SIC
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Transistores (3861)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Calificación real (AMP) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
STW14NK60Z STMicroelectronics Stw14nk60z -
RFQ
 ECAD 8754 0.00000000 Stmicroelectónica Supermesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw14n Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 N-canal 600 V 13.5A (TC) 10V 500mohm @ 6a, 10v 4.5V @ 100 µA 75 NC @ 10 V ± 30V 2220 pf @ 25 V - 160W (TC)
STB15N80K5 STMicroelectronics STB15N80K5 5.5400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Stmicroelectónica Supermesh5 ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB15 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-13423-1 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 800 V 14a (TC) 10V 375mohm @ 7a, 10v 5V @ 100 µA 32 NC @ 10 V ± 30V 1100 pf @ 100 V - 190W (TC)
STF24N65M2 STMicroelectronics STF24N65M2 2.9700
RFQ
 ECAD 271 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ m2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF24 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 16a (TC) 10V 230mohm @ 8a, 10v 4V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 25V 1060 pf @ 100 V - 30W (TC)
IRF840 STMicroelectronics IRF840 -
RFQ
 ECAD 7276 0.00000000 Stmicroelectónica PowerMesh ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRF8 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-2731-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 8a (TC) 10V 850mohm @ 3.5a, 10v 4V @ 250 µA 39 NC @ 10 V ± 20V 832 pf @ 25 V - 125W (TC)
STD40NF10 STMicroelectronics Std40nf10 1.7300
RFQ
 ECAD 9017 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ II Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std40 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 50A (TC) 10V 28mohm @ 25A, 10V 4V @ 250 µA 62 NC @ 10 V ± 20V 2180 pf @ 25 V - 125W (TC)
STFI13N65M2 STMicroelectronics Stfi13n65m2 2.1400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ m2 Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-262-3 paquete completo, i²pak Stfi13n Mosfet (Óxido de metal) I2pakfp (un 281) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 10a (TC) 10V 430mohm @ 5a, 10v 4V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 25V 590 pf @ 100 V - 25W (TC)
STP21NM60ND STMicroelectronics Stp21nm60nd -
RFQ
 ECAD 5937 0.00000000 Stmicroelectónica FDMESH ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp21n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 17a (TC) 10V 220mohm @ 8.5a, 10v 5V @ 250 µA 60 NC @ 10 V ± 25V 1800 pf @ 50 V - 140W (TC)
STL18N55M5 STMicroelectronics Stl18n55m5 5.4900
RFQ
 ECAD 869 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ v Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl18 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (8x8) HV descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 550 V 2.4a (TA), 13a (TC) 10V 270mohm @ 6a, 10v 5V @ 250 µA 31 NC @ 10 V ± 25V 1352 pf @ 100 V - 3W (TA), 90W (TC)
STP8NK85Z STMicroelectronics STP8NK85Z -
RFQ
 ECAD 9098 0.00000000 Stmicroelectónica Supermesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp8n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 850 V 6.7a (TC) 10V 1.4ohm @ 3.35a, 10V 4.5V @ 100 µA 60 NC @ 10 V ± 30V 1870 pf @ 25 V - 150W (TC)
STB50NF25 STMicroelectronics STB50NF25 -
RFQ
 ECAD 8919 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb50n Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 250 V 45a (TC) 10V 69mohm @ 22a, 10v 4V @ 250 µA 68.2 NC @ 10 V ± 20V 2670 pf @ 25 V - 160W (TC)
PD85015S-E STMicroelectronics PD85015S-E -
RFQ
 ECAD 9156 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo 40 V Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta PD85015 870MHz Ldmos Powerso-10RF (Plomo Recto) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 5A 150 Ma 15W 16dB - 13.6 V
STGB19NC60WT4 STMicroelectronics STGB19NC60WT4 4.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectónica PowerMesh ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STGB19 Estándar 130 W D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 390V, 12a, 10ohm, 15V - 600 V 40 A 2.5V @ 15V, 12A 81 µJ (Encendido), 125 µJ (apaguado) 53 NC 25ns/90ns
D44H8 STMicroelectronics D44H8 1.5600
RFQ
 ECAD 7611 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 D44H8 50 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 60 V 10 A 10 µA NPN 1V @ 400 Ma, 8a 40 @ 4a, 1v -
PD57060STR-E STMicroelectronics PD57060Str-E -
RFQ
 ECAD 8310 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Obsoleto 65 V Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta PD57060 945MHz Ldmos Powerso-10RF (Plomo Recto) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 7A 100 mA 60W 14.3db - 28 V
STD86N3LH5 STMicroelectronics Std86n3lh5 1.4600
RFQ
 ECAD 9232 0.00000000 Stmicroelectónica Automotive, AEC-Q101, Stripfet ™ V Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std86 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 80a (TC) 5V, 10V 5mohm @ 40a, 10v 2.5V @ 250 µA 14 NC @ 5 V ± 20V 1850 pf @ 25 V - 70W (TC)
STF45N10F7 STMicroelectronics STF45N10F7 2.2800
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 Stmicroelectónica Deepgate ™, Stripfet ™ VII Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Stf45n Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 30A (TC) 10V 18mohm @ 15a, 10v 4.5V @ 250 µA 25 NC @ 10 V 20V 1640 pf @ 50 V - 25W (TC)
STP80PF55 STMicroelectronics STP80PF55 -
RFQ
 ECAD 2782 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp80p Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 55 V 80a (TC) 10V 18mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 258 NC @ 10 V ± 16V 5500 pf @ 25 V - 300W (TC)
STP80NF55L-06 STMicroelectronics STP80NF55L-06 -
RFQ
 ECAD 8249 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP80 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 55 V 80a (TC) 5V, 10V 6.5mohm @ 40a, 10v 1V @ 250 µA 136 NC @ 5 V ± 16V 4850 pf @ 25 V - 300W (TC)
STB120N4F6 STMicroelectronics STB120N4F6 2.4700
RFQ
 ECAD 8456 0.00000000 Stmicroelectónica Automotive, AEC-Q101, DeepGate ™, Stripfet ™ VI Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB120 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 80a (TC) 10V 4mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 65 NC @ 10 V ± 20V 3850 pf @ 25 V - 110W (TC)
STD3LN62K3 STMicroelectronics Std3ln62k3 -
RFQ
 ECAD 9524 0.00000000 Stmicroelectónica SUPMESH3 ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std3ln62 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 620 V 2.5A (TC) 10V 3ohm @ 1.25a, 10V 4.5V @ 50 µA 17 NC @ 10 V ± 30V 386 pf @ 50 V - 45W (TC)
PD57018 STMicroelectronics PD57018 -
RFQ
 ECAD 5466 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto 65 V Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta PD57018 945MHz Ldmos 10 pozo descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 2.5a 100 mA 18W 16.5dB - 28 V
STS4DNFS30 STMicroelectronics Sts4dnfs30 1.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Sts4d Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 4.5A (TC) 5V, 10V 55mohm @ 2a, 10v 1V @ 250 µA 4.7 NC @ 5 V ± 20V 330 pf @ 25 V Diodo Schottky (Aislado) 2W (TC)
STP42N65M5 STMicroelectronics STP42N65M5 10.9900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ v Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP42 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 33A (TC) 10V 79mohm @ 16.5a, 10v 5V @ 250 µA 100 NC @ 10 V ± 25V 4650 pf @ 100 V - 190W (TC)
STF22NM60ND STMicroelectronics Stf22nm60nd -
RFQ
 ECAD 3844 0.00000000 Stmicroelectónica Automotive, AEC-Q101, FDMESH ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF22 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 17a (TC) 10V 220mohm @ 8.5a, 10v 5V @ 250 µA 60 NC @ 10 V ± 25V 1800 pf @ 50 V - 30W (TC)
MJD32CT4-A STMicroelectronics MJD32CT4-A 1.1100
RFQ
 ECAD 3913 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MJD32 15 W Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 100 V 3 A 50 µA PNP 1.2V @ 375MA, 3A 10 @ 3a, 4v -
STS10PF30L STMicroelectronics Sts10pf30l -
RFQ
 ECAD 8207 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ II Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Sts10 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 10a (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 5a, 10v 1V @ 250 µA 39 NC @ 4.5 V ± 16V 2300 pf @ 25 V - 2.5W (TC)
STPLED524 STMicroelectronics Stpled524 -
RFQ
 ECAD 8564 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stpled524 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 525 V 4A (TC) 10V 2.6ohm @ 2.2a, 10v 4.5V @ 50 µA 12 NC @ 10 V ± 30V 340 pf @ 100 V - 45W (TC)
STD13003T4 STMicroelectronics Std13003t4 0.9100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 STD13003 20 W Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 400 V 1.5 A - NPN 3V @ 500mA, 1.5a 5 @ 1a, 2v -
STV250N55F3 STMicroelectronics STV250N55F3 -
RFQ
 ECAD 9161 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ III Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta STV250 Mosfet (Óxido de metal) 10 pozo descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 N-canal 55 V 200a (TC) 10V 2.2mohm @ 75a, 10v 4V @ 250 µA 100 NC @ 10 V ± 20V 6800 pf @ 25 V - 300W (TC)
STW54NK30Z STMicroelectronics Stw54nk30z -
RFQ
 ECAD 6852 0.00000000 Stmicroelectónica Supermesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw54n Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 N-canal 300 V 54a (TC) 10V 60mohm @ 27a, 10v 4.5V @ 150 µA 221 NC @ 10 V ± 30V 4960 pf @ 25 V - 300W (TC)
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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