RFQ
Proseperar
Contáctenos

Tel: +86-0755-83501315

Correo electrónico:sales@sic-components.com

Iniciar sesión

Español

Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
MBR1050-E3/45	-	RFQ	9236	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-2	MBR105	Schottky		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		50 V		800 MV @ 10 A		100 µA @ 50 V	-65 ° C ~ 150 ° C	10A	-
V8PAM10SHM3/H	0.5000	RFQ	6	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-221BC, Almohadilla Expunesta de Cables Planos de Sma		Schottky		DO-221BC (SMPA)	descascar		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		840 MV @ 8 A		180 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 175 ° C	2.8a	600pf @ 4V, 1MHz
20CJQ030TR	-	RFQ	7556	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	20CJQ	Schottky		SOT-223	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	30 V	1A	500 MV @ 1 A		100 µA @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C
SS3P6L-E3/86A	-	RFQ	4549	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-277, 3-PowerDFN	SS3P6	Schottky		TO77A (SMPC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		60 V		600 MV @ 3 A		150 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	-
VS-10ETF04S-M3	0.9923	RFQ	1835	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	10etf04	Estándar		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.2 v @ 10 a	200 ns	100 µA @ 400 V	-40 ° C ~ 150 ° C	10A	-
VS-15CTQ040-1PBF	-	RFQ	6285	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	15CTQ040	Schottky		Un 262-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS15CTQ0401PBF	EAR99	8541.10.0080	50	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	40 V	15A	700 MV @ 15 A		800 µA @ 40 V	150 ° C (Máximo)
GP10G-6295M3/73	-	RFQ	5500	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.1 v @ 1 a	3 µs	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
MMBZ4706-G3-08	-	RFQ	9756	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBZ4706		350 MW	Sot-23-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	15,000							50 na @ 14.4 V				19 V
LL42-GS18	0.0733	RFQ	4277	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	LL42	Schottky		Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		30 V		650 MV @ 50 Ma	5 ns	500 na @ 25 V	125 ° C (Máximo)	200 MMA	7pf @ 1v, 1 MHz
BZT03D18-TAP	-	RFQ	9554	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	BZT03	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto	± 6.39%	175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Sod-57, axial	BZT03		1.3 W	Sod-57	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25,000					1.2 V @ 500 Ma		1 µA @ 13 V				18 V	15 ohmios
VS-30CPF02PBF	-	RFQ	2756	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO-247-3	30CPF02	Estándar		To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		1.41 v @ 30 a	160 ns	100 µA @ 200 V	-40 ° C ~ 150 ° C	30A	-
301CNQ040	-	RFQ	4769	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	TO-244AB	301cnq	Schottky		TO-244AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*301CNQ040	EAR99	8541.10.0080	30	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	40 V	300A	900 MV @ 300 A		10 Ma @ 40 V	-55 ° C ~ 175 ° C
BAV101-GS08	0.2100	RFQ	9	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	BAV101	Estándar		Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	2.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1 V @ 100 Ma	50 ns	100 na @ 100 V	175 ° C (Máximo)	250 Ma	1.5pf @ 0v, 1 MHz
GL41T-E3/96	0.1246	RFQ	7548	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AB, MELL (Vidrio)	GL41	Estándar		DO-213AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1300 V		1.2 v @ 1 a		10 µA @ 1300 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
VS-18TQ040STRLHM3	1.1798	RFQ	8492	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	18TQ040	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	112-VS-18TQ040STRLHM3TR	EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		600 MV @ 18 A		2.5 Ma @ 40 V	-55 ° C ~ 175 ° C	18A	1400pf @ 5V, 1MHz
SMBZ5934B-E3/5B	0.4600	RFQ	9421	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMBZ5934		3 W	DO-214AA (SMBJ)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3,200					1.5 V @ 200 Ma		1 µA @ 18.2 V				24 V	19 ohmios
Esh2d-e3/52t	0.4300	RFQ	5	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	ESH2	Estándar		DO-214AA (SMB)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	750	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		200 V		930 MV @ 2 A	35 ns	2 µA @ 200 V	-55 ° C ~ 175 ° C	2A	-
8AF05RPP	-	RFQ	7695	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Chasis, Soporte de semento	B-47	8AF05	Estándar		B-47	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	*8AF05RPP	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		50 V				7 Ma @ 50 V	-65 ° C ~ 195 ° C	50A	-
SMZJ3790BHE3/5B	-	RFQ	1220	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Descontinuado en sic	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	DO-214AA, SMB	SMZJ37		1.5 W	DO-214AA (SMBJ)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	3,200							10 µA @ 8.4 V				11 V	6 ohmios
GP10T-E3/54	0.4900	RFQ	10	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	5.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1300 V		1.3 V @ 1 A	3 µs	5 µA @ 1300 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	5PF @ 4V, 1MHz
1N4002GPE-E3/91	-	RFQ	7604	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	1N4002	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2.500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.1 v @ 1 a	2 µs	5 µA @ 100 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
BYV32-200HE3/45	-	RFQ	2329	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	BYV32	Estándar		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	200 V	18A	1.15 V @ 20 A	25 ns	10 µA @ 200 V	-65 ° C ~ 150 ° C
SS33-M3/9AT	0.2030	RFQ	1900	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	Ss33	Schottky		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		500 MV @ 3 A		500 µA @ 30 V	-55 ° C ~ 125 ° C	3A	-
VB10150C-E3/8W	0.5950	RFQ	1949	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	VB10150	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	150 V	5A	1.41 v @ 5 a		100 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C
S1A-M3/5AT	0.0508	RFQ	1050	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	S1a	Estándar		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500	RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		50 V		1.1 v @ 1 a	1.8 µs	1 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	12PF @ 4V, 1MHz
V20pwm10chm3/i	1.1500	RFQ	13	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®, TMBS®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	V20PWM10	Schottky		Delgada	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	100 V	10A	820 MV @ 10 A		150 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 175 ° C
VS-70HFLR60S02M	18.0734	RFQ	6494	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	70HFLR60	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	VS70HFLR60S02M	EAR99	8541.10.0080	100	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.85 V @ 219.8 A	200 ns		-40 ° C ~ 125 ° C	70a	-
BAS86-GS18	0.4100	RFQ	9	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	BAS86	Schottky		Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000	Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad		50 V		900 MV @ 100 Ma	5 ns	5 µA @ 40 V	125 ° C (Máximo)	200 MMA	8pf @ 1v, 1 MHz
UG2C-E3/73	-	RFQ	1477	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta y Caja (TB)	Activo			A Través del Aguetero	Do-204AC, do-15, axial	UG2	Estándar		DO-204AC (DO-15)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2,000	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		950 MV @ 2 A	25 ns	5 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	-
MUR440-E3/54	0.8900	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	Mur440	Estándar		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400	RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.28 v @ 4 a	75 ns	10 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	4A	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²