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| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Aporte | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Termistor NTC | Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPW65R090CFD7XKSA1 | 7.4100 |  | 6141 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CFD7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IPW65R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 25A (TC) | 10V | 90mohm @ 12.5a, 10V | 4.5V @ 630 µA | 53 NC @ 10 V | ± 20V | 2513 pf @ 400 V | - | 127W (TC) | ||||||||||||||||||
 | Bsc005n03ls5iatma1 | 2.8300 | | 313 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TDSON-8 FL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | N-canal | 30 V | 42a (TA), 433A (TC) | 4.5V, 10V | 0.55mohm @ 50A, 10V | 2V @ 10mA | 128 NC @ 10 V | ± 20V | 8000 pf @ 15 V | - | 3W (TA), 188W (TC) | |||||||||||||||||||
 | IPP65R090CFD7XKSA1 | 6.3700 | | 487 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CFD7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP65R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 V | 25A (TC) | 10V | 90mohm @ 12.5a, 10V | 4.5V @ 630 µA | 53 NC @ 10 V | ± 20V | 2513 pf @ 400 V | - | 127W (TC) | ||||||||||||||||||
| IPP65R190CFD7XKSA1 | 3.4800 | | 2629 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ CFD7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP65R | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 V | 17.5a (TC) | 10V | 190mohm @ 7.3a, 10v | 4.5V @ 700 µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 1850 pf @ 100 V | - | 151W (TC) | ||||||||||||||||||
 | IPP040N08NF2SAKMA1 | 2.4800 | | 848 | 0.00000000 | Infineon Technologies | StrongIrfet ™ 2 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP040N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 80 V | 22a (TA), 115A (TC) | 6V, 10V | 4mohm @ 80a, 10v | 3.8V @ 85 µA | 81 NC @ 10 V | ± 20V | 3800 pf @ 40 V | - | 3.8W (TA), 150W (TC) | ||||||||||||||||||
| IPP024N08NF2SAKMA1 | 2.7900 | | 388 | 0.00000000 | Infineon Technologies | StrongIrfet ™ 2 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP024N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 80 V | 28a (TA), 182a (TC) | 6V, 10V | 2.4mohm @ 100a, 10V | 3.8V @ 139 µA | 133 NC @ 10 V | ± 20V | 6200 pf @ 40 V | - | 3.8W (TA), 214W (TC) | ||||||||||||||||||
| IPP026N10NF2SAKMA1 | 5.7700 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | StrongIrfet ™ 2 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP026N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 27a (TA), 184A (TC) | 6V, 10V | 2.6mohm @ 100a, 10v | 3.8V @ 169 µA | 154 NC @ 10 V | ± 20V | 7300 pf @ 50 V | - | 3.8W (TA), 250W (TC) | ||||||||||||||||||
 | IAUS300N08S5N012TATMA1 | 8.3100 | | 6358 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Optimos ™ 5 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Módulo de 16-POWERSOP | Mosfet (Óxido de metal) | PG-HDSOP-16-2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 448-IAUS300N08S5N012TATMA1CT | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.800 | N-canal | 80 V | 300A (TJ) | 6V, 10V | 1.2mohm @ 100a, 10v | 3.8V @ 275 µA | 231 NC @ 10 V | ± 20V | 16250 pf @ 40 V | - | 375W (TC) | ||||||||||||||||||
| IPP016N08NF2SAKMA1 | 3.7600 | | 789 | 0.00000000 | Infineon Technologies | StrongIrfet ™ 2 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP016N | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 80 V | 35A (TA), 196a (TC) | 6V, 10V | 1.6mohm @ 100a, 10v | 3.8V @ 267 µA | 255 nc @ 10 V | ± 20V | 12000 pf @ 40 V | - | 3.8W (TA), 300W (TC) | ||||||||||||||||||
 | AIKW50N65RF5XKSA1 | 12.0100 | | 6493 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q101, Trenchstop ™ 5 | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | AIKW50 | Estándar | 250 W | PG-TO247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 25A, 12ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 80 A | 150 A | 2.1V @ 15V, 50A | 310 µJ (Encendido), 120 µJ (apaguado) | 109 NC | 20ns/156ns | |||||||||||||||||||
 | FS820R08A6P2LBBPSA1 | 693.0000 | | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Hybridpack ™ | Banda | Activo | 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | FS820R08 | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 6 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 820 A | - | No | ||||||||||||||||||||||||
 | IGB15N65S5ATMA1 | 2.2300 | | 1 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Activo | IGB15N65 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IPP80R900P7XKSA1 | 1.7200 | | 5174 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP80R900 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 V | 6a (TC) | 10V | 900mohm @ 2.2a, 10V | 3.5V @ 110 µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 500 V | - | 45W (TC) | ||||||||||||||||||
| IPP80R360P7XKSA1 | 2.8400 | | 21 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP80R360 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 V | 13a (TC) | 10V | 360mohm @ 5.6a, 10V | 3.5V @ 280 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 930 pf @ 500 V | - | 84W (TC) | ||||||||||||||||||
| IPP80R1K2P7XKSA1 | 1.5800 | | 6 | 0.00000000 | Infineon Technologies | CoolMos ™ P7 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IPP80R1 | Mosfet (Óxido de metal) | PG-TO20-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 V | 4.5A (TC) | 10V | 1.2ohm @ 1.7a, 10v | 3.5V @ 80 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 500 V | - | 37W (TC) | ||||||||||||||||||
 | Ddb6u30n08vrboma1 | - | | 7386 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Módulo | 83.5 W | Estándar | Módulo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 40 | Inversor trifásico con freno | - | 600 V | 26 A | 2.55V @ 15V, 20a | 1 MA | Si | 880 pf @ 25 V | ||||||||||||||||||||||
 | DF1000R17IE4DB2BOSA1 | 793.6300 | | 5324 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Primepack ™ 3 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C | Monte del Chasis | Módulo | DF1000 | 6250 W | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 | Soltero | - | 1700 V | 2.45V @ 15V, 1000A | 5 Ma | Si | 81 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||
 | 6PS04512E43G37986NOSA1 | - | | 5246 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Primestack ™ | Una granela | Obsoleto | -25 ° C ~ 55 ° C | Monte del Chasis | Módulo | 6PS04512 | Estándar | Módulo | - | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8543.70.9860 | 1 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | - | Si | |||||||||||||||||||||||||
| 6PS18012E4FG35689NWSA1 | - | | 1965 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Primestack ™ | Una granela | Obsoleto | -25 ° C ~ 55 ° C | Monte del Chasis | Módulo | 6PS18012 | Estándar | Módulo | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8543.70.9860 | 1 | Inversor trifásico | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | - | Si | |||||||||||||||||||||||||
| 6MS20017E43W37032NOSA1 | - | | 5973 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Modstack ™ HD | Una granela | Obsoleto | -25 ° C ~ 55 ° C | Monte del Chasis | Módulo | 6ms20017 | Estándar | Módulo | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8543.70.9860 | 1 | Inversor trifásico | - | 1700 V | - | Si | |||||||||||||||||||||||||
| 2PS12017E44G35911NOSA1 | - | | 3097 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Primestack ™ | Una granela | Obsoleto | -25 ° C ~ 55 ° C | Monte del Chasis | Módulo | 2PS12017 | 2160 W | Estándar | Módulo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Inversor trifásico | - | 2.45V @ 15V, 300A | Si | |||||||||||||||||||||||||
| 6ms16017p43w40383nosa1 | - | | 5357 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | -25 ° C ~ 55 ° C | Monte del Chasis | Módulo | 6ms16017 | Estándar | Módulo | descascar | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8543.70.9860 | 1 | Inversor trifásico | - | 1700 V | - | Si | |||||||||||||||||||||||||
| Ddb2u30n08vrboma1 | - | | 4367 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Módulo | Ddb2u30 | 83.5 W | Estándar | Módulo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 40 | 3 Independientes | - | 600 V | 25 A | 2.55V @ 15V, 20a | 1 MA | Si | 880 pf @ 25 V | |||||||||||||||||||||
 | FF1200R12KE3NOSA1 | - | | 2544 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Módulo | FF1200 | 5000 W | Estándar | Módulo | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 | 2 Independientes | - | 1200 V | 2.15V @ 15V, 1200A | 5 Ma | No | 86 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||||
| DF1400R12IP4DBOSA1 | 831.0100 | | 3697 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Primepack ™ 3 | Banda | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 150 ° C | Monte del Chasis | Módulo | DF1400 | 7700 W | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 | Piquero | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 1400 A | 2.1V @ 15V, 1400A | 5 Ma | Si | 82 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||
| FF1400R17IP4PBOSA1 | 895.4200 | | 3 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Primepack ™ 3 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 150 ° C | Monte del Chasis | Módulo | FF1400 | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3 | 2 Independientes | Parada de Campo de Trinchera | 1700 V | 1400 A | 2.2V @ 15V, 1400A | 5 Ma | Si | 110 NF @ 25 V | |||||||||||||||||||||
| FD1400R12IP4DBOSA1 | 831.0100 | | 8695 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Primepack ™ 3 | Banda | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 150 ° C | Monte del Chasis | Módulo | FD1400 | 7700 W | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2 | Soltero | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 1400 A | 2.1V @ 15V, 1400A | 5 Ma | Si | 82 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||
 | F4150R12KS4BOSA1 | 368.6400 | | 10 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Módulo | F4150R12 | 960 W | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Inversor trifásico | - | 1200 V | 180 A | 3.75V @ 15V, 150a | 5 Ma | Si | 10 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||
 | FF150R12KE3GHOSA1 | 126.3400 | | 10 | 0.00000000 | Infineon Technologies | hacer | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Módulo | FF150R12K | 780 W | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | Piquero | Parada de Campo de Trinchera | 1200 V | 225 A | 2.15V @ 15V, 150a | 5 Ma | No | 11 NF @ 25 V | ||||||||||||||||||||
 | FF150R17ME3GBOSA1 | 184.7820 | | 9313 | 0.00000000 | Infineon Technologies | ECONODUAL ™ 3 | Banda | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 125 ° C | Monte del Chasis | Módulo | FF150R17 | 1050 W | Estándar | Módulo | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10 | 2 Independientes | Parada de Campo de Trinchera | 1700 V | 240 A | 2.45V @ 15V, 150a | 3 MA | Si | 13.5 NF @ 25 V |
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