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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Velocidad | Configuración de diodos | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Corriente - Promedio Rectificado (IO) (Por Diodo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | RJU3052SDPD-E0#J2 | - | ![]() | 8334 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Estándar | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 360 V | 1.7 V @ 20 A | 50 ns | 1 µA @ 360 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 20A | - | ||||||||||||
![]() | RJU4351TDPP-EJ#T2 | - | ![]() | 4017 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | To20-2 paqueto entero | Estándar | Un 220FP-2L | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 430 V | 1.9 v @ 10 a | 25 ns | 1 µA @ 430 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | ||||||||||||
![]() | MBR2X050A200 | 43.6545 | ![]() | 4119 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | MBR2X050 | Schottky | Sot-227 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1242-1299 | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 200 V | 100A | 920 MV @ 50 A | 3 Ma @ 200 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | MBR2X060A045 | 52.2000 | ![]() | 1523 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | MBR2X060 | Schottky | Sot-227 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1242-1300 | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 45 V | 120a | 700 MV @ 60 A | 1 ma @ 45 V | -40 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | MUR2X100A04 | 52.2000 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | SOT-227-4, Miniócrita | MUR2X100 | Estándar | Sot-227 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1242-1313 | EAR99 | 8541.10.0080 | 52 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 2 Independientes | 400 V | 100A | 1.3 V @ 100 A | 90 ns | 25 µA @ 400 V | -55 ° C ~ 175 ° C | |||||||||||
![]() | GBPC2506W | 4.2000 | ![]() | 8886 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, GBPC-W | GBPC2506 | Estándar | GBPC-W | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1242-1291 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 12.5 A | 5 µA @ 600 V | 25 A | Fase única | 600 V | |||||||||||||
![]() | GBPC2508W | 4.2000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Semiconductor genesico | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, GBPC-W | GBPC2508 | Estándar | GBPC-W | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 1242-1292 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 1.2 A | 5 µA @ 800 V | 25 A | Fase única | 800 V | |||||||||||||
![]() | MM3Z2V7ST1G | 0.2300 | ![]() | 14 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 2% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | Mm3z2 | 300 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 50 µA @ 1 V | 2.7 V | 100 ohmios | |||||||||||||
Ns8jthe3_a/p | - | ![]() | 6337 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | Un 220-2 | NS8 | Estándar | TO20AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 8 a | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | 55pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||
![]() | Nsb8jthe3_b/p | 0.6930 | ![]() | 5333 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Activo | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | NSB8 | Estándar | To-263ab (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 8 a | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | 55pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | Nsf8jthe3_b/p | - | ![]() | 9385 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tubo | Obsoleto | A Través del Aguetero | To20-2 paquete completo, Pestaña aislada | NSF8 | Estándar | ITO-220AC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 600 V | 1.1 v @ 8 a | 10 µA @ 600 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | 55pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||
![]() | CMR3-04 TR13 PBFree | 0.6100 | ![]() | 358 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AB, SMC | CMR3-04 | Estándar | SMC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.2 v @ 3 a | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 3A | - | ||||||||||||
CMZ5924B TR13 PBFree | 0.8600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | CMZ5924 | 1.5 W | SMA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 5 µA @ 7 V | 9.1 V | 4 ohmios | ||||||||||||||
CMZ5928B TR13 PBFree | 0.8600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | CMZ5928 | 500 MW | SMA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 9.9 V | 13 V | 7 ohmios | ||||||||||||||
CMZ5942B TR13 PBFree | 0.8600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | CMZ5942 | 500 MW | SMA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 38.8 V | 51 V | 70 ohmios | ||||||||||||||
![]() | CSHD6-40C TR13 PBFree | 0.8500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | CSHD6 | Schottky | Dpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 2.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 40 V | 6A | 850 MV @ 6 A | 100 µA @ 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C | ||||||||||||
![]() | FS8M | 1.1800 | ![]() | 17 | 0.00000000 | onde | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | To-277, 3-PowerDFN | FS8M | Estándar | Un 277-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1000 V | 1.1 v @ 8 a | 3.37 µs | 5 µA @ 1000 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 8A | 118pf @ 0V, 1MHz | |||||||||||
![]() | M50100DD600 | 107.6860 | ![]() | 1746 | 0.00000000 | Sensata-Crydom | - | Una granela | Activo | Monte del Chasis | Módulo | M50100 | Estándar | Módulo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | 2266-M50100DD600 | EAR99 | 8541.10.0080 | 10 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | Conexión de la Serie de 1 par | 600 V | 100A | 1.2 V @ 100 A | -40 ° C ~ 125 ° C | |||||||||||||
![]() | SB120-B | - | ![]() | 3243 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | Schottky | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 20 V | 500 MV @ 1 A | 500 µA @ 20 V | -65 ° C ~ 125 ° C | 1A | - | |||||||||||||
![]() | B481C-2T | 42.9195 | ![]() | 8363 | 0.00000000 | Sensata-Crydom | - | Una granela | No hay para Nuevos Diseños | Monte del Chasis | Módulo B48 | B481C | Estándar | Módulo | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 20 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 1 par Cátodo Común | 600 V | 35a | 1.25 V @ 35 A | -40 ° C ~ 125 ° C | ||||||||||||||
![]() | SBR10E45P5-7 | 0.6000 | ![]() | 3015 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Powerdi ™ 5 | SBR10 | Super Barrera | Powerdi ™ 5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.10.0080 | 1.500 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 45 V | 470 MV @ 10 A | 280 µA @ 45 V | -55 ° C ~ 150 ° C | 10A | - | ||||||||||||
![]() | Uh2dhe3_a/i | - | ![]() | 1608 | 0.00000000 | Vishay General Semiconductor - División de Diodos | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | UH2 | Estándar | DO-214AA (SMB) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,200 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 200 V | 1.05 v @ 2 a | 25 ns | 2 µA @ 200 V | -55 ° C ~ 175 ° C | 2A | 42pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||
![]() | CMSSH-3 TR PBFREE | 0.7000 | ![]() | 983 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | CMSSH-3 | Schottky | Sot-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 30 V | 1 V @ 100 Ma | 5 ns | 500 na @ 25 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 100mA | 7pf @ 1v, 1 MHz | |||||||||||
![]() | CMSZ5250B TR PBFREE | 0.4800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | CMSZ5250 | 275 MW | Sot-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 15 V | 20 V | 25 ohmios | |||||||||||||
![]() | CMSZ5254B TR PBFree | 0.5100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | CMSZ5254 | 275 MW | Sot-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 21 V | 27 V | 41 ohmios | |||||||||||||
![]() | CMSZ5258B TR PBFREE | 0.4800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | CMSZ5258 | 275 MW | Sot-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 27 V | 36 V | 70 ohmios | |||||||||||||
![]() | CZ5334B TR | - | ![]() | 8798 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | DO-201AA, DO-27, AXIAL | 5 W | DO-2010 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.400 | 1.2 v @ 1 a | 150 µA @ 1 V | 3.6 V | 2.5 ohmios | |||||||||||||||
![]() | CZ5348B TR PBFREE | 1.0300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | DO-201AA, DO-27, AXIAL | CZ5348 | 5 W | DO-2010 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.400 | 1.2 v @ 1 a | 5 µA @ 8.4 V | 11 V | 2.5 ohmios | |||||||||||||
![]() | CZ5350B TR PBFREE | 1.0300 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | DO-201AA, DO-27, AXIAL | CZ5350 | 5 W | DO-2010 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.400 | 1.2 v @ 1 a | 1 µA @ 9.9 V | 13 V | 2.5 ohmios | |||||||||||||
![]() | CLL4729A TR | - | ![]() | 5056 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 1 W | Asignar | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 100 µA @ 1 V | 3.6 V | 10 ohmios |
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