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Transistores (3861)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | HD1530JL | - |  | 5275 | 0.00000000 | Stmicroelectónica | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-264-3, TO-264AA | HD1530 | 200 W | Un 264 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 700 V | 26 A | 200 µA | NPN | 2.5V @ 3.25a, 13a | 5 @ 13a, 5v | - | ||||||||||||||||||||||
 | STB200NF04T4 | - | | 3344 | 0.00000000 | Stmicroelectónica | Stripfet ™ II | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Stb200n | Mosfet (Óxido de metal) | D2pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 40 V | 120a (TC) | 10V | 3.7mohm @ 90a, 10v | 4V @ 250 µA | 210 NC @ 10 V | ± 20V | 5100 pf @ 25 V | - | 310W (TC) | ||||||||||||||||||
 | ULQ2003D1013TRY | 1.0200 | | 45 | 0.00000000 | Stmicroelectónica | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ULQ2003 | - | 16-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 50V | 500mA | - | 7 NPN Darlington | 1.6V @ 500 µA, 350 mA | 1000 @ 350MA, 2V | - | ||||||||||||||||||||||
 | 2N5416 | - | | 3141 | 0.00000000 | Stmicroelectónica | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N54 | 1 W | To-39 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | 300 V | 1 A | 50 µA | PNP | 2.5V @ 5 mm, 50 Ma | 30 @ 50mA, 10V | 15MHz | ||||||||||||||||||||||
 | Stfi20nk50z | 3.8300 | | 1 | 0.00000000 | Stmicroelectónica | Supermesh ™ | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To-262-3 paquete completo, i²pak | Stfi20n | Mosfet (Óxido de metal) | I2pakfp (un 281) | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 17a (TC) | 10V | 270mohm @ 8.5a, 10v | 4.5V @ 100 µA | 119 NC @ 10 V | ± 30V | 2600 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||
 | Bdw84c | - | | 7967 | 0.00000000 | Stmicroelectónica | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To18-3, a 218AC | BDW84 | 130 W | Un 218-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 497-5717 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 100 V | 15 A | 1mera | PNP - Darlington | 4V @ 150 mm, 15a | 750 @ 6a, 3V | - | |||||||||||||||||||||
 | Std8nm60nd | - | | 7040 | 0.00000000 | Stmicroelectónica | FDMESH ™ II | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Std8n | Mosfet (Óxido de metal) | Dpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 V | 7a (TC) | 10V | 700mohm @ 3.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 30V | 560 pf @ 50 V | - | 70W (TC) | ||||||||||||||||||
 | MJE3055T | 1.1400 | | 2152 | 0.00000000 | Stmicroelectónica | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | MJE3055 | 75 W | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 60 V | 10 A | 700 µA | NPN | 8V @ 3.3a, 10a | 20 @ 4a, 4V | 2MHz | ||||||||||||||||||||||
 | ULQ2003A | 0.9800 | | 3 | 0.00000000 | Stmicroelectónica | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 16 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | ULQ2003 | - | 16 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 50V | 500mA | - | 7 NPN Darlington | 1.6V @ 500 µA, 350 mA | 1000 @ 350MA, 2V | - | ||||||||||||||||||||||
| STP7N95K3 | 3.1400 | | 499 | 0.00000000 | Stmicroelectónica | SUPMESH3 ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | STP7N95 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 497-8792-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 950 V | 7.2a (TC) | 10V | 1.35ohm @ 3.6a, 10v | 5V @ 100 µA | 34 NC @ 10 V | ± 30V | 1031 pf @ 100 V | - | 150W (TC) | |||||||||||||||||
| HD1750JL | - | | 5105 | 0.00000000 | Stmicroelectónica | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-264-3, TO-264AA | HD1750 | 200 W | Un 264 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 800 V | 24 A | 200 µA | NPN | 3V @ 3a, 12a | 5.5 @ 12a, 5V | - | ||||||||||||||||||||||
 | STF4N90K5 | 2.1200 | | 922 | 0.00000000 | Stmicroelectónica | Mdmesh ™ k5 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | STF4N90 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220FP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 497-17071 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 900 V | 4A (TC) | 10V | 2.1ohm @ 1a, 10v | 5V @ 100 µA | 5.3 NC @ 10 V | ± 30V | 173 pf @ 100 V | - | 20W (TC) | |||||||||||||||||
| Bd241c | 0.6800 | | 2 | 0.00000000 | Stmicroelectónica | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | BD241 | 40 W | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 497-12139 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 100 V | 3 A | 300 µA | NPN | 1.2v @ 600 mA, 3a | 10 @ 3a, 4v | - | |||||||||||||||||||||
 | Stsj25nf3ll | - | | 9218 | 0.00000000 | Stmicroelectónica | Stripfet ™ II | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla Expunesta de 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm) | STSJ25 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 25A (TC) | 4.5V, 10V | 10.5mohm @ 12.5a, 10V | 1V @ 250 µA | 33 NC @ 4.5 V | ± 16V | 1650 pf @ 25 V | - | 70W (TC) | ||||||||||||||||||
 | 2str2215 | 0.3900 | | 9 | 0.00000000 | Stmicroelectónica | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 2str | 500 MW | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 15 V | 1.5 A | 100NA (ICBO) | PNP | 850MV @ 200MA, 2A | 200 @ 500mA, 2V | - | ||||||||||||||||||||||
 | Stw13nk100z | 12.2300 | | 4425 | 0.00000000 | Stmicroelectónica | Supermesh ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Stw13 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 1000 V | 13a (TC) | 10V | 700mohm @ 6.5a, 10v | 4.5V @ 150 µA | 266 NC @ 10 V | ± 30V | 6000 pf @ 25 V | - | 350W (TC) | ||||||||||||||||||
 | Stw19nm65n | - | | 4369 | 0.00000000 | Stmicroelectónica | Mdmesh ™ II | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Stw19n | Mosfet (Óxido de metal) | TO-247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 15.5a (TC) | 10V | 270mohm @ 7.75a, 10v | 4V @ 250 µA | 55 NC @ 10 V | ± 25V | 1900 pf @ 50 V | - | 150W (TC) | ||||||||||||||||||
| TIP48 | - | | 7073 | 0.00000000 | Stmicroelectónica | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | TIP48 | 2 W | Un 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 300 V | 1 A | 1mera | NPN | 1V @ 200MA, 1A | 30 @ 300mA, 10V | 10MHz | ||||||||||||||||||||||
| STW12N120K5 | 10.6600 | | 267 | 0.00000000 | Stmicroelectónica | Mdmesh ™ k5 | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Stw12 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 497-15446-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 1200 V | 12a (TC) | 10V | 690mohm @ 6a, 10v | 5V @ 100 µA | 44.2 NC @ 10 V | ± 30V | 1370 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||||||||||||||
| ULN2064B | 6.8000 | | 8430 | 0.00000000 | Stmicroelectónica | - | Tubo | Activo | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 16-PowerDip (0.300 ", 7.62 mm) | ULN2064 | 1W | 16-PowerDip (20x7.10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | 50V | 1.75a | - | 4 NPN Darlington (Quad) | 1.4V @ 2mA, 1.25a | - | - | ||||||||||||||||||||||
 | STX616 | - | | 3139 | 0.00000000 | Stmicroelectónica | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | STX616 | 2.8 W | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 500 V | 1.5 A | 50 µA | NPN | 1V @ 200MA, 1A | 12 @ 500 Ma, 5V | - | ||||||||||||||||||||||
| Std5n20lt4 | 1.1100 | | 21 | 0.00000000 | Stmicroelectónica | Stripfet ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Std5n20 | Mosfet (Óxido de metal) | Dpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 200 V | 5A (TC) | 5V | 700mohm @ 2.5a, 5V | 2.5V @ 50 µA | 6 NC @ 5 V | ± 20V | 242 pf @ 25 V | - | 33W (TC) | ||||||||||||||||||
 | STN851 | 0.9000 | | 1723 | 0.00000000 | Stmicroelectónica | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | STN851 | 1.6 W | SOT-223 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 60 V | 5 A | 50NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 200MA, 5A | 150 @ 2a, 1v | 130MHz | ||||||||||||||||||||||
| Stgwt40h60dlfb | 4.3000 | | 445 | 0.00000000 | Stmicroelectónica | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Stgwt40 | Estándar | 283 W | Un 3p | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 40a, 10ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 80 A | 160 A | 2V @ 15V, 40A | 363 µJ (apaguado) | 210 NC | -/142ns | |||||||||||||||||||
| Stgwt60h60dlfb | - | | 6845 | 0.00000000 | Stmicroelectónica | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3, SC-65-3 | Stgwt60 | Estándar | 375 W | Un 3p | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 60a, 5ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 600 V | 80 A | 240 A | 2V @ 15V, 60A | 626 µJ (apaguado) | 306 NC | -/160ns | |||||||||||||||||||
 | ULQ2803A | 3.0300 | | 7 | 0.00000000 | Stmicroelectónica | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | A Través del Aguetero | 18 DIP (0.300 ", 7.62 mm) | ULQ2803 | 2.25W | 18 Dipp | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | 50V | 500mA | - | 8 NPN Darlington | 1.6V @ 500 µA, 350 mA | 1000 @ 350MA, 2V | - | ||||||||||||||||||||||
| STBV45G-AP | 0.5100 | | 5 | 0.00000000 | Stmicroelectónica | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales | STBV45 | 950 MW | TO-92AP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 400 V | 750 Ma | 250 µA | NPN | 1.5V @ 135MA, 400 mA | 5 @ 400mA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||
| MJD45H11T4 | 0.9900 | | 5260 | 0.00000000 | Stmicroelectónica | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | MJD45 | 20 W | Dpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 80 V | 8 A | 10 µA | PNP | 1V @ 400 Ma, 8a | 40 @ 4a, 1v | - | ||||||||||||||||||||||
| TRD136DT4 | - | | 5847 | 0.00000000 | Stmicroelectónica | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | TRD136 | 20 W | Dpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 400 V | 3 A | - | NPN | 1V @ 500 Ma, 2a | 10 @ 2a, 5v | - | ||||||||||||||||||||||
| Stw5nk100z | 4.6200 | | 5324 | 0.00000000 | Stmicroelectónica | SUPMESH3 ™ | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Stw5nk100 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-247-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 1000 V | 3.5A (TC) | 10V | 3.7ohm @ 1.75a, 10V | 4.5V @ 100 µA | 59 NC @ 10 V | ± 30V | 1154 pf @ 25 V | - | 125W (TC) |
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