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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de funciones	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
1N5235C-TAP	0.0288	RFQ	9610	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Cinta y Caja (TB)	Activo	± 2%	175 ° C	A Través del Aguetero	Do-204AH, do-35, axial	1N5235		500 MW	DO-35 (DO-204AH)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	30,000					1.1 V @ 200 Ma		3 µA @ 5 V				6.8 V	5 ohmios
RGP02-20EHE3/54	-	RFQ	2321	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	RGP02	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	5.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		2000 V		1.8 V @ 100 Ma	300 ns	5 µA @ 2000 V	-65 ° C ~ 175 ° C	500mA	-
VS-MUrB1020CTLHM3	0.9293	RFQ	3483	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred PT®	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Murb1020	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	5A	990 MV @ 5 A	24 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C
SB5H100-E3/54	0.5900	RFQ	1	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	SB5H100	Schottky		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		800 MV @ 5 A		200 µA @ 100 V	175 ° C (Máximo)	5A	-
VSKDL240-14S20	-	RFQ	8912	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	3-MAGN-A-PAK ™	VSKDL240	Estándar		Magn-A-Pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	Conexión de la Serie de 1 par	1400 V	250a	1.57 V @ 800 A	2 µs	50 Ma @ 1400 V
60cpf10	-	RFQ	7946	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO-247-3	60cpf10	Estándar		To47ac	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1000 V		1.4 V @ 60 A	480 ns	100 µA @ 1000 V	-40 ° C ~ 150 ° C	60A	-
VS-SD603C16S15C	105.7600	RFQ	2086	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre			Montaje	DO-200AA, A-PUK	SD603	Estándar		B-43, hockey puk	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	12	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1600 V		2.97 V @ 1885 A	1.5 µs	45 Ma @ 1600 V		600A	-
15CTQ035S	-	RFQ	1602	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	15ctq	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*15CTQ035S	EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	35 V	7.5a	550 MV @ 7.5 A		800 µA @ 35 V	-55 ° C ~ 150 ° C
HFA25TB60	-	RFQ	3269	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Hexfred®	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2	HFA25	Estándar		TO20AC	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.7 V @ 25 A	75 ns	20 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	25A	-
MBRF1050-E3/45	-	RFQ	6139	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To20-2 paquete completo, Pestaña aislada	MBRF1050	Schottky		ITO-220AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		800 MV @ 10 A		100 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	-
VS-70HFL40S05	11.6125	RFQ	2052	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	70HFL40	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.85 V @ 219.8 A	500 ns	100 µA @ 400 V	-40 ° C ~ 125 ° C	70a	-
MCL4448-TR3	0.2200	RFQ	20	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	2-smd, sin plomo	MCL4448	Estándar		Micromo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		75 V		1 V @ 100 Ma	8 ns	5 µA @ 75 V	175 ° C (Máximo)	150 Ma	4PF @ 0V, 1MHz
VS-72HF140	11.8596	RFQ	5359	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	72HF140	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS72HF140	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1400 V		1.35 V @ 220 A			-65 ° C ~ 180 ° C	70a	-
SB260S-E3/54	0.4100	RFQ	10	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	SB260	Schottky		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		680 MV @ 2 A		500 µA @ 60 V	-65 ° C ~ 150 ° C	2A	-
SL22HE3_A/I	0.2030	RFQ	8826	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SL22	Schottky		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,200	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		20 V		395 MV @ 1 A		400 µA @ 20 V	-55 ° C ~ 125 ° C	2A	50pf @ 4V, 1 MHz
VS-2EGH02HM3/5BT	-	RFQ	5829	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	2EGH02	Estándar		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS2EGH02HM35BT	EAR99	8541.10.0080	3,200	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		900 MV @ 2 A	21 ns	2 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	2A	-
VS-30etU12-M3	2.0300	RFQ	7	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	Un 220-2	30etu12	Estándar		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1200 V		2.68 V @ 30 A	220 ns	145 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	30A	-
GSD2004WS-HE3-08	0.3300	RFQ	22	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	GSD2004	Estándar		Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	3.000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		240 V		1 V @ 100 Ma	50 ns	100 na @ 240 V	150 ° C (Máximo)	225 Ma	5PF @ 0V, 1MHz
BZX84B24-G3-18	0.0389	RFQ	4892	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX84-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	BZX84B24		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000							50 na @ 16.8 V				23.5 V	70 ohmios
VS-6ESU06-M3/87A	0.2688	RFQ	5882	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	6esu06	Estándar		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	6,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.3 V @ 6 A	58 ns	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	6A	-
MPG06K-E3/53	0.1487	RFQ	8693	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Mpg06, axial	Mpg06	Estándar		Mpg06	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		800 V		1.1 v @ 1 a	600 ns	5 µA @ 800 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	10pf @ 4V, 1 MHz
VS-UFB280FA20	25.1900	RFQ	237	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Activo			Monte del Chasis	SOT-227-4, Miniócrita	UFB280	Estándar		Sot-227	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	10	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	2 Independientes	200 V	175A (DC)	1.1 V @ 120 A	45 ns	50 µA @ 200 V
TVR06D-E3/73	-	RFQ	5244	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Una granela	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	TVR06	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	1	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.4 V @ 600 Ma		10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 175 ° C	600mA	15pf @ 4V, 1 MHz
GP10VE-M3/73	-	RFQ	4418	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1400 V		1.3 V @ 1 A	3 µs	5 µA @ 1400 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	5PF @ 4V, 1MHz
VS-20ETF12FPPBF	-	RFQ	6018	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	To20-2 paqueto entero	20etf12	Estándar		To20ac paqueto entero	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.31 v @ 20 a	400 ns	100 µA @ 1200 V	-40 ° C ~ 150 ° C	20A	-
VS-20CTQ040SPBF	-	RFQ	4316	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	20CTQ040	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS20CTQ040SPBF	EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	40 V	20A	760 MV @ 20 A		2 Ma @ 40 V	175 ° C (Máximo)
BZX384C62-E3-18	0.0324	RFQ	4458	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZX384	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384C62		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000							50 na @ 43.4 V				62 V	215 ohmios
VS-S1077	-	RFQ	8912	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre					S1077				-				112-VS-S1077			1
Byw52-tap	0.2376	RFQ	4539	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Sod-57, axial	Byw52	Avalancha		Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25,000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		200 V		1 V @ 1 A	4 µs	1 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	-
BZT52B13-G3-08	0.0483	RFQ	1420	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT52-G	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-65 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SOD-123	BZT52B13		410 MW	SOD-123	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000							100 na @ 10 V				13 V	25 ohmios

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²