SIC
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Transistores (3861)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Tipo de fet Calificación real (amplificador) Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
STB16NF25 STMicroelectronics STB16NF25 -
RFQ
 ECAD 1040 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb16n Mosfet (Óxido de metal) D2pak - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 30 V 14.5A (TC) 4mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA 40 NC @ 4.5 V 4490 pf @ 12 V - -
STD30NF06LT4 STMicroelectronics Std30nf06lt4 1.5600
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std30 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 35A (TC) 5V, 10V 28mohm @ 18a, 10v 2.5V @ 250 µA 31 NC @ 5 V ± 20V 1600 pf @ 25 V - 70W (TC)
TIP2955 STMicroelectronics TIP2955 2.4800
RFQ
 ECAD 4137 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 TIP2955 90 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 60 V 15 A 700 µA PNP 3V @ 3.3a, 10a 20 @ 4a, 4V -
STB42N65M5 STMicroelectronics STB42N65M5 12.1200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ v Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb42 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 33A (TC) 10V 79mohm @ 16.5a, 10v 5V @ 250 µA 100 NC @ 10 V ± 25V 4650 pf @ 100 V - 190W (TC)
BUL59 STMicroelectronics Bul59 -
RFQ
 ECAD 1703 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Bul59 90 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 400 V 8 A 200 µA NPN 1.5V @ 1a, 5a 6 @ 5a, 5v -
STW20NM60 STMicroelectronics Stw20nm60 6.3500
RFQ
 ECAD 7417 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 STW20 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 20A (TC) 10V 290mohm @ 10a, 10v 5V @ 250 µA 54 NC @ 10 V ± 30V 1500 pf @ 25 V - 192W (TC)
ST2310FX STMicroelectronics ST2310FX -
RFQ
 ECAD 2989 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero ISOWATT218FX ST2310 65 W ISOWATT-218FX descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 300 600 V 12 A 1mera NPN 3V @ 1.75a, 7a 6.5 @ 7a, 5v -
MMBTA42 STMicroelectronics Mmbta42 -
RFQ
 ECAD 5997 0.00000000 Stmicroelectónica Sot-23 Tape & Reel (TR) Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT 350 MW Sot-23 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 300 V 100 mA 250NA (ICBO) NPN 200 MV @ 2mA, 20 Ma 60 @ 1 MMA, 10V 50MHz
STF11N60DM2 STMicroelectronics STF11N60DM2 1.8900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ dm2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF11 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16960 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 10a (TC) 10V 420mohm @ 5a, 10v 5V @ 250 µA 16.5 NC @ 10 V ± 25V 614 pf @ 100 V - 25W (TC)
STD6N65M2 STMicroelectronics Std6n65m2 1.4100
RFQ
 ECAD 3793 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std6n65 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 V 4A (TC) 10V 1.35ohm @ 2a, 10v 4V @ 250 µA 9.8 NC @ 10 V ± 25V 226 pf @ 100 V - 60W (TC)
STW55NM60N STMicroelectronics Stw55nm60n -
RFQ
 ECAD 4922 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw55n Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 51a (TC) 10V 60mohm @ 25.5a, 10V 4V @ 250 µA 190 NC @ 10 V ± 25V 5800 pf @ 50 V - 350W (TC)
STE45NK80ZD STMicroelectronics Ste45nk80zd -
RFQ
 ECAD 1252 0.00000000 Stmicroelectónica Superfredmesh ™ Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Isotop Ste45 Mosfet (Óxido de metal) ISOTOP® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 100 N-canal 800 V 45a (TC) 10V 130mohm @ 22.5a, 10V 4.5V @ 150 µA 781 NC @ 10 V ± 30V 26000 pf @ 25 V - 600W (TC)
SCTH90N65G2V-7 STMicroelectronics SCTH90N65G2V-7 35.0600
RFQ
 ECAD 87 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-263-8, D²PAK (7 cables + Pestaña), TO-263CA SCTH90 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) H2PAK-7 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 90A (TC) 18V 26mohm @ 50A, 18V 5V @ 1MA 157 NC @ 18 V +22V, -10V 3300 pf @ 400 V - 330W (TC)
STP10NK62ZFP STMicroelectronics STP10NK62ZFP -
RFQ
 ECAD 7863 0.00000000 Stmicroelectónica * Tape & Reel (TR) Activo STP10 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 1,000
MJE340 STMicroelectronics MJE340 0.7600
RFQ
 ECAD 218 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 MJE340 20.8 W SOT-32-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 300 V 500 mA 100 µA (ICBO) NPN - 30 @ 50mA, 10V -
PD57006S STMicroelectronics PD57006S -
RFQ
 ECAD 7254 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto 65 V Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta PD57006 945MHz Ldmos 10 pozo descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 1A 70 Ma 6W 15dB - 28 V
BUV98AV STMicroelectronics Buv98av -
RFQ
 ECAD 7485 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Isotop BUV98 150 W Isotop descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10 450 V 30 A - NPN 5V @ 5a, 24a 9 @ 24a, 5v -
STF826 STMicroelectronics STF826 -
RFQ
 ECAD 5634 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA STF826 1.4 W SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2.500 30 V 3 A 100 µA PNP 1.1V @ 150MA, 3A 100 @ 100 maja, 2v 100MHz
STP30NM60N STMicroelectronics STP30NM60N -
RFQ
 ECAD 5593 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp30n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 25A (TC) 10V 130mohm @ 12.5a, 10V 4V @ 250 µA 91 NC @ 10 V ± 30V 2700 pf @ 50 V - 190W (TC)
2N3906 STMicroelectronics 2N3906 -
RFQ
 ECAD 3459 0.00000000 Stmicroelectónica - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) 2n39 625 MW Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2.500 40 V 200 MA - PNP 400mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 250MHz
STLD128DNT4 STMicroelectronics Stld128dnt4 0.9400
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Stld128 20 W Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-8786-2 EAR99 8541.29.0095 2.500 400 V 4 A 250 µA NPN 1V @ 400MA, 2A 8 @ 2a, 5v -
STD9NM50N-1 STMicroelectronics Std9nm50n-1 -
RFQ
 ECAD 1448 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Std9 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 500 V 5A (TC) 10V 560mohm @ 3.7a, 10V 4V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 25V 570 pf @ 50 V - 70W (TC)
STB21N90K5 STMicroelectronics STB21N90K5 6.6500
RFQ
 ECAD 3664 0.00000000 Stmicroelectónica Supermesh5 ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB21 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 900 V 18.5A (TC) 10V 299mohm @ 9a, 10v 5V @ 100 µA 43 NC @ 10 V ± 30V 1645 pf @ 100 V - 250W (TC)
STD60NH03L-1 STMicroelectronics Std60nh03l-1 -
RFQ
 ECAD 1231 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ III Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Std60n Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 60A (TC) 5V, 10V 9mohm @ 30a, 10v 1V @ 250 µA 21 NC @ 5 V ± 20V 2200 pf @ 25 V - 70W (TC)
STN4NF20L STMicroelectronics Stn4nf20l 0.7500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ II Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Stn4nf20 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 200 V 1A (TC) 5V, 10V 1.5ohm @ 500 mA, 10V 3V @ 250 µA 0.9 NC @ 10 V ± 20V 150 pf @ 25 V - 3.3W (TC)
TIP36C STMicroelectronics TIP36C 2.5900
RFQ
 ECAD 9018 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 TIP36 125 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 100 V 25 A 1mera PNP 4V @ 5a, 25a 10 @ 15a, 4V 3MHz
STP4NK60Z STMicroelectronics STP4NK60Z 1.7200
RFQ
 ECAD 869 0.00000000 Stmicroelectónica Supermesh ™ Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP4NK60 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 4A (TC) 10V 2ohm @ 2a, 10v 4.5V @ 50 µA 26 NC @ 10 V ± 30V 510 pf @ 25 V - 70W (TC)
STW13009 STMicroelectronics STW13009 -
RFQ
 ECAD 6796 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw130 125 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400 V 12 A - NPN 2.5V @ 3a, 12a 15 @ 5a, 5v -
TIP33C STMicroelectronics TIP33C -
RFQ
 ECAD 4905 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 TIP33 80 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 100 V 10 A 700 µA NPN 4V @ 2.5a, 10a 20 @ 3a, 4V 3MHz
BD179 STMicroelectronics BD179 -
RFQ
 ECAD 4908 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO25AA, A-126-3 BD179 30 W Sot-32 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Bd179st EAR99 8541.29.0095 2,000 80 V 3 A 100 µA (ICBO) NPN 800mv @ 100 mm, 1a 15 @ 2v, 1a -
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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    15,000 m2

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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