SIC
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Transistores (3861)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
STW3040 STMicroelectronics STW3040 -
RFQ
 ECAD 3130 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw304 160 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400 V 30 A 1mera NPN 800mv @ 4a, 20a 18 @ 6a, 5v -
STX13004G-AP STMicroelectronics STX13004G-AP -
RFQ
 ECAD 8118 0.00000000 Stmicroelectónica - Cinta de Corte (CT) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales STX13004 2.5 W TO-92AP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 400 V 2 A 1mera NPN 1V @ 500 Ma, 2a 10 @ 1a, 5v -
STGWA30M65DF2 STMicroelectronics Stgwa30m65df2 3.7400
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stgwa30 Estándar 258 W TO-247 LARGOS LARGOS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 30a, 10ohm, 15V 140 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 60 A 120 A 2V @ 15V, 30a 300 µJ (Encendido), 960 µJ (apagado) 80 NC 31.6ns/115ns
STL210N4LF7AG STMicroelectronics Stl210n4lf7ag 2.6100
RFQ
 ECAD 6796 0.00000000 Stmicroelectónica Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ F7 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl210 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-STL210N4LF7AGTR EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 120a (TC) 4.5V, 10V 1.6mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA 56 NC @ 10 V ± 20V 4210 pf @ 25 V - 150W (TC)
ST13007 STMicroelectronics ST13007 -
RFQ
 ECAD 8382 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 ST13007 80 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400 V 8 A 10 µA NPN 3V @ 2a, 8a 5 @ 5a, 5v -
STS5PF20V STMicroelectronics STS5PF20V -
RFQ
 ECAD 6377 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ II Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Sts5p Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 20 V 5A (TC) 2.5V, 4.5V 80mohm @ 2.5a, 4.5V 450MV @ 250 µA (min) 6 NC @ 2.5 V ± 8V 412 pf @ 15 V - 2.5W (TC)
BD678A STMicroelectronics Bd678a -
RFQ
 ECAD 4414 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 BD678 40 W SOT-32-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 60 V 4 A 500 µA PNP - Darlington 2.8V @ 40 mm, 2a 750 @ 2a, 3V -
STS9NF30L STMicroelectronics Sts9nf30l -
RFQ
 ECAD 9388 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ II Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Sts9nf Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 9A (TC) 5V, 10V 20mohm @ 4.5a, 10V 1V @ 250 µA 12.5 NC @ 4.5 V ± 18V 730 pf @ 25 V - 2.5W (TC)
STC08DE150HP STMicroelectronics STC08DE150HP -
RFQ
 ECAD 8455 0.00000000 Stmicroelectónica ESBT® Tubo Obsoleto 1500V (1.5kV) Controlador A Través del Aguetero TO-247-4 Stc08d To-247-4l descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 8A NPN - Emisor Cambiado bipolar
BC107 STMicroelectronics BC107 -
RFQ
 ECAD 6432 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-206AA, a 18-3 Lata de metal BC107 300 MW Un 18 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 1,000 45 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 110 @ 2mA, 5V -
TIP41C STMicroelectronics TIP41C 0.8200
RFQ
 ECAD 1977 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 TIP41 65 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 100 V 6 A 700 µA NPN 1.5V @ 600mA, 6a 15 @ 3a, 4V -
STGF3NB60FD STMicroelectronics STGF3NB60FD -
RFQ
 ECAD 1863 0.00000000 Stmicroelectónica PowerMesh ™ Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Stgf3 Estándar 25 W Un 220FP descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-2651-5 EAR99 8541.29.0095 50 480V, 3a, 10ohm, 15V 45 ns - 600 V 6 A 24 A 2.4V @ 15V, 3a 125 µJ (apaguado) 16 NC 12.5ns/105ns
STX790A-AP STMicroelectronics STX790A-AP -
RFQ
 ECAD 4064 0.00000000 Stmicroelectónica - Cinta de Corte (CT) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales STX790 900 MW TO-92AP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 30 V 3 A 10 µA (ICBO) PNP 700mv @ 100 mm, 3a 100 @ 500mA, 2V 100MHz
STN1NK80Z STMicroelectronics Stn1nk80z 1.2600
RFQ
 ECAD 6011 0.00000000 Stmicroelectónica Supermesh ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Stn1nk80 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 800 V 250MA (TC) 10V 16ohm @ 500 mA, 10V 4.5V @ 50 µA 7.7 NC @ 10 V ± 30V 160 pf @ 25 V - 2.5W (TC)
STGW40H65DFB-4 STMicroelectronics STGW40H65DFB-4 5.4400
RFQ
 ECAD 1083 0.00000000 Stmicroelectónica pensión de medios Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 STGW40 Estándar 283 W TO-247-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 40a, 5ohm, 15V 62 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 80 A 160 A 2V @ 15V, 40A 200 µJ (ON), 410 µJ (OFF) 210 NC 40ns/142ns
STW75N60M6-4 STMicroelectronics STW75N60M6-4 13.7100
RFQ
 ECAD 6300 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ m6 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 Stw75 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-18500 EAR99 8541.29.0095 600 N-canal 600 V 72a (TC) 10V 36mohm @ 36a, 10v 4.75V @ 250 µA 106 NC @ 10 V ± 25V 4850 pf @ 100 V - 446W (TC)
STP3N62K3 STMicroelectronics Stp3n62k3 1.5500
RFQ
 ECAD 338 0.00000000 Stmicroelectónica SUPMESH3 ™ Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp3n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 620 V 2.7a (TC) 10V 2.5ohm @ 1.4a, 10V 4.5V @ 50 µA 13 NC @ 10 V ± 30V 385 pf @ 25 V - 45W (TC)
STL23NS3LLH7 STMicroelectronics Stl23ns3llh7 -
RFQ
 ECAD 7572 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ H7 Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl23 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 92a (TC) 4.5V, 10V 3.7mohm @ 11.5a, 10V 2.3V @ 1MA 13.7 NC @ 4.5 V ± 20V 2100 pf @ 15 V - 2.9W (TA), 50W (TC)
STE48NM60 STMicroelectronics Ste48nm60 -
RFQ
 ECAD 1398 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Isotop Ste48 Mosfet (Óxido de metal) ISOTOP® descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-3171-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 48a (TC) 10V 110mohm @ 22.5a, 10v 5V @ 250 µA 134 NC @ 10 V ± 30V 3800 pf @ 25 V - 450W (TC)
ST13003 STMicroelectronics ST13003 -
RFQ
 ECAD 6739 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 ST13003 40 W SOT-32-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 400 V 1.5 A 1mera NPN 1.5V @ 500mA, 1.5a 5 @ 1a, 2v -
STB43N60DM2 STMicroelectronics STB43N60DM2 3.4205
RFQ
 ECAD 2825 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ dm2 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB43 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 34a (TC) 10V 93mohm @ 17a, 10v 5V @ 250 µA 56 NC @ 10 V ± 25V 2500 pf @ 100 V - 250W (TC)
ST26025A STMicroelectronics ST26025A -
RFQ
 ECAD 5140 0.00000000 Stmicroelectónica - Bolsa Obsoleto 200 ° C (TJ) Monte del Chasis TO-204AA, TO-3 ST26025 160 W A 3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 100 100 V 20 A 1mera PNP - Darlington 3V @ 200Ma, 20a 750 @ 10a, 3V -
STB28NM60ND STMicroelectronics Stb28nm60nd 8.4600
RFQ
 ECAD 427 0.00000000 Stmicroelectónica FDMESH ™ II Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB28 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-14238-2 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 600 V 23a (TC) 10V 150mohm @ 11.5a, 10v 5V @ 250 µA 62.5 NC @ 10 V ± 25V 2090 pf @ 100 V - 190W (TC)
STI34N65M5 STMicroelectronics STI34N65M5 5.5100
RFQ
 ECAD 991 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ v Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-262-3 paquete completo, i²pak Sti34n Mosfet (Óxido de metal) I2pakfp (un 281) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 28a (TC) 10V 110mohm @ 14a, 10v 5V @ 250 µA 62.5 NC @ 10 V ± 25V 2700 pf @ 100 V - 190W (TC)
STB28N65M2 STMicroelectronics STB28N65M2 3.7000
RFQ
 ECAD 3347 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ m2 Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB28 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 20A (TC) 10V 180mohm @ 10a, 10v 4V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 25V 1440 pf @ 100 V - 170W (TC)
STN3N45K3 STMicroelectronics Stn3n45k3 1.0100
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Stmicroelectónica SUPMESH3 ™ Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Stn3 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 450 V 600 mA (TC) 10V 4ohm @ 600mA, 10V 4.5V @ 50 µA 9.5 NC @ 10 V ± 30V 164 pf @ 50 V - 3W (TA)
STD140N6F7 STMicroelectronics Std140n6f7 1.7900
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std140 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 80a (TC) 10V 3.8mohm @ 40a, 10V 4V @ 250 µA 55 NC @ 10 V ± 20V 3100 pf @ 30 V - 134W (TC)
STD52P3LLH6 STMicroelectronics Std52p3llh6 1.6400
RFQ
 ECAD 6433 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ H6 Tape & Reel (TR) Activo 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std52 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 52a (TC) 4.5V, 10V 12mohm @ 26a, 10v 2.5V @ 250 µA 33 NC @ 4.5 V ± 20V 3350 pf @ 25 V - 70W (TC)
STGD8NC60KDT4 STMicroelectronics Stgd8nc60kdt4 1.6400
RFQ
 ECAD 1477 0.00000000 Stmicroelectónica PowerMesh ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Stgd8 Estándar 62 W Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 390v, 3a, 10ohm, 15V 23.5 ns - 600 V 15 A 30 A 2.75V @ 15V, 3a 55 µJ (Encendido), 85 µJ (apaguado) 19 NC 17ns/72ns
STF16NM50N STMicroelectronics Stf16nm50n -
RFQ
 ECAD 3557 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF16 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 500 V 15A (TC) 10V 260mohm @ 7.5a, 10v 4V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 25V 1200 pf @ 50 V - 30W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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