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Diodos (166326)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 1N5245B-TR | 0.2300 |  | 46 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | - | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5245 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 11 V | 15 V | 16 ohmios | |||||||||||||
| 1N5246B-TR | 0.2300 | | 66 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | - | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 1N5246 | 500 MW | DO-35 (DO-204AH) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 100 na @ 12 V | 16 V | 17 ohmios | |||||||||||||
 | VT2045BP-M3/4W | 1.3300 | | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tubo | Activo | A Través del Aguetero | Un 220-2 | VT2045 | Schottky | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 660 MV @ 20 A | 2 Ma @ 45 V | 200 ° C (Max) | 20A | - | ||||||||||||
 | VBT3045BP-E3/8W | 1.4200 | | 4 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | TMBS® | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | VBT3045 | Schottky | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 700 MV @ 30 A | 2 Ma @ 45 V | 200 ° C (Max) | 30A | - | ||||||||||||
 | BYV98-200-TR | 1.2600 | | 11 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Sod-64, axial | BYV98 | Avalancha | Sod-64 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.1 v @ 5 a | 35 ns | 10 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 4A | - | |||||||||||
 | BZD27C15P-E3-08 | 0.5300 | | 8 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzd27c | Tape & Reel (TR) | Activo | - | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | DO-219AB | BZD27 | 800 MW | DO-219AB (SMF) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1.2 v @ 200 ma | 1 µA @ 11 V | 15 V | 10 ohmios | |||||||||||||
 | BZG03C10TR | - | | 6039 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Bzg03c | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 6% | - | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG03 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 V @ 500 Ma | 10 µA @ 7.5 V | 10 V | 4 ohmios | |||||||||||||
| BZG05C4V7TR | - | | 1748 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | ± 6% | - | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | BZG05 | 1.25 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 3 µA @ 1 V | 4.7 V | 13 ohmios | |||||||||||||
 | BZX84C5V1-E3-08 | 0.2300 | | 57 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | BZX84 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5.88% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84C5V1 | 300 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 2 µA @ 2 V | 5.1 V | 60 ohmios | ||||||||||||||
 | MMSZ4695-E3-08 | 0.2700 | | 14 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ4695 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 1 µA @ 6.6 V | 8.7 V | |||||||||||||||
| MMSZ5248B-E3-08 | 0.2700 | | 7896 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | MMSZ5248 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 100 na @ 14 V | 18 V | 21 ohmios | ||||||||||||||
| SML4742A-E3/61 | 0.5000 | | 120 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SML4742 | 1 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 5 µA @ 9.1 V | 12 V | 9 ohmios | ||||||||||||||
| SML4744A-E3/61 | 0.5000 | | 52 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | SML4744 | 1 W | DO-214AC (SMA) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.800 | 5 µA @ 11.4 V | 15 V | 14 ohmios | ||||||||||||||
 | TZM5236B-GS08 | 0.2300 | | 9 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TZM5236 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 6 V | 7.5 V | 6 ohmios | |||||||||||||
| TZM5240B-GS08 | 0.2300 | | 33 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | TZM5240 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.1 V @ 200 Ma | 3 µA @ 8 V | 10 V | 17 ohmios | |||||||||||||
| TZMC5V6-GS08 | 0.2300 | | 86 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotive, AEC-Q101, TZM | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | Tzmc5v6 | 500 MW | Sod-80 mínimo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 200 Ma | 100 na @ 1 V | 5.6 V | 40 ohmios | |||||||||||||
 | ZM4733A-GS18 | 0.3900 | | 103 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | ZM4733 | 1 W | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 10 µA @ 1 V | 5.1 V | 7 ohmios | ||||||||||||||
| ZM4734A-GS08 | 0.3900 | | 750 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | - | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | ZM4734 | 1 W | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 10 µA @ 2 V | 5.6 V | 5 ohmios | ||||||||||||||
| ZM4735A-GS08 | 0.3900 | | 17 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | ZM4735 | 1 W | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 10 µA @ 3 V | 6.2 V | 2 ohmios | ||||||||||||||
| ZM4742A-GS08 | 0.3900 | | 6 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | ZM4742 | 1 W | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 5 µA @ 9.1 V | 12 V | 9 ohmios | ||||||||||||||
| ZM4744A-GS08 | 0.3900 | | 24 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | 175 ° C | Montaje en superficie | DO-213AB, MELL (Vidrio) | ZM4744 | 1 W | DO-213AB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 5 µA @ 11.4 V | 15 V | 14 ohmios | ||||||||||||||
 | FST16090 | - | | 1576 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | Montaje de Tornillo | To-249aa | Schottky | To-249 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 90 V | 80A | 960 MV @ 80 A | 2 Ma @ 90 V | |||||||||||||||
 | MSDM200-16 | - | | 8372 | 0.00000000 | Corpacia microsemi | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Monte del Chasis | M3-1 | Estándar | M3-1 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.45 V @ 200 A | 500 µA @ 1600 V | 200 A | Fase triple | 1.6 kV | |||||||||||||||
 | Mdb10s | 0.4600 | | 152 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | MDB10 | Estándar | 4 Microdip/SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.1 v @ 1 a | 10 µA @ 1000 V | 1 A | Fase única | 1 kV | |||||||||||||
 | Mdb6s | 0.4600 | | 5811 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | MDB6 | Estándar | 4 Microdip/SMD | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 1.1 v @ 1 a | 10 µA @ 600 V | 1 A | Fase única | 600 V | |||||||||||||
 | SB580E-G | 0.3424 | | 7236 | 0.00000000 | Tecnología de Collip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | A Través del Aguetero | Do-201ad, axial | SB580 | Schottky | Do-201ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Sb580et-G | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 80 V | 850 MV @ 5 A | 500 µA @ 80 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 5A | 500pf @ 4V, 1MHz | |||||||||||
 | TB2S-G | - | | 4857 | 0.00000000 | Tecnología de Collip | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-SMD, Ala de Gaviota | Estándar | Cucharadita | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | 950 MV @ 400 Ma | 10 µA @ 200 V | 800 Ma | Fase única | 200 V | |||||||||||||||
 | SR20200-G | - | | 8893 | 0.00000000 | Tecnología de Collip | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SR2020 | Schottky | ITO-220AB | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 par Cátodo Común | 200 V | 10A | 950 MV @ 10 A | 500 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 150 ° C | |||||||||||||
| UF3001-G | 0.1615 | | 1009 | 0.00000000 | Tecnología de Collip | - | Una granela | Activo | A Través del Aguetero | DO-201AA, DO-27, AXIAL | UF3001 | Estándar | DO-27 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.200 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 50 V | 1 v @ 3 a | 50 ns | 5 µA @ 50 V | -55 ° C ~ 125 ° C | 3A | 50pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
| CZRER52C20-HF | - | | 3571 | 0.00000000 | Tecnología de Collip | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | 0503 (1308 Métrica) | 150 MW | 0503 (1308 Métrica) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 15 V | 20 V | 50 ohmios |
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