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Transistores (3861)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Voltaje - Clasificado	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tipo de entrada	Freacuencia	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Calificación real (amplificador)	Condición de PrueBa	Real - PrueBa	Potencia - Salida	Ganar	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Figura de ruido	TipO IGBT	Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo)	Current - Collector (IC) (Max)	Corriente - Colector Pulsado (ICM)	VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC	Cambio de Energía	Carga de la Puerta	TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C	Voltaje - PrueBa	Real - Corte de Coleción (Max)	Tipo de transistor	VCE Saturation (Max) @ IB, IC	DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE	FRECUENCIA - Transició
Bul58d	1.4400	RFQ	5378	Stmicroelectónica	-	Tubo	Activo		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Bul58				85 W	Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50																				450 V	8 A							200 µA	NPN	2v @ 1a, 5a	5 @ 5a, 5v	-
Stw24n60m2	-	RFQ	3726	Stmicroelectónica	Mdmesh ™ ii plus	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Stw24			Mosfet (Óxido de metal)		TO-247-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30		N-canal						600 V	18a (TC)	10V	190mohm @ 9a, 10v	4V @ 250 µA	29 NC @ 10 V	± 25V	1060 pf @ 100 V	-	150W (TC)
PD20015S-E	-	RFQ	9456	Stmicroelectónica	-	Tubo	Obsoleto	40 V			Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta	PD20015		2GHz	Ldmos		Powerso-10RF (Plomo Recto)	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50			7A		350 Ma	15W	11db											-									13.6 V
Std25nf10la	2.0800	RFQ	1870	Stmicroelectónica	Stripfet ™ II	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Std25			Mosfet (Óxido de metal)		Dpak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal						100 V	25A (TC)	4.5V, 10V	35mohm @ 12.5a, 10V	2.5V @ 250 µA	52 NC @ 5 V	± 16V	1710 pf @ 25 V	-	100W (TC)
Stw30n20	-	RFQ	7766	Stmicroelectónica	Stripfet ™	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Stw30n			Mosfet (Óxido de metal)		TO-247-3	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	600		N-canal						200 V	30A (TC)		75mohm @ 15a, 10v	4V @ 250 µA	38 NC @ 10 V		1597 pf @ 25 V	-	125W (TC)
Bul1203e	1.7900	RFQ	7421	Stmicroelectónica	-	Tubo	Activo		-	A Través del Aguetero	Un 220-3	Bul1203				100 W	Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50																				550 V	5 A							100 µA	NPN	1.5V @ 1a, 3a	9 @ 2a, 5v	-
Stu3ln80k5	1.3500	RFQ	2	Stmicroelectónica	Mdmesh ™ k5	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA	Stu3ln80			Mosfet (Óxido de metal)		Ipak (un 251)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75		N-canal						800 V	2a (TC)	10V	3.25ohm @ 1a, 10v	5V @ 100 µA	2.63 NC @ 10 V	± 30V	102 pf @ 100 V	-	45W (TC)
BFX34	-	RFQ	9640	Stmicroelectónica	-	Tubo	Obsoleto		200 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN	BFX34				870 MW	To-39	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	100																				60 V	5 A							10 µA	NPN	1V @ 500 Ma, 5a	40 @ 2a, 2v	100MHz
STGFW40H65FB	-	RFQ	4066	Stmicroelectónica	-	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-3P-3 PACK STOTURO	STGFW40	Estándar			62.5 W	TO-3PF-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	30				400V, 40a, 5ohm, 15V															Parada de Campo de Trinchera	650 V	80 A	160 A	2V @ 15V, 40A	498 µJ (Encendido), 363 µJ (apagado)	210 NC	40ns/142ns
STD105N10F7AG	2.6000	RFQ	2	Stmicroelectónica	Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ F7	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Std105			Mosfet (Óxido de metal)		Dpak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal						100 V	80a (TC)	10V	8mohm @ 40a, 10v	4.5V @ 250 µA	61 NC @ 10 V	± 20V	4369 pf @ 50 V	-	120W (TC)
2str1160	-	RFQ	9673	Stmicroelectónica	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	2str				500 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000																				60 V	1 A							100NA (ICBO)	NPN	430mv @ 100 mm, 1a	180 @ 500mA, 2V	-
Stl120n4lf6ag	-	RFQ	6907	Stmicroelectónica	Automotive, AEC-Q101, StripFet ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn	Stl120			Mosfet (Óxido de metal)		Powerflat ™ (5x6)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal						40 V	120a (TC)	5V, 10V	3.6mohm @ 13a, 10v	3V @ 250 µA	80 NC @ 10 V	± 20V	4260 pf @ 25 V	-	96W (TC)
STK13003	0.6100	RFQ	3	Stmicroelectónica	-	Tubo	Obsoleto		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Sot-82	Stk13				40 W	SOT-82-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50																				400 V	1.5 A							5 mm	NPN	1.5V @ 500mA, 1.5a	5 @ 1a, 2v	-
Stu8nm50n	1.7300	RFQ	1	Stmicroelectónica	Mdmesh ™ II	Tubo	Obsoleto		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA	Stu8n			Mosfet (Óxido de metal)		I-pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	75		N-canal						500 V	5A (TC)	10V	790mohm @ 2.5a, 10V	4V @ 250 µA	14 NC @ 10 V	± 25V	364 pf @ 50 V	-	45W (TC)
Stp3nk80z	1.8700	RFQ	995	Stmicroelectónica	Supermesh ™	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Stp3nk80			Mosfet (Óxido de metal)		Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-4379-5	EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						800 V	2.5A (TC)	10V	4.5ohm @ 1.25a, 10V	4.5V @ 50 µA	19 NC @ 10 V	± 30V	485 pf @ 25 V	-	70W (TC)
STP40NF10	2.5000	RFQ	4849	Stmicroelectónica	Stripfet ™ II	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	STP40			Mosfet (Óxido de metal)		Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						100 V	50A (TC)	10V	28mohm @ 25A, 10V	4V @ 250 µA	62 NC @ 10 V	± 20V	2180 pf @ 25 V	-	150W (TC)
STS8C5H30L	-	RFQ	2847	Stmicroelectónica	Stripfet ™ III	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	STS8C5			Mosfet (Óxido de metal)	2W	8-Soico	-	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	Vecino del canal							30V	8a, 5.4a		22mohm @ 4a, 10v	1V @ 250 µA	10NC @ 5V		857pf @ 25V	Puerta de Nivel Lógico
Stp35nf10	-	RFQ	8945	Stmicroelectónica	Stripfet ™ II	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	Stp35n			Mosfet (Óxido de metal)		Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						100 V	40A (TC)	10V	35mohm @ 17.5a, 10v	4V @ 250 µA	55 NC @ 10 V	± 20V	1550 pf @ 25 V	-	115W (TC)
STF13NM50N	-	RFQ	1077	Stmicroelectónica	Mdmesh ™ II	Tubo	Obsoleto		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	To20-3 paqueto entero	STF13			Mosfet (Óxido de metal)		Un 220FP	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						500 V	12a (TC)	10V	320mohm @ 6a, 10v	4V @ 250 µA	30 NC @ 10 V	± 25V	960 pf @ 50 V	-	25W (TC)
Stu5nk50z	-	RFQ	1114	Stmicroelectónica	*	Tape & Reel (TR)	Obsoleto					Stu5n						-		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		Obsoleto		3.000
HD1530JL	-	RFQ	5275	Stmicroelectónica	-	Tubo	Obsoleto		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-264-3, TO-264AA	HD1530				200 W	Un 264	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	25																				700 V	26 A							200 µA	NPN	2.5V @ 3.25a, 13a	5 @ 13a, 5v	-
STN851	0.9000	RFQ	1723	Stmicroelectónica	-	Tape & Reel (TR)	Activo		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-261-4, TO-261AA	STN851				1.6 W	SOT-223	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0075	1,000																				60 V	5 A							50NA (ICBO)	NPN	500mv @ 200MA, 5A	150 @ 2a, 1v	130MHz
2STC5948	-	RFQ	9220	Stmicroelectónica	-	Tubo	Obsoleto		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-3P-3, SC-65-3	2STC				200 W	Un 3p	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-6958-5	EAR99	8541.29.0095	30																				250 V	17 A							5 µA (ICBO)	NPN	3V @ 800mA, 8A	80 @ 1a, 5v	25MHz
STW11NB80	-	RFQ	2615	Stmicroelectónica	PowerMesh ™	Tubo	Obsoleto		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Stw11n			Mosfet (Óxido de metal)		TO-247-3	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-2789-5	EAR99	8541.29.0095	30		N-canal						800 V	11a (TC)	10V	800mohm @ 5.5a, 10V	5V @ 250 µA	70 NC @ 10 V	± 30V	2900 pf @ 25 V	-	190W (TC)
MMBT3906	-	RFQ	5042	Stmicroelectónica	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	MMBT				350 MW	Sot-23-3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0075	3.000																				40 V	200 MA							-	PNP	400mv @ 5 Ma, 50 Ma	100 @ 10mA, 1V	250MHz
STP12N120K5	11.3400	RFQ	7545	Stmicroelectónica	Mdmesh ™ k5	Tubo	Activo		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	STP12			Mosfet (Óxido de metal)		Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						1200 V	12a (TC)	10V	690mohm @ 6a, 10v	5V @ 100 µA	44.2 NC @ 10 V	± 30V	1370 pf @ 100 V	-	250W (TC)
2ST5949	-	RFQ	8456	Stmicroelectónica	-	Bolsa	Obsoleto		150 ° C (TJ)	Monte del Chasis	TO-204AA, TO-3	2ST59				250 W	A 3	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado	497-6953	EAR99	8541.29.0095	100																				250 V	17 A							5 µA (ICBO)	NPN	3V @ 800mA, 8A	80 @ 1a, 5v	25MHz
STP20NM60	6.3800	RFQ	984	Stmicroelectónica	Mdmesh ™	Tubo	Activo		150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	STP20			Mosfet (Óxido de metal)		Un 220	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	50		N-canal						600 V	20A (TC)	10V	290mohm @ 10a, 10v	5V @ 250 µA	54 NC @ 10 V	± 30V	1500 pf @ 25 V	-	192W (TC)
Stl58n3llh5	1.6000	RFQ	6686	Stmicroelectónica	Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ H5	Tape & Reel (TR)	Activo		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8Powervdfn	Stl58			Mosfet (Óxido de metal)		Powerflat ™ (5x6)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal						30 V	64a (TC)	4.5V, 10V	9mohm @ 7.5a, 10v	2.5V @ 250 µA	10 NC @ 4.5 V	+22V, -20V	950 pf @ 25 V	-	4.8W (TA), 62.5W (TC)
STB200NF04T4	-	RFQ	3344	Stmicroelectónica	Stripfet ™ II	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	Stb200n			Mosfet (Óxido de metal)		D2pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	1,000		N-canal						40 V	120a (TC)	10V	3.7mohm @ 90a, 10v	4V @ 250 µA	210 NC @ 10 V	± 20V	5100 pf @ 25 V	-	310W (TC)

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Transistores (3861)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²