SIC
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Transistores (3861)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de funciones Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
STGWA25H120DF2 STMicroelectronics Stgwa25h120df2 -
RFQ
 ECAD 9305 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stgwa25 Estándar 375 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 600V, 25A, 10ohm, 15V 303 ns Parada de Campo de Trinchera 1200 V 50 A 100 A 2.6V @ 15V, 25A 600 µJ (Encendido), 700 µJ (apaguado) 100 NC 29ns/130ns
BF259 STMicroelectronics BF259 -
RFQ
 ECAD 7249 0.00000000 Stmicroelectónica - Una granela Obsoleto 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN BF259 5 W To-39 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 500 300 V 100 mA 50NA (ICBO) NPN 1V @ 6 mm, 30 Ma 25 @ 30mA, 10V 90MHz
STGW20H65FB STMicroelectronics STGW20H65FB 2.0653
RFQ
 ECAD 4843 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo La Última Vez Que Compre -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stgw20 Estándar 168 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 20a, 10ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 650 V 40 A 80 A 2V @ 15V, 20a 77 µJ (Encendido), 170 µJ (apaguado) 120 NC 30ns/139ns
STGWA25H120F2 STMicroelectronics STGWA25H120F2 6.4400
RFQ
 ECAD 6772 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stgwa25 Estándar 375 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 600V, 25A, 10ohm, 15V Parada de Campo de Trinchera 1200 V 50 A 100 A 2.6V @ 15V, 25A 600 µJ (Encendido), 700 µJ (apaguado) 100 NC 29ns/130ns
STGB20NB37LZ STMicroelectronics Stgb20nb37lz -
RFQ
 ECAD 6857 0.00000000 Stmicroelectónica PowerMesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stgb20 Estándar 200 W D2pak descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 250v, 20a, 1kohm, 4.5V - 425 V 40 A 80 A 2V @ 4.5V, 20a 11.8MJ (apaguado) 51 NC 2.3 µs/2 µs
STF2N62K3 STMicroelectronics STF2N62K3 1.5700
RFQ
 ECAD 737 0.00000000 Stmicroelectónica SUPMESH3 ™ Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF2N62 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 620 V 2.2a (TC) 10V 3.6ohm @ 1.1a, 10V 4.5V @ 50 µA 15 NC @ 10 V ± 30V 340 pf @ 50 V - 20W (TC)
STGW20NC60V STMicroelectronics STGW20NC60V -
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 Stmicroelectónica PowerMesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stgw20 Estándar 200 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 390v, 20a, 3.3ohm, 15V - 600 V 60 A 100 A 2.5V @ 15V, 20a 220 µJ (Encendido), 330 µJ (apaguado) 100 NC 31ns/100ns
STP16NS25FP STMicroelectronics STP16NS25FP -
RFQ
 ECAD 5000 0.00000000 Stmicroelectónica Mesh Overlay ™ Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Stp16n Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 250 V 16a (TC) 10V 280mohm @ 8a, 10v 4V @ 250 µA 83 NC @ 10 V ± 20V 1270 pf @ 25 V - 40W (TC)
STW19NM50N STMicroelectronics Stw19nm50n 6.9300
RFQ
 ECAD 376 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ II Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw19 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 500 V 14a (TC) 10V 250mohm @ 7a, 10v 4V @ 250 µA 34 NC @ 10 V ± 25V 1000 pf @ 50 V - 110W (TC)
STF10LN80K5 STMicroelectronics STF10LN80K5 3.0700
RFQ
 ECAD 46 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF10 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16499-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 8a (TC) 10V 630mohm @ 4a, 10v 5V @ 100 µA 15 NC @ 10 V ± 30V 427 pf @ 100 V - 25W (TC)
STGB7NB60HDT4 STMicroelectronics Stgb7nb60hdt4 -
RFQ
 ECAD 6138 0.00000000 Stmicroelectónica PowerMesh ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stgb7 Estándar 80 W D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 480V, 7a, 10ohm, 15V 100 ns - 600 V 14 A 56 A 2.8V @ 15V, 7a 85 µJ (apaguado) 42 NC 15ns/75ns
STD95NH02LT4 STMicroelectronics Std95nh02lt4 1.3700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std95 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 24 V 80a (TC) 5V, 10V 5mohm @ 40a, 10v 1V @ 250 µA 17 NC @ 5 V ± 20V 2070 pf @ 15 V - 100W (TC)
STB12NM50T4 STMicroelectronics STB12NM50T4 4.6300
RFQ
 ECAD 8571 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb12n Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 550 V 12a (TC) 10V 350mohm @ 6a, 10v 5V @ 50 µA 39 NC @ 10 V ± 30V 1000 pf @ 25 V - 160W (TC)
STH270N4F3-6 STMicroelectronics STH270N4F3-6 -
RFQ
 ECAD 3045 0.00000000 Stmicroelectónica Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ III Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) STH270 Mosfet (Óxido de metal) H²Pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 180A (TC) 10V 1.7mohm @ 80a, 10v 4V @ 250 µA 150 NC @ 10 V ± 20V 7400 pf @ 25 V - 300W (TC)
STD60NF3LLT4 STMicroelectronics Std60nf3llt4 -
RFQ
 ECAD 1844 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ II Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std60n Mosfet (Óxido de metal) Dpak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 60A (TC) 4.5V, 10V 9.5mohm @ 30a, 10v 1V @ 250 µA 40 NC @ 4.5 V ± 16V 2210 pf @ 25 V - 100W (TC)
STI90N4F3 STMicroelectronics STI90N4F3 -
RFQ
 ECAD 3513 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ III Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA STI9 Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 80a (TC) 10V 6.5mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 54 NC @ 10 V ± 20V 2200 pf @ 25 V - 110W (TC)
STD6N95K5 STMicroelectronics Std6n95k5 2.8200
RFQ
 ECAD 2583 0.00000000 Stmicroelectónica Supermesh5 ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std6n95 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 950 V 9A (TC) 10V 1.25ohm @ 3a, 10v 5V @ 100 µA 13 NC @ 10 V ± 30V 450 pf @ 100 V - 90W (TC)
STP80NF06 STMicroelectronics STP80NF06 3.2000
RFQ
 ECAD 715 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ II Tubo Obsoleto 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP80 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 80a (TC) 10V 8mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 150 NC @ 10 V ± 20V 3850 pf @ 25 V - 300W (TC)
STD5N52K3 STMicroelectronics Std5n52k3 1.3400
RFQ
 ECAD 4319 0.00000000 Stmicroelectónica SUPMESH3 ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std5n52 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-10957-2 EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 525 V 4.4a (TC) 10V 1.5ohm @ 2.2a, 10v 4.5V @ 50 µA 17 NC @ 10 V ± 30V 545 pf @ 100 V - 70W (TC)
STD64N4F6AG STMicroelectronics Std64n4f6ag 1.1000
RFQ
 ECAD 9105 0.00000000 Stmicroelectónica Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ F6 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std64 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 54a (TC) 10V 8.2mohm @ 27a, 10v 4.5V @ 250 µA 44 NC @ 10 V ± 20V 2415 pf @ 25 V - 60W (TC)
STW220NF75 STMicroelectronics STW220NF75 -
RFQ
 ECAD 3806 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw220 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-4124-5 EAR99 8541.29.0095 600 N-canal 75 V 120a (TC) 10V 4.4mohm @ 60a, 10v 4V @ 250 µA 430 NC @ 10 V ± 20V 12500 pf @ 25 V - 500W (TC)
STW27N60M2-EP STMicroelectronics STW27N60M2-EP 3.7900
RFQ
 ECAD 3184 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ M2-EP Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw27 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16490-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 20A (TC) 10V 163mohm @ 10a, 10v 4.75V @ 250 µA 33 NC @ 10 V ± 25V 1320 pf @ 100 V - 170W (TC)
STL28N60M2 STMicroelectronics Stl28n60m2 1.8081
RFQ
 ECAD 8127 0.00000000 Stmicroelectónica * Tape & Reel (TR) Activo Stl28 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000
STW42N60M2-EP STMicroelectronics STW42N60M2-EP 8.7500
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ M2-EP Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw42 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 34a (TC) 10V 87mohm @ 17a, 10v 4.75V @ 250 µA 55 NC @ 10 V ± 25V 2370 pf @ 100 V - 250W (TC)
STL50DN6F7 STMicroelectronics Stl50dn6f7 1.6900
RFQ
 ECAD 6270 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl50 Mosfet (Óxido de metal) 62.5w Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 60V 57a (TC) 11mohm @ 7.5a, 10v 4V @ 250 µA 17NC @ 10V 1035pf @ 30V -
STF40N20 STMicroelectronics STF40N20 -
RFQ
 ECAD 2516 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Stf40n Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-5006-5 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 200 V 40A (TC) 10V 45mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 75 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 25 V - 40W (TC)
STD50NH02L-1 STMicroelectronics STD50NH02L-1 -
RFQ
 ECAD 4583 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ III Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Std50n Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 24 V 50A (TC) 5V, 10V 10.5mohm @ 25A, 10V 1.8V @ 250 µA 24 NC @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 25 V - 60W (TC)
STFI14N80K5 STMicroelectronics STFI14N80K5 -
RFQ
 ECAD 7419 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ k5 Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-262-3 paquete completo, i²pak Stfi14n Mosfet (Óxido de metal) I2pakfp (un 281) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 800 V 12a (TC) 10V 445mohm @ 6a, 10v 5V @ 100 µA 22 NC @ 10 V ± 30V 620 pf @ 100 V - 30W (TC)
IRF540 STMicroelectronics IRF540 -
RFQ
 ECAD 8838 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRF5 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-2758-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 22a (TC) 10V 77mohm @ 11a, 10v 4V @ 250 µA 41 NC @ 10 V ± 20V 870 pf @ 25 V - 85W (TC)
STP6N65M2 STMicroelectronics STP6N65M2 1.1900
RFQ
 ECAD 957 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp6n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 4A (TC) 10V 1.35ohm @ 2a, 10v 4V @ 250 µA 9.8 NC @ 10 V ± 25V 226 pf @ 100 V - 60W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

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    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

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