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Transistores (3861)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Condición de PrueBa	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Tiempo de recuperación inverso (TRR)	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Real - Corte de Coleción (Max)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició
STN0214	1.1200	RFQ	7862	Stmicroelectónica	-	Tape & Reel (TR)	Activo	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	STN0214			1.6 W	SOT-223	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000																1200 V	200 MA						10 µA	NPN	300 MV @ 20MA, 100 Ma	3 @ 200Ma, 2V	-
STF7N52DK3	1.3700	RFQ	947	Stmicroelectónica	Superfredmesh3 ™	Tubo	Obsoleto	150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	Stf7n		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal		525 V	6a (TC)	10V	1.15ohm @ 3a, 10v	4.5V @ 50 µA	33 NC @ 10 V	± 30V	870 pf @ 50 V	-	25W (TC)
Stf10nm60nd	2.3700	RFQ	378	Stmicroelectónica	FDMESH ™ II	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	STF10		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal		600 V	8a (TC)	10V	550mohm @ 4a, 10v	4V @ 250 µA	19 NC @ 10 V	± 25V	540 pf @ 50 V	-	25W (TC)
2369a	-	RFQ	6750	Stmicroelectónica	-	Tubo	Obsoleto	-65 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-206AA, a 18-3 Lata de metal	2n23			360 MW	Un 18	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-3107-5	EAR99	8541.21.0075	1,000																15 V	200 MA						400NA	NPN	500mv @ 10 Ma, 100 Ma	40 @ 10mA, 1V	675MHz
STN2580	0.6700	RFQ	9868	Stmicroelectónica	-	Tape & Reel (TR)	Activo	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	STN2580			1.6 W	SOT-223	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000																400 V	1 A						10 µA (ICBO)	NPN	1V @ 200MA, 1A	60 @ 250mA, 5V	-
Stw80ne06-10	-	RFQ	2744	Stmicroelectónica	Stripfet ™	Tubo	Obsoleto	175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Stw80n		Mosfet (Óxido de metal)		TO-247-3	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-2790-5	EAR99	8541.29.0095	30		N-canal		60 V	80a (TC)	10V	10mohm @ 40a, 10v	4V @ 250 µA	189 NC @ 10 V	± 20V	7600 pf @ 25 V	-	250W (TC)
2N6111	-	RFQ	9938	Stmicroelectónica	-	Tubo	Obsoleto	150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	2n61			40 W	Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50																30 V	7 A						1mera	PNP	3.5V @ 3a, 7a	30 @ 3a, 4v	4MHz
BUL741FP	-	RFQ	8864	Stmicroelectónica	-	Tubo	Obsoleto	150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	BUL741			30 W	Un 220FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50																400 V	2.5 A						250 µA	NPN	1.5V @ 600mA, 2A	25 @ 450mA, 3V	-
Std5n52u	1.2200	RFQ	6059	Stmicroelectónica	UltrafastMesh ™	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Std5n52		Mosfet (Óxido de metal)		Dpak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal		525 V	4.4a (TC)	10V	1.5ohm @ 2.2a, 10v	4.5V @ 50 µA	16.9 NC @ 10 V	± 30V	529 pf @ 25 V	-	70W (TC)
STX93003	0.6000	RFQ	58	Stmicroelectónica	-	Una granela	Activo	150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA)	STX93003			1.5 W	Un 92	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-12373	EAR99	8541.29.0095	2.500																400 V	1 A						1mera	PNP	500mv @ 100 mm, 500 mA	16 @ 350mA, 5V	-
TIP127FP	-	RFQ	9407	Stmicroelectónica	-	Tubo	Obsoleto	150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	TIP127			2 W	Un 220FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50																100 V	5 A						500 µA	PNP - Darlington	4V @ 20 mm, 5a	1000 @ 3a, 3V	-
STFI40N60M2	7.7700	RFQ	171	Stmicroelectónica	Mdmesh ™ ii plus	Tubo	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To-262-3 paquete completo, i²pak	Stfi40n		Mosfet (Óxido de metal)		I2pakfp (un 281)	descascar	ROHS3 Cumplante	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal		600 V	34a (TC)	10V	88mohm @ 17a, 10v	4V @ 250 µA	57 NC @ 10 V	± 25V	2500 pf @ 100 V	-	40W (TC)
2N3439	-	RFQ	5726	Stmicroelectónica	-	Tubo	Obsoleto	200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN	2n34			1 W	To-39	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	100																350 V	1 A						20 µA	NPN	500mv @ 4mA, 50 mA	40 @ 20MA, 10V	15MHz
Buv48a	6.9500	RFQ	9452	Stmicroelectónica	-	Tubo	No hay para Nuevos Diseños	150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	BUV48			125 W	TO-247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30																450 V	15 A						200 µA	NPN	5V @ 2.4a, 12a	8 @ 8a, 5v	-
2N5192	-	RFQ	7305	Stmicroelectónica	-	Tubo	Obsoleto	150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO25AA, A-126-3	2N51			40 W	SOT-32-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50																80 V	4 A						1mera	NPN	1.4v @ 1a, 4a	20 @ 1.5a, 2v	2MHz
Stn749	-	RFQ	2705	Stmicroelectónica	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	Stn749			1.6 W	SOT-223	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000																25 V	3 A						100NA (ICBO)	PNP	600mv @ 300mA, 3A	100 @ 1a, 2v	-
STB50NE10T4	-	RFQ	8373	Stmicroelectónica	Stripfet ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-65 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Stb50n		Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal		100 V	50A (TC)	10V	27mohm @ 25A, 10V	4V @ 250 µA	166 NC @ 10 V	± 20V	6000 pf @ 25 V	-	180W (TC)
Stgb6m65df2	1.5900	RFQ	9189	Stmicroelectónica	METRO	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Stgb6	Estándar		88 W	D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000			400V, 6a, 22ohm, 15V											140 ns	Parada de Campo de Trinchera	650 V	12 A	24 A	2V @ 15V, 6a	36 µJ (encendido), 200 µJ (apagado)	21.2 NC	15ns/90ns
2N1711	-	RFQ	3007	Stmicroelectónica	-	Tubo	Obsoleto	175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN	2n17			800 MW	To-39	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	500																50 V	500 mA						10NA (ICBO)	NPN	1.5V @ 15 Ma, 150 Ma	35 @ 100 mapa, 10v	100MHz
Stf34nm60nd	6.4268	RFQ	5917	Stmicroelectónica	FDMESH ™ II	Tubo	Activo	150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	STF34		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal		600 V	29a (TC)	10V	110mohm @ 14.5a, 10v	5V @ 250 µA	80.4 NC @ 10 V	± 25V	2785 pf @ 50 V	-	40W (TC)
Bur51	-	RFQ	9369	Stmicroelectónica	-	Tubo	Obsoleto	200 ° C (TJ)	Monte del Chasis	TO-204AA, TO-3	Bur51			350 W	A 3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	20																200 V	60 A						1mera	NPN	1.5V @ 5a, 50a	20 @ 5a, 4V	16MHz
Std11nm60nd	3.7100	RFQ	5539	Stmicroelectónica	FDMESH ™ II	Tape & Reel (TR)	Activo	150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Std11		Mosfet (Óxido de metal)		Dpak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal		600 V	10a (TC)	10V	450mohm @ 5a, 10v	5V @ 250 µA	30 NC @ 10 V	± 25V	850 pf @ 50 V	-	90W (TC)
STBV42G-AP	-	RFQ	6148	Stmicroelectónica	-	Cinta de Corte (CT)	Obsoleto	150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales	STBV42			1 W	TO-92AP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2,000																400 V	1 A						1mera	NPN	1.5V @ 250 mA, 750 mA	10 @ 400mA, 5V	-
ULN2804A	2.8400	RFQ	19	Stmicroelectónica	-	Tubo	Activo	-20 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	18 DIP (0.300 ", 7.62 mm)	ULN2804			2.25W	18 Dipp	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	20																50V	500mA						-	8 NPN Darlington	1.6V @ 500 µA, 350 mA	1000 @ 350MA, 2V	-
Stc5nf30v	-	RFQ	7815	Stmicroelectónica	Stripfet ™ II	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho)	Stc5nf		Mosfet (Óxido de metal)	1.5w	8-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	4.000	2 Canal N (Dual)			30V	5A		31mohm @ 2.5a, 4.5V	600mV @ 250 µA	11.5nc @ 4.5V		460pf @ 15V	Puerta de Nivel Lógico
STP9N80K5	1.4205	RFQ	7504	Stmicroelectónica	Mdmesh ™ k5	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	STP9N80		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal		800 V	7a (TC)	10V	900mohm @ 3.5a, 10V	5V @ 100 µA	12 NC @ 10 V	± 30V	340 pf @ 100 V	-	110W (TC)
STP12NM50	4.5000	RFQ	9916	Stmicroelectónica	Mdmesh ™	Tubo	Activo	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	STP12		Mosfet (Óxido de metal)		Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal		500 V	12a (TC)	10V	350mohm @ 6a, 10v	5V @ 50 µA	39 NC @ 10 V	± 30V	1000 pf @ 25 V	-	160W (TC)
SCT50N120	39.7200	RFQ	474	Stmicroelectónica	-	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	SCT50		Sicfet (CARBURO DE SILICIO)		Hip247 ™	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30		N-canal		1200 V	65a (TC)	20V	69mohm @ 40a, 20V	3V @ 1MA	122 NC @ 20 V	+25V, -10V	1900 pf @ 400 V	-	318W (TC)
Stw12nk90z	6.2600	RFQ	6006	Stmicroelectónica	Supermesh ™	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Stw12		Mosfet (Óxido de metal)		TO-247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-4421-5	EAR99	8541.29.0095	30		N-canal		900 V	11a (TC)	10V	880mohm @ 5.5a, 10V	4.5V @ 100 µA	152 NC @ 10 V	± 30V	3500 pf @ 25 V	-	230W (TC)
Stk38n3llh5	-	RFQ	3667	Stmicroelectónica	Stripfet ™ V	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Polarpak®	Stk38		Mosfet (Óxido de metal)		Polarpak®	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal		30 V	38a (TC)	4.5V, 10V	1.55mohm @ 19a, 10v	2.5V @ 250 µA	41.7 NC @ 4.5 V	± 22V	4640 pf @ 25 V	-	5.2W (TC)

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (3861)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²