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Transistores (3861)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Calificación real (AMP)	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	Voltaje - PrueBa
Stw74nf30	3.4335	RFQ	9069	Stmicroelectónica	Stripfet ™	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Stw74		Mosfet (Óxido de metal)		TO-247-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	600		N-canal					300 V	60A (TC)	10V	45mohm @ 30a, 10v	4V @ 250 µA	164 NC @ 10 V	± 20V	5930 pf @ 25 V	-	320W (TC)
STF13N65M2	2.0400	RFQ	866	Stmicroelectónica	Mdmesh ™ m2	Tubo	Activo		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	STF13		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					650 V	10a (TC)	10V	430mohm @ 5a, 10v	4V @ 250 µA	17 NC @ 10 V	± 25V	590 pf @ 100 V	-	25W (TC)
Stl11n65m2	-	RFQ	2025	Stmicroelectónica	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TA)	Montaje en superficie	-	Stl11		Mosfet (Óxido de metal)		-	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal					650 V	7a (TC)	10V	670mohm @ 3.5a, 10V	4V @ 250 µA	12.4 NC @ 10 V	± 25V	410 pf @ 100 V	-	85W (TC)
Sty145n65m5	45.2700	RFQ	474	Stmicroelectónica	Mdmesh ™ v	Tubo	Activo		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Sty145		Mosfet (Óxido de metal)		Max247 ™	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-13638-5	EAR99	8541.29.0095	30		N-canal					650 V	138a (TC)	10V	15mohm @ 69a, 10v	5V @ 250 µA	414 NC @ 10 V	± 25V	18500 pf @ 100 V	-	625W (TC)
STD1NK80Z-1	-	RFQ	5882	Stmicroelectónica	Supermesh ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA	Std1nk80		Mosfet (Óxido de metal)		TO-251 (ipak)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75		N-canal					800 V	1A (TC)	10V	16ohm @ 500 mA, 10V	4.5V @ 50 µA	7.7 NC @ 10 V	± 30V	160 pf @ 25 V	-	45W (TC)
STB150NF04	3.6200	RFQ	1	Stmicroelectónica	Stripfet ™ II	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Stb150n		Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal					40 V	80a (TC)	10V	7mohm @ 40a, 10v	4V @ 250 µA	150 NC @ 10 V	± 20V	3650 pf @ 25 V	-	300W (TC)
Stu2nk100z	3.3600	RFQ	5444	Stmicroelectónica	Supermesh ™	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA	Stu2nk100		Mosfet (Óxido de metal)		I-pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75		N-canal					1000 V	1.85a (TC)	10V	8.5ohm @ 900 mA, 10V	4.5V @ 50 µA	16 NC @ 10 V	± 30V	499 pf @ 25 V	-	70W (TC)
STP20NM60FP	6.9800	RFQ	6583	Stmicroelectónica	Mdmesh ™	Tubo	Activo		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	STP20		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					600 V	20A (TC)	10V	290mohm @ 10a, 10v	5V @ 250 µA	54 NC @ 10 V	± 30V	1500 pf @ 25 V	-	45W (TC)
Stl15dn4f5	2.9200	RFQ	1	Stmicroelectónica	Automotive, AEC-Q101, Stripfet ™ V	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn	Stl15		Mosfet (Óxido de metal)	60W	Powerflat ™ (5x6)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal N (Dual)						40V	60A		9mohm @ 7.5a, 10v	4V @ 250 µA	25nc @ 10V		1550pf @ 25V	Puerta de Nivel Lógico
Std12n50m2	1.6800	RFQ	2	Stmicroelectónica	Mdmesh ™ m2	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Std12		Mosfet (Óxido de metal)		Dpak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal					500 V	10a (TC)	10V	380mohm @ 5a, 10v	4V @ 250 µA	15 NC @ 10 V	± 30V	550 pf @ 100 V	-	85W (TC)
PD85025S-E	-	RFQ	6258	Stmicroelectónica	-	Tubo	Obsoleto	40 V			Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta	PD85025	870MHz	Ldmos		Powerso-10RF (Plomo Recto)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			7A	300 mA	10W	17.3db											-	13.6 V
Stw22n95k5	7.8400	RFQ	9036	Stmicroelectónica	Automotive, AEC-Q101, Supermesh5 ™	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Stw22		Mosfet (Óxido de metal)		TO-247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30		N-canal					950 V	17.5a (TC)	10V	330mohm @ 9a, 10v	5V @ 100 µA	48 NC @ 10 V	± 30V	1550 pf @ 100 V	-	250W (TC)
STF42N60M2-EP	7.1700	RFQ	4	Stmicroelectónica	Mdmesh ™ M2-EP	Tubo	Activo		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	STF42		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-15887-5	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					600 V	34a (TC)	10V	87mohm @ 17a, 10v	4.75V @ 250 µA	55 NC @ 10 V	± 25V	2370 pf @ 100 V	-	40W (TC)
IRFP450	-	RFQ	8508	Stmicroelectónica	PowerMesh ™ II	Tubo	Obsoleto		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	IRFP		Mosfet (Óxido de metal)		TO-247-3	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-2735-5	EAR99	8541.29.0095	30		N-canal					500 V	14a (TC)	10V	380mohm @ 7a, 10v	4V @ 250 µA	90 NC @ 10 V	± 30V	2000 pf @ 25 V	-	190W (TC)
STW33N60M6	6.4400	RFQ	4318	Stmicroelectónica	Mdmesh ™ m6	Tubo	Activo			A Través del Aguetero	TO-247-3	Stw33		Mosfet (Óxido de metal)		TO-247-3	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-18252	EAR99	8541.29.0095	600		N-canal					600 V	25A (TJ)
Std30n6lf6ag	1.2300	RFQ	2	Stmicroelectónica	Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ F6	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Std30		Mosfet (Óxido de metal)		Dpak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal					60 V	24a (TC)	4.5V, 10V	25mohm @ 12a, 10v	2.5V @ 250 µA	26 NC @ 10 V	± 20V	1320 pf @ 25 V	-	40W (TC)
STF6N65K3	2.4400	RFQ	243	Stmicroelectónica	SUPMESH3 ™	Tubo	Activo		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	STF6		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-12424	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					650 V	5.4a (TC)	10V	1.3ohm @ 2.8a, 10v	4.5V @ 50 µA	35 NC @ 10 V	± 30V	880 pf @ 50 V	-	30W (TC)
Sti14nm50n	3.0500	RFQ	757	Stmicroelectónica	Mdmesh ™ II	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	Sti14n		Mosfet (Óxido de metal)		I2pak (TO-262)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					500 V	12a (TC)	10V	320mohm @ 6a, 10v	4V @ 100 µA	27 NC @ 10 V	± 25V	816 pf @ 50 V	-	90W (TC)
STD12NF06-1	-	RFQ	7970	Stmicroelectónica	Stripfet ™ II	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA	Std12		Mosfet (Óxido de metal)		I-pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75		N-canal					60 V	12a (TC)	10V	100mohm @ 6a, 10v	4V @ 250 µA	12 NC @ 10 V	± 20V	315 pf @ 25 V	-	30W (TC)
Stac3932f	117.9750	RFQ	3544	Stmicroelectónica	-	Banda	No hay para Nuevos Diseños	250 V			Stac244f	Stac3932	123MHz	Mosfet		Stac244f	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado	497-12234	EAR99	8541.29.0095	20	N-canal		20A	250 Ma	580W	24.6db											-	100 V
Ste53nc50	43.4200	RFQ	328	Stmicroelectónica	PowerMesh ™ II	Tubo	Activo		150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	Isotop	Ste53		Mosfet (Óxido de metal)		ISOTOP®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	10		N-canal					500 V	53A (TC)	10V	80mohm @ 27a, 10v	4V @ 250 µA	434 NC @ 10 V	± 30V	11200 pf @ 25 V	-	460W (TC)
IRF640	-	RFQ	7329	Stmicroelectónica	Mesh Overlay ™	Tubo	Obsoleto		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	IRF6		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					200 V	18a (TC)	10V	180mohm @ 9a, 10v	4V @ 250 µA	72 NC @ 10 V	± 20V	1560 pf @ 25 V	-	125W (TC)
Sts12nf30l	-	RFQ	5793	Stmicroelectónica	Stripfet ™ II	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	STS12		Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal					30 V	12a (TC)	4.5V, 10V	9mohm @ 6a, 10v	1V @ 250 µA	50 NC @ 4.5 V	± 16V	2400 pf @ 25 V	-	2.5W (TA)
STV160NF03LT4	5.9500	RFQ	87	Stmicroelectónica	Stripfet ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta	STV160		Mosfet (Óxido de metal)		10 pozo	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	600		N-canal					30 V	160A (TC)	5V, 10V	2.8mohm @ 80a, 10v	1V @ 250 µA	140 NC @ 10 V	± 15V	4700 pf @ 25 V	-	210W (TC)
Stw33n60m2	5.7500	RFQ	1382	Stmicroelectónica	Mdmesh ™ ii plus	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Stw33		Mosfet (Óxido de metal)		TO-247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30		N-canal					600 V	26a (TC)	10V	125mohm @ 13a, 10v	4V @ 250 µA	45.5 NC @ 10 V	± 25V	1781 pf @ 100 V	-	190W (TC)
STH140N6F7-2	-	RFQ	7834	Stmicroelectónica	Deepgate ™, Stripfet ™ VII	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	STH140		Mosfet (Óxido de metal)		H2PAK-2	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal					60 V	80a (TC)	10V	3mohm @ 40a, 10v	4V @ 250 µA	40 NC @ 10 V	± 20V	2700 pf @ 25 V	-	158W (TC)
STB45N65M5	8.9200	RFQ	5	Stmicroelectónica	Mdmesh ™ v	Tape & Reel (TR)	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	STB45		Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal					650 V	35A (TC)	10V	78mohm @ 19.5a, 10v	5V @ 250 µA	91 NC @ 10 V	± 25V	3375 pf @ 100 V	-	210W (TC)
Sti30nm60n	-	RFQ	5872	Stmicroelectónica	Mdmesh ™ II	Tubo	Obsoleto		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA	STI30N		Mosfet (Óxido de metal)		I2pak (TO-262)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal					600 V	25A (TC)	10V	130mohm @ 12.5a, 10V	4V @ 250 µA	91 NC @ 10 V	± 30V	2700 pf @ 50 V	-	190W (TC)
Stl12n65m5	2.8600	RFQ	56	Stmicroelectónica	Mdmesh ™ v	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn	Stl12		Mosfet (Óxido de metal)		Powerflat ™ (5x6)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal					650 V	8.5A (TC)	10V	530mohm @ 4.25a, 10V	5V @ 250 µA	17 NC @ 10 V	± 25V	644 pf @ 100 V	-	48W (TC)
Stw20nm50	-	RFQ	7928	Stmicroelectónica	Mdmesh ™	Tubo	Obsoleto		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Stw20n		Mosfet (Óxido de metal)		TO-247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30		N-canal					550 V	20A (TC)	10V	250mohm @ 10a, 10v	5V @ 250 µA	56 NC @ 10 V	± 30V	1480 pf @ 25 V	-	214W (TC)

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (3861)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²