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Transistores (3861)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de funciones	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Freacuencia	Tecnología	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	Voltaje - PrueBa
STW27N60M2-EP	3.7900	RFQ	3184	Stmicroelectónica	Mdmesh ™ M2-EP	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Stw27		Mosfet (Óxido de metal)	TO-247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-16490-5	EAR99	8541.29.0095	30		N-canal					600 V	20A (TC)	10V	163mohm @ 10a, 10v	4.75V @ 250 µA	33 NC @ 10 V	± 25V	1320 pf @ 100 V	-	170W (TC)
STB10LN80K5	3.1600	RFQ	102	Stmicroelectónica	Mdmesh ™ k5	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Stb10		Mosfet (Óxido de metal)	D²pak (A 263)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal					800 V	8a (TC)	10V	630mohm @ 4a, 10v	5V @ 100 µA	15 NC @ 10 V	± 30V	427 pf @ 100 V	-	110W (TC)
SD2931-10W	79.6700	RFQ	8	Stmicroelectónica	-	Banda	Activo	125 V			M174	SD2931	175MHz	Mosfet	M174	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	25	N-canal		20A	250 Ma	150W	15dB											-	50 V
STH140N8F7-2	3.2800	RFQ	5646	Stmicroelectónica	Deepgate ™, Stripfet ™ VII	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	STH140		Mosfet (Óxido de metal)	H2PAK-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal					80 V	90A (TC)	10V	4mohm @ 45a, 10v	4.5V @ 250 µA	96 NC @ 10 V	± 20V	6340 pf @ 40 V	-	200W (TC)
Std19nf20	-	RFQ	1986	Stmicroelectónica	Mesh Overlay ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Std19		Mosfet (Óxido de metal)	D-Pak (A 252)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal					200 V	15A (TC)	10V	160mohm @ 7.5a, 10v	4V @ 250 µA	24 NC @ 10 V	± 20V	800 pf @ 25 V	-	90W (TC)
Std13nm60n	2.9600	RFQ	3033	Stmicroelectónica	Mdmesh ™ II	Tape & Reel (TR)	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Std13		Mosfet (Óxido de metal)	Dpak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-8773-2	EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal					600 V	11a (TC)	10V	360mohm @ 5.5a, 10V	4V @ 250 µA	30 NC @ 10 V	± 25V	790 pf @ 50 V	-	90W (TC)
STP5NK50Z	1.6100	RFQ	1	Stmicroelectónica	Supermesh ™	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	STP5NK50		Mosfet (Óxido de metal)	Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					500 V	4.4a (TC)	10V	1.5ohm @ 2.2a, 10v	4.5V @ 50 µA	28 NC @ 10 V	± 30V	535 pf @ 25 V	-	70W (TC)
PD85015-E	-	RFQ	4057	Stmicroelectónica	-	Tubo	Obsoleto	40 V			Powersso-10rf Pad, La Almohadilla Inferior Expunesta (Formados de 2 cables)	PD85015	870MHz	Ldmos	Powerso-10RF (Plomo Formado)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			5A	150 Ma	15W	16dB											-	13.6 V
STL2N80K5	1.6200	RFQ	847	Stmicroelectónica	Supermesh5 ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn	Stl2		Mosfet (Óxido de metal)	Powerflat ™ (5x6)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal					800 V	2a (TC)	10V	4.9ohm @ 1a, 10v	5V @ 100 µA	3 NC @ 10 V	± 30V	95 pf @ 100 V	-	33W (TC)
Stp19nm65n	-	RFQ	9968	Stmicroelectónica	Mdmesh ™ II	Tubo	Obsoleto		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Stp19n		Mosfet (Óxido de metal)	Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					650 V	15.5a (TC)	10V	270mohm @ 7.75a, 10v	4V @ 250 µA	55 NC @ 10 V	± 25V	1900 pf @ 50 V	-	150W (TC)
Std5n52k3	1.3400	RFQ	4319	Stmicroelectónica	SUPMESH3 ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Std5n52		Mosfet (Óxido de metal)	Dpak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-10957-2	EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal					525 V	4.4a (TC)	10V	1.5ohm @ 2.2a, 10v	4.5V @ 50 µA	17 NC @ 10 V	± 30V	545 pf @ 100 V	-	70W (TC)
STW220NF75	-	RFQ	3806	Stmicroelectónica	Stripfet ™ II	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Stw220		Mosfet (Óxido de metal)	TO-247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-4124-5	EAR99	8541.29.0095	600		N-canal					75 V	120a (TC)	10V	4.4mohm @ 60a, 10v	4V @ 250 µA	430 NC @ 10 V	± 20V	12500 pf @ 25 V	-	500W (TC)
IRF640FP	-	RFQ	5825	Stmicroelectónica	Mesh Overlay ™	Tubo	Obsoleto		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	IRF6		Mosfet (Óxido de metal)	Un 220FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal					200 V	18a (TC)	10V	180mohm @ 9a, 10v	4V @ 250 µA	72 NC @ 10 V	± 20V	1560 pf @ 25 V	-	40W (TC)
Stp11nm60nd	4.2800	RFQ	3099	Stmicroelectónica	FDMESH ™ II	Tubo	Activo		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Stp11		Mosfet (Óxido de metal)	Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-8442-5	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					600 V	10a (TC)	10V	450mohm @ 5a, 10v	5V @ 250 µA	30 NC @ 10 V	± 25V	850 pf @ 50 V	-	90W (TC)
STH270N4F3-6	-	RFQ	3045	Stmicroelectónica	Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ III	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña)	STH270		Mosfet (Óxido de metal)	H²Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal					40 V	180A (TC)	10V	1.7mohm @ 80a, 10v	4V @ 250 µA	150 NC @ 10 V	± 20V	7400 pf @ 25 V	-	300W (TC)
Std60nf3llt4	-	RFQ	1844	Stmicroelectónica	Stripfet ™ II	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Std60n		Mosfet (Óxido de metal)	Dpak	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal					30 V	60A (TC)	4.5V, 10V	9.5mohm @ 30a, 10v	1V @ 250 µA	40 NC @ 4.5 V	± 16V	2210 pf @ 25 V	-	100W (TC)
IRF540	-	RFQ	8838	Stmicroelectónica	Stripfet ™ II	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRF5		Mosfet (Óxido de metal)	Un 220	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-2758-5	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					100 V	22a (TC)	10V	77mohm @ 11a, 10v	4V @ 250 µA	41 NC @ 10 V	± 20V	870 pf @ 25 V	-	85W (TC)
STP6N65M2	1.1900	RFQ	957	Stmicroelectónica	Mdmesh ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Stp6n		Mosfet (Óxido de metal)	Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					650 V	4A (TC)	10V	1.35ohm @ 2a, 10v	4V @ 250 µA	9.8 NC @ 10 V	± 25V	226 pf @ 100 V	-	60W (TC)
STP200NF04L	-	RFQ	2123	Stmicroelectónica	Stripfet ™ II	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	STP200		Mosfet (Óxido de metal)	Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					40 V	120a (TC)	5V, 10V	3.8mohm @ 50A, 10V	4V @ 250 µA	90 NC @ 4.5 V	± 16V	6400 pf @ 25 V	-	300W (TC)
STF11N60M2-EP	1.7700	RFQ	3491	Stmicroelectónica	Mdmesh ™ M2-EP	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	STF11		Mosfet (Óxido de metal)	Un 220FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal					600 V	7.5a (TC)	10V	595mohm @ 3.75a, 10v	4.75V @ 250 µA	12.4 NC @ 10 V	± 25V	390 pf @ 100 V	-	25W (TC)
Ste140nf20d	-	RFQ	8856	Stmicroelectónica	Stripfet ™ II	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Isotop	Ste1		Mosfet (Óxido de metal)	Isotop	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10		N-canal					200 V	140A (TC)	10V	12mohm @ 70a, 10v	4V @ 250 µA	338 NC @ 10 V	± 20V	11100 pf @ 25 V	-	500W (TC)
PD84010S-E	-	RFQ	9976	Stmicroelectónica	-	Tubo	Obsoleto	40 V			Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta	PD84010	870MHz	Ldmos	Powerso-10RF (Plomo Recto)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	50			8A	300 mA	2W	16.3db											-	7.5 V
Sti6n90k5	2.4900	RFQ	135	Stmicroelectónica	Mdmesh ™ k5	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To-262-3 paquete completo, i²pak	STI6		Mosfet (Óxido de metal)	I2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-17075	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					900 V	6a (TC)	10V	1.1ohm @ 3a, 10v	5V @ 100 µA		± 30V		-	110W (TC)
Buz10	-	RFQ	2053	Stmicroelectónica	Stripfet ™	Tubo	Obsoleto		175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Buz10		Mosfet (Óxido de metal)	Un 220	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-2728-5	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					50 V	23a (TC)	10V	70mohm @ 14a, 10v	4V @ 1MA		± 20V	900 pf @ 25 V	-	75W (TC)
STF7N65M2	1.6500	RFQ	102	Stmicroelectónica	Mdmesh ™	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	STF7		Mosfet (Óxido de metal)	Un 220FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					650 V	5A (TC)	10V	1.15ohm @ 2.5a, 10v	4V @ 250 µA	9 NC @ 10 V	± 25V	270 pf @ 100 V	-	20W (TC)
STW42N60M2-EP	8.7500	RFQ	600	Stmicroelectónica	Mdmesh ™ M2-EP	Tubo	Activo		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Stw42		Mosfet (Óxido de metal)	TO-247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30		N-canal					600 V	34a (TC)	10V	87mohm @ 17a, 10v	4.75V @ 250 µA	55 NC @ 10 V	± 25V	2370 pf @ 100 V	-	250W (TC)
STB12NM50T4	4.6300	RFQ	8571	Stmicroelectónica	Mdmesh ™	Tape & Reel (TR)	Activo		-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Stb12n		Mosfet (Óxido de metal)	D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal					550 V	12a (TC)	10V	350mohm @ 6a, 10v	5V @ 50 µA	39 NC @ 10 V	± 30V	1000 pf @ 25 V	-	160W (TC)
Stuled623	-	RFQ	4951	Stmicroelectónica	-	Tubo	Activo		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA	Stuled623		Mosfet (Óxido de metal)	TO-251 (ipak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75		N-canal					620 V	3A (TC)	10V	3.6ohm @ 1.1a, 10V	4.5V @ 50 µA	15.5 NC @ 10 V	± 30V	350 pf @ 50 V	-	45W (TC)
STP2NK60Z	-	RFQ	6122	Stmicroelectónica	Supermesh ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Stp2n		Mosfet (Óxido de metal)	Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-4377-5	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					600 V	1.4a (TC)	10V	8ohm @ 700 mA, 10V	4.5V @ 50 µA	10 NC @ 10 V	± 30V	170 pf @ 25 V	-	45W (TC)
STQ33NK50ZR-AP	-	RFQ	2095	Stmicroelectónica	Supermesh ™	Cinta y Caja (TB)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales	STQ3		Mosfet (Óxido de metal)	Un 92-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal					500 V	500 mA (TC)	10V	3.3ohm @ 1.15a, 10V	4.5V @ 50 µA	15 NC @ 10 V	± 30V	280 pf @ 25 V	-	3W (TC)

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (3861)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²