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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de funciones | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | VS-10CTQ150-M3 | 1.1700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 10ctq150 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 150 V | 5A | 1.1 v @ 10 a | 50 µA @ 150 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | SSA23L-E3/61T | 0.4200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SSA23 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 450 MV @ 2 A | 500 µA @ 30 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | ||||||||||
RGP30GHE3/73 | - | ![]() | 7633 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | Rgp30 | Estándar | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.3 V @ 3 A | 150 ns | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||
![]() | BAV101-GS18 | 0.2100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | BAV101 | Estándar | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1 V @ 100 Ma | 50 ns | 100 na @ 100 V | 175 ° C (Máximo) | 250 Ma | 1.5pf @ 0v, 1 MHz | |||||||||
![]() | VB30M120CHM3/I | - | ![]() | 7832 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | VB30M | Schottky | Un 263ab | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 120 V | 15A | 980 MV @ 15 A | 800 µA @ 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | V20100SG-E3/4W | 1.1800 | ![]() | 815 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | V20100 | Schottky | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.07 V @ 20 A | 350 µA @ 100 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | ||||||||||
VS-6TQ035-N3 | - | ![]() | 6465 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | 6TQ035 | Schottky | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | VS6TQ035N3 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 35 V | 600 MV @ 6 A | 800 µA @ 35 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 6A | 400pf @ 5V, 1MHz | ||||||||||
![]() | SE30PAB-M3/I | 0.1155 | ![]() | 8197 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221BC, Almohadilla Expunesta de Cables Planos de Sma | SE30 | Estándar | DO-221BC (SMPA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 14,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.16 v @ 3 a | 1.3 µs | 5 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | 13PF @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | BZT55C56-GS08 | 0.0283 | ![]() | 7568 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, BZT55 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | BZT55C56 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 12,500 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 43 V | 56 V | 135 ohmios | |||||||||||
MMBZ5259C-HE3-18 | - | ![]() | 2822 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMBZ5259 | 225 MW | Sot-23-3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 100 na @ 30 V | 39 V | 80 ohmios | |||||||||||||
![]() | VS-30CTQ040HN3 | 1.1420 | ![]() | 1164 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-3 | 30CTQ040 | Schottky | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 40 V | 15A | 620 MV @ 15 A | 2 Ma @ 40 V | -55 ° C ~ 175 ° C | ||||||||||
![]() | VS-25ETS10Strl-M3 | 1.2022 | ![]() | 9850 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 25ets10 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.14 v @ 25 a | 100 µA @ 1000 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 25A | - | ||||||||||
VS-25F10 | 5.5900 | ![]() | 4484 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | DO-203AA, DO-4, semento | 25f10 | Estándar | DO-203AA (DO-4) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 1.3 V @ 78 A | 12 Ma @ 100 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 25A | - | |||||||||||
BAL99-G3-18 | 0.0306 | ![]() | 1734 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Bal99 | Estándar | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 70 V | 1.25 V @ 150 Ma | 6 ns | 2.5 µA @ 70 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 250 Ma | 1.5pf @ 0v, 1 MHz | ||||||||||
![]() | BZT03C82-TAP | 0.2640 | ![]() | 3387 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZT03 | Cinta y Caja (TB) | Activo | ± 6.1% | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Sod-57, axial | BZT03C82 | 1.3 W | Sod-57 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 25,000 | 1.2 V @ 500 Ma | 1 µA @ 62 V | 82 V | 100 ohmios | |||||||||||
![]() | 1N5624-TR | 0.9700 | ![]() | 15 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Sod-64, axial | 1N5624 | Avalancha | Sod-64 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1 v @ 3 a | 7.5 µs | 1 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 3A | 60pf @ 4V, 1MHz | |||||||||
![]() | VLZ39B-GS08 | - | ![]() | 9170 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | VLZ39 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 40 µA @ 33.6 V | 36.28 V | 85 ohmios | |||||||||||
![]() | V10PM12-M3/86A | 0.3318 | ![]() | 5584 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP®, TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | V10PM12 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 120 V | 830 MV @ 10 A | 400 µA @ 120 V | -40 ° C ~ 150 ° C | 3.9a | - | ||||||||||
![]() | SS3P3-M3/85A | 0.0934 | ![]() | 5722 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | Ss3p3 | Schottky | TO77A (SMPC) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 10,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 580 MV @ 3 A | 200 µA @ 30 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||||||||
![]() | UG2G-E3/73 | - | ![]() | 6889 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | UG2 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 950 MV @ 2 A | 25 ns | 5 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 2A | - | |||||||||
![]() | VLZ43-GS08 | - | ![]() | 3196 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, VLZ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | VLZ43 | 500 MW | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 40 µA @ 38 V | 42.5 V | 90 ohmios | |||||||||||
![]() | HFA320NJ40C | - | ![]() | 1709 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Hexfred® | Tubo | Obsoleto | Monte del Chasis | TO-244AB | HFA320 | Estándar | TO-244AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 400 V | 321a (DC) | 1.55 V @ 320 A | 140 ns | 12 µA @ 400 V | ||||||||||
![]() | RGP15DHE3/54 | - | ![]() | 5211 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Superectificador® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | RGP15 | Estándar | DO-204AC (DO-15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 4.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.3 V @ 1.5 A | 150 ns | 5 µA @ 200 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1.5a | - | |||||||||
![]() | SD101BWS-E3-18 | 0.3500 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | SD101 | Schottky | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 50 V | 950 MV @ 15 Ma | 1 ns | 200 na @ 40 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 30mera | 2.1pf @ 0V, 1MHz | |||||||||
![]() | VS-10TQ035StrrPBF | - | ![]() | 8641 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | 10TQ035 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 35 V | 570 MV @ 10 A | 2 Ma @ 35 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 10A | 900pf @ 5V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | VS-40HFR60 | 8.1300 | ![]() | 78 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Activo | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | 40HFR60 | Polaridad Inversa Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 100 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.3 V @ 125 A | 9 Ma @ 600 V | -65 ° C ~ 190 ° C | 40A | - | ||||||||||
![]() | VS-10MQ040NTRPBF | 0.6400 | ![]() | 169 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | 10MQ040 | Schottky | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 7,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 540 MV @ 1 A | 500 µA @ 40 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 1A | 38pf @ 10V, 1 MHz | ||||||||||
![]() | LS4150GS08 | 0.2000 | ![]() | 45 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Variatura Sod-80 | LS4150 | Estándar | Césped-80 cuádromal | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1 V @ 200 Ma | 4 ns | 100 na @ 50 V | 175 ° C (Máximo) | 600mA | 2.5pf @ 0V, 1 MHz | |||||||||
![]() | VS-2EYH01HM3/H | 0.4500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, ESMP® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-221AC, SMA Flat Leads | 2eyh01 | Estándar | Slimsmaw (DO-221AD) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 100 V | 930 MV @ 2 A | 28 ns | 2 µA @ 100 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | 12pf @ 200V | |||||||||
![]() | IRD3909 | - | ![]() | 4291 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Una granela | Obsoleto | Chasis, Soporte de semento | Do-203ab, do-5, semental | IRD3909 | Estándar | DO-203AB (DO-5) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRD3909 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1.8 V @ 62.8 A | 350 ns | 80 µA @ 50 V | -40 ° C ~ 125 ° C | 30A | - |
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