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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de funciones	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
AZ23C12-HE3-18	0.0436	RFQ	7196	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, AZ23	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C12		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000	1 par Ánodo Común							100 na @ 9 V				12 V	20 ohmios
HFA25TB60S	-	RFQ	4104	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Hexfred®	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	HFA25	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.7 V @ 25 A	75 ns	20 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	25A	-
MBRF2535CThe3/45	-	RFQ	4090	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	MBRF25	Schottky		ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	35 V	15A	820 MV @ 30 A		200 µA @ 35 V	-65 ° C ~ 150 ° C
VS-VSKE320-04	-	RFQ	7279	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	3-MAGN-A-PAK ™	VSKE320	Estándar		Magn-A-Pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V						320A	-
V1pm12hm3/h	0.3800	RFQ	13	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	MicroSMP	V1pm12	Schottky		MicroSMP (DO-219AD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		120 V		870 MV @ 1 A		50 µA @ 120 V	-40 ° C ~ 175 ° C	1A	100pf @ 4V, 1 MHz
BZG05B4V3-HM3-18	0.2079	RFQ	1705	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZG05B-M	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2.09%	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG05B4V3		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000						1.2 v @ 200 ma		3 µA @ 1 V				4.3 V	13 ohmios
MBRB20H100CThe3/45	-	RFQ	5166	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB20	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	10A	770 MV @ 10 A		4.5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C
Rs1g-m3/5at	0.0682	RFQ	7603	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Rs1g	Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1 MHz
VS-VSKE56/06	34.4760	RFQ	4840	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	Add-a-pak (3)	VSKE56	Estándar		Add-a-pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Vsvske5606	EAR99	8541.10.0080	10		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V				10 Ma @ 600 V	-40 ° C ~ 150 ° C	60A	-
BYT51B-TR	0.2475	RFQ	1276	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Sod-57, axial	ByT51	Avalancha		Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25,000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.1 v @ 1 a	4 µs	1 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.5a	-
VS-61CTQ045PBF	-	RFQ	7919	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	Un 220-3	61CTQ045	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	30A	610 MV @ 30 A		1 ma @ 45 V	-65 ° C ~ 175 ° C
UGB10CCT-E3/81	-	RFQ	4286	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	UGB10	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	5A	1.1 v @ 5 a	25 ns	10 µA @ 150 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-42CTQ030-M3	1.9900	RFQ	6	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-3	42CTQ030	Schottky		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	30 V	20A	570 MV @ 40 A		3 Ma @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C
40cpq080	-	RFQ	3834	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO-247-3	40cpq	Schottky		To47ac	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	80 V	20A	770 MV @ 20 A		1.25 mA @ 80 V	-55 ° C ~ 175 ° C
VS-30CTQ045Strl-M3	1.7000	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	30CTQ045	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	15A	620 MV @ 15 A		2 Ma @ 45 V	-55 ° C ~ 175 ° C
IRKC166/08	-	RFQ	4068	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	Int-a-pak (3)	Irkc166	Estándar		Módulo	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	800 V	165a			20 Ma @ 800 V
UG1C-E3/73	-	RFQ	5617	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	UG1	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		950 MV @ 1 A	25 ns	5 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	-
VS-15EVU06-M3/I	1.2200	RFQ	4	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	15Evu06	Estándar		Delgada	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.8 V @ 15 A	40 ns	20 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	15A	-
Byx85tap	0.2772	RFQ	2740	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Sod-57, axial	Byx85	Avalancha		Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25,000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1 V @ 1 A	4 µs	1 µA @ 800 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	20pf @ 4V, 1 MHz
SS33HE3/57T	-	RFQ	4185	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	Ss33	Schottky		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	850		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		500 MV @ 3 A		500 µA @ 30 V	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	-
VS-85HFR160M	20.4923	RFQ	8085	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	85HFR160	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS85HFR160M	EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1600 V		1.2 V @ 267 A			-65 ° C ~ 180 ° C	85a	-
SE20FJ-M3/I	0.0891	RFQ	4288	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-219AB	SE20	Estándar		DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10,000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.1 v @ 2 a	920 ns	5 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 175 ° C	1.7a	13PF @ 4V, 1MHz
MMBZ5243C-G3-08	-	RFQ	6502	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ5243		225 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000								500 na @ 9.9 V				13 V	13 ohmios
Byt56k-tap	0.5346	RFQ	8086	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Sod-64, axial	Byt56	Avalancha		Sod-64	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	12,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.4 v @ 3 a	100 ns	5 µA @ 800 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
VS-30CPQ080-N3	1.9171	RFQ	9975	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO-247-3	30CPQ080	Schottky		To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS30CPQ080N3	EAR99	8541.10.0080	500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	80 V	30A	1.05 V @ 30 A		550 µA @ 80 V	175 ° C (Máximo)
VS-SD453N25S20PC	-	RFQ	2640	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	B-8	SD453	Estándar		B-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		2500 V		2.2 V @ 1500 A	2 µs	50 Ma @ 2500 V	-40 ° C ~ 150 ° C	400A	-
FEPF16FT-E3/45	0.9068	RFQ	2681	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	FEPF16	Estándar		ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	300 V	8A	1.3 V @ 8 A	50 ns	10 µA @ 300 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-8ETX06SPBF	-	RFQ	6583	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Una granela	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	8etx06	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		3 V @ 8 A	17 ns	50 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	8A	-
V2pm10hm3/h	0.3500	RFQ	25	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	MicroSMP	V2PM10	Schottky		MicroSMP (DO-219AD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		830 MV @ 2 A		50 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 175 ° C	2A	150pf @ 4V, 1 MHz
MMBZ4692-E3-18	-	RFQ	4088	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ4692		350 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								10 µA @ 5.1 V				6.8 V

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²