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Diodos (29505)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Tolerancia	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Velocidad	Configuración de diodos	Voltaje - DC Reverse (VR) (Max)	Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo)	Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	Actual: Fuga Inversa @ VR	Temperatura de FuncionAmiento - Unión	Real - Promedio Rectificado (IO)	Capacitchancia @ vr, f	Voltaje - Zener (nom) (Vz)	Impedancia (Max) (ZZT)
AZ23C12-HE3-18	0.0436	RFQ	7196	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, AZ23	Tape & Reel (TR)	La Última Vez Que Compre	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	AZ23C12		300 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000	1 par Ánodo Común							100 na @ 9 V				12 V	20 ohmios
S3A-M3/9AT	0.1549	RFQ	1004	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	S3a	Estándar		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3,500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		50 V		1.15 V @ 2.5 A	2.5 µs	10 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	16PF @ 4V, 1MHz
VSKE320-20	-	RFQ	2310	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	3-MAGN-A-PAK ™	VSKE320	Estándar		Magn-A-Pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		2000 V				50 Ma @ 2000 V		320A	-
Byg10j-m3/tr3	0.1485	RFQ	9166	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	Byg10	Avalancha		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.15 V @ 1.5 A	4 µs	1 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	-
ESH3CHE3/57T	-	RFQ	4194	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotriz, AEC-Q101	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO-214AB, SMC	ESH3	Estándar		DO-214AB (SMC)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	850		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		150 V		900 MV @ 3 A	40 ns	5 µA @ 150 V	-55 ° C ~ 175 ° C	3A	-
VS-60HFU-600	-	RFQ	5624	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	60hfu	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.3 V @ 60 A	80 ns	50 µA @ 600 V	-40 ° C ~ 125 ° C	60A	-
VS-8ETL06PBF	-	RFQ	1929	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Fred PT®	Tubo	Descontinuado en sic			A Través del Aguetero	Un 220-2	8etl06	Estándar		TO20AC	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.05 v @ 8 a	250 ns	5 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 175 ° C	8A	-
SS1P3LHE3/84A	-	RFQ	4184	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q100, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	DO220AA	SS1P3	Schottky		DO-220AA (SMP)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		30 V		450 MV @ 1 A		200 µA @ 30 V	-55 ° C ~ 150 ° C	1.5a	-
V2pm10hm3/h	0.3500	RFQ	25	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, ESMP®	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	MicroSMP	V2PM10	Schottky		MicroSMP (DO-219AD)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	4.500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		830 MV @ 2 A		50 µA @ 100 V	-40 ° C ~ 175 ° C	2A	150pf @ 4V, 1 MHz
BZD27C20P-HE3-18	0.1536	RFQ	6702	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZD27C	Tape & Reel (TR)	Activo	-	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-219AB	BZD27		800 MW	DO-219AB (SMF)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	50,000						1.2 v @ 200 ma		1 µA @ 15 V				20 V	15 ohmios
BYT28F-400-E3/45	-	RFQ	9712	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA	ByT28	Estándar		ITO-220AB	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	400 V	5A	1.3 V @ 5 A	50 ns	10 µA @ 400 V	-40 ° C ~ 150 ° C
VS-12FLR60S02	5.6976	RFQ	5780	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	DO-203AA, DO-4, semento	12FLR60	Polaridad Inversa Estándar		DO-203AA (DO-4)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.4 v @ 12 a	200 ns	50 µA @ 600 V	-65 ° C ~ 150 ° C	12A	-
FEP6AT-E3/45	-	RFQ	2335	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			A Través del Aguetero	Un 220-3	Fep6	Estándar		Un 220-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	50 V	6A	975 MV @ 3 A	35 ns	5 µA @ 50 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VSKJ320-04	-	RFQ	9479	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	3-MAGN-A-PAK ™	VSKJ320	Estándar		Magn-A-Pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	1 par Ánodo Común	400 V	320A			50 mA @ 400 V
UF5404/54	-	RFQ	1183	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	UF5404	Estándar		Do-201ad	-	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1.400		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		400 V		1 v @ 3 a	50 ns	10 µA @ 400 V	-55 ° C ~ 150 ° C	3A	45pf @ 4V, 1MHz
GP10GE-6329M3/73	-	RFQ	3396	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Superectificador®	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto			A Través del Aguetero	Do-204al, do-41, axial	GP10	Estándar		DO-204Al (DO-41)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	3.000		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		400 V		1.1 v @ 1 a	3 µs	5 µA @ 400 V	-65 ° C ~ 175 ° C	1A	8PF @ 4V, 1MHz
SS14-M3/5AT	0.4500	RFQ	3	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	DO-214AC, SMA	SS14	Schottky		DO-214AC (SMA)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	7,500		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		500 MV @ 1 A		200 µA @ 40 V	-65 ° C ~ 150 ° C	1A	-
BAV19WS-E3-18	0.3000	RFQ	2	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Activo			Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BAV19	Estándar		Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0070	10,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		100 V		1.25 V @ 200 Ma	50 ns	100 na @ 100 V	150 ° C (Máximo)	250 Ma	1.5pf @ 0v, 1 MHz
VS-70HF120	14.4500	RFQ	4404	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Chasis, Soporte de semento	Do-203ab, do-5, semental	70HF120	Estándar		DO-203AB (DO-5)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	100		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		1200 V		1.35 V @ 220 A		9 Ma @ 1200 V	-65 ° C ~ 150 ° C	70a	-
VS-SD203N25S20PC	119.8250	RFQ	2557	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	La Última Vez Que Compre			Montaje	DO-205AB, DO-9, Semento	SD203	Estándar		DO-205AB (DO-9)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	12		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		2500 V		1.65 V @ 628 A	2 µs	35 Ma @ 2500 V	-40 ° C ~ 125 ° C	200a	-
30ctq060strr	-	RFQ	2603	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	30ctq	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	800		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	60 V	15A	620 MV @ 15 A		800 µA @ 60 V	-55 ° C ~ 150 ° C
VS-VSKE56/06	34.4760	RFQ	4840	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Activo			Monte del Chasis	Add-a-pak (3)	VSKE56	Estándar		Add-a-pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	Vsvske5606	EAR99	8541.10.0080	10		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)		600 V				10 Ma @ 600 V	-40 ° C ~ 150 ° C	60A	-
UGB12JT-E3/45	-	RFQ	7879	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Obsoleto			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	UGB12	Estándar		To-263ab (d²pak)	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.10.0080	1		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		600 V		1.75 V @ 12 A	50 ns	30 µA @ 600 V	-55 ° C ~ 150 ° C
1N5822-E3/73	0.4400	RFQ	7	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Cinta de Corte (CT)	Activo			A Través del Aguetero	Do-201ad, axial	1N5822	Schottky		Do-201ad	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	1,000		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		40 V		525 MV @ 3 A		2 Ma @ 40 V	-65 ° C ~ 125 ° C	3A	-
VS-12TQ045SPBF	-	RFQ	2095	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	12TQ045	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		45 V		560 MV @ 15 A		1.75 Ma @ 45 V	-55 ° C ~ 150 ° C	15A	900pf @ 5V, 1 MHz
VSKD270-12	-	RFQ	6658	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Una granela	Obsoleto			Monte del Chasis	3-MAGN-A-PAK ™	VSKD270	Estándar		Magn-A-Pak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	2		RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO)	Conexión de la Serie de 1 par	1200 V	270a			50 Ma @ 1200 V
VS-MBRB1545CTPBF	-	RFQ	3652	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	-	Tubo	Descontinuado en sic			Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	MBRB15	Schottky		To-263ab (d²pak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	50		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)	1 par Cátodo Común	45 V	7.5a	840 MV @ 7.5 A		100 µA @ 45 V	-65 ° C ~ 150 ° C
BZX384B7V5-HE3-18	0.0378	RFQ	7654	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, BZX384	Tape & Reel (TR)	Activo	± 2%	-55 ° C ~ 150 ° C	Montaje en superficie	SC-76, SOD-323	BZX384B7V5		200 MW	Sod-323	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	10,000								1 µA @ 1 V				7.5 V	15 ohmios
TZMC43-GS08	0.2300	RFQ	428	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Automotive, AEC-Q101, TZM	Tape & Reel (TR)	Activo	± 5%	-65 ° C ~ 175 ° C	Montaje en superficie	DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80	TZMC43		500 MW	Sod-80 mínimo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0050	2.500						1.5 V @ 200 Ma		100 na @ 33 V				43 V	90 ohmios
VS-HFA30PB120PBF	-	RFQ	6705	Vishay General Semiconductor - División de Diodos	Hexfred®	Una granela	Obsoleto			A Través del Aguetero	To-247-2	HFA30	Estándar		To47ac modificado	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.10.0080	25		RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO)		1200 V		4.1 V @ 30 A	170 ns	40 µA @ 1200 V	-55 ° C ~ 150 ° C	30A	-

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Diodos (29505)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²