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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de funciones	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
GF1AHE3/67A	-	RFQ	2954	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214BA	GF1	Estándar		DO-214BA (GF1)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		50 V		1.1 v @ 1 a	2 µs	5 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	-
VS-30CPQ140-N3	2.0191	RFQ	7875	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO-247-3	30CPQ140	Schottky		To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS30CPQ140N3	EAR99	8541.10.0080	500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	140 V	15A	1.19 v @ 30 a		100 µA @ 140 V	175 ° C (Máximo)
SE40PJ-M3/87A	0.2228	RFQ	7980	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	SE40	Estándar		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.05 v @ 4 a	2.2 µs	10 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2.4a	28pf @ 4V, 1MHz
1N5255C-TAP	0.0288	RFQ	9889	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Cinta y Caja (TB)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5255		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	30,000					1.1 V @ 200 Ma		100 na @ 21 V				28 V	44 ohmios
30WQ03FNTRR	-	RFQ	5498	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	30WQ03	Schottky		D-Pak (TO-252AA)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		450 MV @ 3 A		2 Ma @ 30 V	-40 ° C ~ 150 ° C	3.5a	-
TZM5229F-GS08	-	RFQ	4449	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-	175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TZM5229		500 MW	Sod-80 mínimo	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0050	2.500					1.1 V @ 200 Ma		5 µA @ 1 V				4.3 V	2000 ohmios
VS-150SQ045	-	RFQ	2963	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204ar, axial	150sq045	Schottky		Do-204ar	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)		VS150SQ045	EAR99	8541.10.0080	300	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		540 MV @ 15 A		1.75 Ma @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C	15A	900pf @ 5V, 1 MHz
VS-71HF10	6.8191	RFQ	3983	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	71HF10	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.35 V @ 220 A		15 Ma @ 100 V	-65 ° C ~ 180 ° C	70a	-
VS-MBR3035WTPBF	-	RFQ	3573	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO-247-3	MBR30	Schottky		To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	35 V	15A	760 MV @ 30 A		1 ma @ 35 V	-65 ° C ~ 150 ° C
VB30100S-M3/4W	0.8804	RFQ	7544	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VB30100	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		910 MV @ 30 A		1 ma @ 100 V	-40 ° C ~ 150 ° C	30A	-
VS-60APF02-M3	6.5711	RFQ	3805	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO-247-3	60APF02	Estándar		To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS-60APF02-M3GI	EAR99	8541.10.0080	500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.3 V @ 60 A	180 ns	100 µA @ 200 V	-40 ° C ~ 150 ° C	60A	-
TLZ4V7-GS18	0.0335	RFQ	2432	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Tlz	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TLZ4V7		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000					1.5 V @ 200 Ma						4.7 V	25 ohmios
SD103BWS-HE3-08	0.0606	RFQ	3998	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	SD103	Schottky		Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	15,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		600 MV @ 200 Ma	10 ns	5 µA @ 20 V	-55 ° C ~ 150 ° C	350 mm	50pf @ 0v, 1 MHz
VS-50PF40W	6.9500	RFQ	7015	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Montaje	Do-203ab, do-5, semental	50pf40	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.4 V @ 125 A			-55 ° C ~ 180 ° C	50A	-
EGP51F-E3/D	-	RFQ	7429	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	EGP51	Estándar		Do-201ad	descascar		No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		300 V		1.25 v @ 5 a	50 ns	5 µA @ 300 V	-65 ° C ~ 175 ° C	5A	48pf @ 4V, 1 MHz
MBRB20100CT	-	RFQ	4464	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB20	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	10A	800 MV @ 10 A		100 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 150 ° C
BZG04-120-M3-18	0.1980	RFQ	3426	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZG04-M	Tape & Reel (TR)	Activo	-	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	BZG04-120		1.25 W	DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	6,000					1.2 V @ 500 Ma		5 µA @ 120 V				150 V
MBRF30H60CT-E3/45	-	RFQ	5866	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	MBRF30	Schottky		ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	15A	680 MV @ 15 A		60 µA @ 60 V	-65 ° C ~ 175 ° C
VS-16FL40S02	5.4461	RFQ	6083	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	16fl40	Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.4 v @ 16 a	200 ns	50 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 150 ° C	16A	-
MBRB3045CTTRR	-	RFQ	1905	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB30	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	15A	600 MV @ 20 A		1 ma @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C
SS8PH10HM3/86A	-	RFQ	1068	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	SS8PH10	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		900 MV @ 8 A		2 µA @ 100 V	-55 ° C ~ 175 ° C	8A	140pf @ 4V, 1MHz
Ugb8cthe3_a/p	-	RFQ	8099	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	UGB8	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		1 v @ 8 a	30 ns	10 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C	8A	-
SS36/7T	-	RFQ	1855	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	SS36	Schottky		DO-214AB (SMC)	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	850	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		750 MV @ 3 A		500 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
1N4937GPHM3/54	-	RFQ	7060	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4937	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.2 v @ 1 a	200 ns	5 µA @ 600 V	-50 ° C ~ 150 ° C	1A	12PF @ 4V, 1MHz
Tzx22a-tap	0.0287	RFQ	6688	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZX	Cinta y Caja (TB)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	TZX22		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	30,000					1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 17 V				22 V	65 ohmios
SS16HE3_B/H	0.3800	RFQ	125	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SS16	Schottky		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		750 MV @ 1 A		200 µA @ 60 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	-
VSKDL450-25S20	-	RFQ	9119	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	3-MAGN-A-PAK ™	VSKDL450	Estándar		Magn-A-Pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	Conexión de la Serie de 1 par	2500 V	460A	2.2 V @ 1800 A	2 µs	50 Ma @ 2500 V
VS-MBRB1535CTPBF	-	RFQ	1851	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB15	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	35 V	7.5a	840 MV @ 15 A		100 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C
VS-20ETS12PBF	-	RFQ	5813	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	Un 220-2	20ets12	Estándar		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.1 V @ 20 A		100 µA @ 1200 V	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	-
Irkj56/08a	-	RFQ	6589	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	Add-a-pak (3)	Irkj56	Estándar		Add-a-pak®	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1 par Ánodo Común	800 V	60A			10 Ma @ 800 V

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²