SIC
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Transistores (3861)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
STU7LN80K5 STMicroelectronics Stu7ln80k5 2.1600
RFQ
 ECAD 9484 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Stu7ln80 Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16498-5 EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 800 V 5A (TC) 10V 1.15ohm @ 2.5a, 10v 5V @ 100 µA 12 NC @ 10 V ± 30V 270 pf @ 100 V - 85W (TC)
BUL7216 STMicroelectronics BUL7216 1.6500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 BUL7216 80 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-5215-5 EAR99 8541.29.0095 50 700 V 3 A 100 µA NPN 3V @ 80MA, 800 Ma 4 @ 2a, 5v -
STL7DN6LF3 STMicroelectronics Stl7dn6lf3 1.7200
RFQ
 ECAD 1859 0.00000000 Stmicroelectónica Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ III Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl7 Mosfet (Óxido de metal) 52W Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 60V 20A 43mohm @ 3a, 10v 3V @ 250 µA 8.8nc @ 10V 432pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
STP270N8F7 STMicroelectronics STP270N8F7 5.7200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectónica Deepgate ™, Stripfet ™ VII Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP270 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-13654-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 80 V 180A (TC) 10V 2.5mohm @ 90a, 10v 4V @ 250 µA 193 NC @ 10 V ± 20V 13600 pf @ 50 V - 315W (TC)
STP20NM50FD STMicroelectronics STP20NM50FD 6.9800
RFQ
 ECAD 2140 0.00000000 Stmicroelectónica Fdmesh ™ Tubo Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP20 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -497-6739-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 500 V 20A (TC) 10V 250mohm @ 10a, 10v 5V @ 250 µA 53 NC @ 10 V ± 30V 1380 pf @ 25 V - 192W (TC)
STU5N95K5 STMicroelectronics Stu5n95k5 0.8576
RFQ
 ECAD 2277 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ k5 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Stu5n95 Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 950 V 3.5A (TC) 10V 2.5ohm @ 1.5a, 10V 5V @ 100 µA 12.5 NC @ 10 V ± 30V 220 pf @ 100 V - 70W (TC)
STW60NE10 STMicroelectronics Stw60ne10 -
RFQ
 ECAD 2332 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ Tubo Obsoleto 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw60n Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-2643-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 100 V 60A (TC) 10V 22mohm @ 30a, 10v 4V @ 250 µA 185 NC @ 10 V ± 20V 5300 pf @ 25 V - 180W (TC)
STP8N65M5 STMicroelectronics STP8N65M5 -
RFQ
 ECAD 9112 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ v Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp8n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-10885-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 7a (TC) 10V 600mohm @ 3.5a, 10V 5V @ 250 µA 15 NC @ 10 V ± 25V 690 pf @ 100 V - 70W (TC)
STI21NM60ND STMicroelectronics Sti21nm60nd -
RFQ
 ECAD 3656 0.00000000 Stmicroelectónica FDMESH ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Sti21n Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 17a (TC) 10V 220mohm @ 8.5a, 10v 5V @ 250 µA 60 NC @ 10 V ± 25V 1800 pf @ 50 V - 140W (TC)
STW15NM60N STMicroelectronics Stw15nm60n -
RFQ
 ECAD 9461 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw15n Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 14a (TC) 10V 299mohm @ 7a, 10v 4V @ 250 µA 37 NC @ 10 V ± 25V 1250 pf @ 50 V - 125W (TC)
STP45NF3LL STMicroelectronics Stp45nf3ll -
RFQ
 ECAD 8467 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp45n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 45a (TC) 4.5V, 10V 18mohm @ 22.5a, 10v 1V @ 250 µA 17 NC @ 5 V ± 16V 800 pf @ 25 V - 70W (TC)
STP18N60M2 STMicroelectronics STP18N60M2 2.2700
RFQ
 ECAD 988 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ ii plus Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP18 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 13a (TC) 10V 280mohm @ 6.5a, 10v 4V @ 250 µA 21.5 NC @ 10 V ± 25V 791 pf @ 100 V - 110W (TC)
STB16NM50N STMicroelectronics Stb16nm50n -
RFQ
 ECAD 4738 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ II Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb16n Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 500 V 15A (TC) 10V 260mohm @ 7.5a, 10v 4V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 25V 1200 pf @ 50 V - 125W (TC)
STB200NF04L-1 STMicroelectronics STB200NF04L-1 -
RFQ
 ECAD 3166 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Stb200n Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-6190-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40 V 120a (TC) 5V, 10V 3.8mohm @ 50A, 10V 4V @ 250 µA 90 NC @ 4.5 V ± 16V 6400 pf @ 25 V - 300W (TC)
STGD3NB60FT4 STMicroelectronics Stgd3nb60ft4 1.2200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectónica PowerMesh ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Stgd3 Estándar 60 W Dpak descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 480V, 3a, 10ohm, 15V 45 ns - 600 V 6 A 24 A 2.4V @ 15V, 3a 125 µJ (apaguado) 16 NC 12.5ns/105ns
STX0560 STMicroelectronics STX0560 -
RFQ
 ECAD 8707 0.00000000 Stmicroelectónica - Bolsa Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) STX0560 1.5 W Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 600 V 1 A 10 µA NPN 1V @ 100 mm, 500 mA 70 @ 5MA, 5V -
STGW50H60DF STMicroelectronics Stgw50h60df -
RFQ
 ECAD 7410 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stgw50 Estándar 360 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-12423 EAR99 8541.29.0095 30 400V, 50A, 10ohm, 15V 55 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 100 A 200 A 1.8V @ 15V, 50A 890 µJ (Encendido), 860 µJ (apaguado) 217 NC 62ns/178ns
STP7NK80ZFP STMicroelectronics STP7NK80ZFP 2.8800
RFQ
 ECAD 839 0.00000000 Stmicroelectónica Supermesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STP7NK80 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 5.2a (TC) 10V 1.8ohm @ 2.6a, 10v 4.5V @ 100 µA 56 NC @ 10 V ± 30V 1138 pf @ 25 V - 30W (TC)
STGD6NC60H-1 STMicroelectronics STGD6NC60H-1 1.2900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectónica PowerMesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Stgd6 Estándar 62.5 W TO-251 (ipak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 390v, 3a, 10ohm, 15V - 600 V 15 A 21 A 2.5V @ 15V, 3a 20 µJ (Encendido), 68 µJ (apaguado) 13.6 NC 12ns/76ns
STP80NF10FP STMicroelectronics STP80NF10FP 3.2900
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ II Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STP80 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 38a (TC) 10V 15mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 189 NC @ 10 V ± 20V 4300 pf @ 25 V - 45W (TC)
STGB20NB41LZT4 STMicroelectronics Stgb20nb41lzt4 3.8700
RFQ
 ECAD 2349 0.00000000 Stmicroelectónica PowerMesh ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stgb20 Estándar 200 W D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 320V, 20A, 1KOHM, 5V - 442 V 40 A 80 A 2V @ 4.5V, 20a 5MJ (Encendido), 12.9MJ (apaguado) 46 NC 1 µs/12.1 µs
A1C15S12M3 STMicroelectronics A1C15S12M3 52.8000
RFQ
 ECAD 3537 0.00000000 Stmicroelectónica - Banda Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Módulo A1C15 142.8 W Rectificador de Puente Trifásico ACEPACK ™ 1 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-17736 EAR99 8541.29.0095 36 Inversor trifásico con freno Parada de Campo de Trinchera 1200 V 15 A 2.45V @ 15V, 15a 100 µA Si 985 pf @ 25 V
BULB49DT4 STMicroelectronics Bulb49dt4 -
RFQ
 ECAD 3210 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Bulbo49 80 W D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 450 V 5 A 100 µA NPN 1.2V @ 800 Ma, 4a 4 @ 7a, 10v -
STD7NM50N STMicroelectronics Std7nm50n -
RFQ
 ECAD 4034 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ II Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std7 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 V 5A (TC) 10V 780mohm @ 2.5a, 10V 4V @ 250 µA 12 NC @ 10 V ± 25V 400 pf @ 50 V - 45W (TC)
STB200NF03T4 STMicroelectronics STB200NF03T4 1.9522
RFQ
 ECAD 5776 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ III Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB200 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 120a (TC) 10V 3.6mohm @ 60a, 10V 4V @ 250 µA 140 NC @ 10 V ± 20V 4950 pf @ 25 V - 300W (TC)
STGW60H65DFB-4 STMicroelectronics STGW60H65DFB-4 6.3100
RFQ
 ECAD 5167 0.00000000 Stmicroelectónica pensión de medios Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 STGW60 Estándar 375 W TO-247-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 400V, 60a, 10ohm, 15V 60 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 80 A 240 A 2V @ 15V, 60A 346 µJ (Encendido), 1.161MJ (apaguado) 306 NC 65ns/261ns
STR1550 STMicroelectronics Str1550 0.5500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Str1550 500 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 500 V 500 mA 10 µA (ICBO) NPN 300mv @ 6 mm, 50 Ma 100 @ 50 mm, 10v -
BULD741T4 STMicroelectronics Buld741t4 1.1100
RFQ
 ECAD 9790 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Buld741 30 W Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 400 V 2.5 A 250 µA NPN 1.5V @ 600mA, 2A 25 @ 450mA, 3V -
L604C STMicroelectronics L604C -
RFQ
 ECAD 3347 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto -25 ° C ~ 150 ° C (TJ) - L604 1.8w descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 20 90V 400mA - 8 NPN Darlington 2V @ 500 µA, 300 mA - -
2ST501T STMicroelectronics 2ST501T 1.5900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 2ST501 100 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 350 V 4 A 100 µA NPN - Darlington 1.5V @ 2mA, 2a 2000 @ 2a, 2v -
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

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    30,000,000

    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

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