 a	75 ns	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1.5a	-
Esh2dhe3_a/h	0.4300	RFQ	880	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	ESH2	Estándar		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		930 MV @ 2 A	25 ns	2 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	30pf @ 4V, 1 MHz
Rs2khe3_a/h	0.1650	RFQ	5046	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	Rs2k	Estándar		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.3 V @ 1.5 A	500 ns	5 µA @ 800 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	17PF @ 4V, 1MHz
Es2bhe3_a/i	0.5300	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	ES2B	Estándar		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		900 MV @ 2 A	20 ns	10 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	18pf @ 4V, 1 MHz
SS10P5HM3_A/H	0.9600	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	SS10P5	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		670 MV @ 7 A		150 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	7A	560pf @ 4V, 1MHz

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²