SIC
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Transistores (3861)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
ULQ2003D1013TR STMicroelectronics ULQ2003D1013TR 0.9100
RFQ
 ECAD 36 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) ULQ2003 - 16-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 50V 500mA - 7 NPN Darlington 1.6V @ 500 µA, 350 mA 1000 @ 350MA, 2V -
STW25N60M2-EP STMicroelectronics STW25N60M2-EP 3.5300
RFQ
 ECAD 3553 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ M2-EP Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw25 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 N-canal 600 V 18a (TC) 10V 188mohm @ 9a, 10v 4.75V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 25V 1090 pf @ 100 V - 150W (TC)
STB21NM60N STMicroelectronics Stb21nm60n -
RFQ
 ECAD 9827 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb21n Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 17a (TC) 10V 220mohm @ 8.5a, 10v 4V @ 250 µA 66 NC @ 10 V ± 25V 1900 pf @ 50 V - 140W (TC)
STW40N20 STMicroelectronics Stw40n20 -
RFQ
 ECAD 3482 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw40n Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-4427-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 200 V 40A (TC) 10V 45mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 75 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 25 V - 160W (TC)
STP21NM50N STMicroelectronics Stp21nm50n -
RFQ
 ECAD 9573 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp21n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-4820-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 18a (TC) 10V 190mohm @ 9a, 10v 4V @ 250 µA 65 NC @ 10 V ± 25V 1950 pf @ 25 V - 140W (TC)
BU806 STMicroelectronics BU806 -
RFQ
 ECAD 8542 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 BU806 60 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 200 V 8 A 100 µA NPN - Darlington 1.5V @ 50MA, 5A - -
BUL743 STMicroelectronics BUL743 2.1900
RFQ
 ECAD 9051 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 BUL743 100 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 500 V 12 A 250 µA NPN 1.5V @ 2.5a, 10a 24 @ 2a, 3V -
2STR2160 STMicroelectronics 2str2160 0.5100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2str2160 500 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 60 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 480mv @ 100 mm, 1a 180 @ 500mA, 2V -
BUL1102E STMicroelectronics Bul1102e 1.5200
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Bul1102 70 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 450 V 4 A 100 µA NPN 1.5V @ 400mA, 2A 12 @ 2a, 5v -
TIP147T STMicroelectronics TIP147T 1.9700
RFQ
 ECAD 9718 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TIP147 90 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 100 V 10 A 2mera PNP - Darlington 3V @ 40 mm, 10a 1000 @ 5a, 4V -
STFI24NM60N STMicroelectronics Stfi24nm60n 3.9000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-262-3 paquete completo, i²pak Stfi24n Mosfet (Óxido de metal) I2pakfp (un 281) descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 17a (TC) 10V 190mohm @ 8a, 10v 4V @ 250 µA 46 NC @ 10 V ± 30V 1400 pf @ 50 V - 30W (TC)
TIP122FP STMicroelectronics TIP122FP -
RFQ
 ECAD 2490 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero TIP122 2 W Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 100 V 5 A 500 µA NPN - Darlington 4V @ 20 mm, 5a 1000 @ 3a, 3V -
MJ802 STMicroelectronics MJ802 -
RFQ
 ECAD 6760 0.00000000 Stmicroelectónica - Una granela Obsoleto 200 ° C (TJ) Monte del Chasis TO-204AA, TO-3 MJ80 200 W A 3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 100 90 V 30 A 1MA (ICBO) NPN 800mv @ 750 mm, 7.5a 25 @ 7.5a, 2v 2MHz
STD28P3LLH6AG STMicroelectronics Std28p3llh6ag -
RFQ
 ECAD 1549 0.00000000 Stmicroelectónica Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ H6 Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std28 Mosfet (Óxido de metal) Dpak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 12a (TC) 4.5V, 10V 30mohm @ 6a, 10v 2.5V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 18V 1480 pf @ 25 V - 33W (TC)
STS5PF30L STMicroelectronics Sts5pf30l -
RFQ
 ECAD 3604 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Sts5p Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 5A (TC) 4.5V, 10V 55mohm @ 2.5a, 10V 2.5V @ 250 µA 16 NC @ 5 V ± 16V 1350 pf @ 25 V - 2.5W (TC)
HD1760JL STMicroelectronics HD1760JL -
RFQ
 ECAD 5134 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-264-3, TO-264AA HD1760 200 W Un 264 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 800 V 36 A 200 µA NPN 2V @ 4.5a, 18a 5 @ 18a, 5v -
BCP52-16 STMicroelectronics BCP52-16 -
RFQ
 ECAD 5042 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BCP52 1.4 W SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 60 V 1 A 100NA (ICBO) PNP 500mv @ 50 mA, 500 mA 100 @ 150mA, 2V 50MHz
TIP147 STMicroelectronics TIP147 1.6500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 TIP147 125 W To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 100 V 10 A 2mera PNP - Darlington 3V @ 40 mm, 10a 1000 @ 5a, 4V -
SD57030-01 STMicroelectronics SD57030-01 66.7900
RFQ
 ECAD 4580 0.00000000 Stmicroelectónica - Caja Activo 65 V M250 SD57030 945MHz Ldmos M250 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 4A 50 Ma 30W 15dB - 28 V
BF420-AP STMicroelectronics BF420-AP -
RFQ
 ECAD 1171 0.00000000 Stmicroelectónica - Cinta y Caja (TB) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BF420 830 MW Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 300 V 500 mA 10NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 mm, 30 mA 50 @ 25 mm, 20V 60MHz
STS12NH3LL STMicroelectronics Sts12nh3ll -
RFQ
 ECAD 3811 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) STS12 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 12a (TC) 4.5V, 10V 10.5mohm @ 6a, 10v 1V @ 250 µA 12 NC @ 4.5 V ± 16V 965 pf @ 25 V - 2.7W (TC)
STY112N65M5 STMicroelectronics Sty112n65m5 37.6900
RFQ
 ECAD 2106 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ v Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Sty112 Mosfet (Óxido de metal) Max247 ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 96a (TC) 10V 22mohm @ 47a, 10V 5V @ 250 µA 350 NC @ 10 V ± 25V 16870 pf @ 100 V - 625W (TC)
STP11NM65N STMicroelectronics Stp11nm65n 2.3400
RFQ
 ECAD 334 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp11n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 11a (TC) 10V 455mohm @ 5.5a, 10V 4V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 25V 800 pf @ 50 V - 110W (TC)
BUL742C STMicroelectronics BUL742C 1.3100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 BUL742 70 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400 V 4 A 250 µA NPN 1.5V @ 1a, 3.5a 25 @ 800 Ma, 3V -
ST2001FX STMicroelectronics ST2001FX -
RFQ
 ECAD 4404 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero ISOWATT218FX ST2001 63 W ISOWATT-218FX descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 300 600 V 10 A 1mera NPN 1.5V @ 1.25a, 5a 5 @ 6a, 5v -
STD5N20T4 STMicroelectronics Std5n20t4 -
RFQ
 ECAD 3452 0.00000000 Stmicroelectónica Mesh Overlay ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std5n Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 200 V 5A (TC) 10V 800mohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 350 pf @ 25 V - 45W (TC)
E-ULQ2003D1 STMicroelectronics E-ulq2003d1 -
RFQ
 ECAD 5676 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) ULQ2003 - 16-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 50V 500mA - 7 NPN Darlington 1.6V @ 500 µA, 350 mA 1000 @ 350MA, 2V -
STP20N95K5 STMicroelectronics STP20N95K5 6.6500
RFQ
 ECAD 988 0.00000000 Stmicroelectónica Supermesh5 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP20 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-12863-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 950 V 17.5a (TC) 10V 330mohm @ 9a, 10v 5V @ 100 µA 40 NC @ 10 V ± 30V 1500 pf @ 100 V - 250W (TC)
STFI26N60M2 STMicroelectronics Stfi26n60m2 3.1800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-262-3 paquete completo, i²pak Stfi26n Mosfet (Óxido de metal) I2pakfp (un 281) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 20A (TC) 10V 165mohm @ 11a, 10v 4V @ 250 µA ± 25V - 30W (TC)
STB5N52K3 STMicroelectronics Stb5n52k3 -
RFQ
 ECAD 9155 0.00000000 Stmicroelectónica SUPMESH3 ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb5n Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 525 V 4.4a (TC) 10V 1.5ohm @ 2.2a, 10v 4.5V @ 50 µA 17 NC @ 10 V ± 30V 545 pf @ 100 V - 70W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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