SIC
close
Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de funciones Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa
STGF20M65DF2 STMicroelectronics STGF20M65DF2 2.1200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectónica METRO Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STGF20 Estándar 32.6 W Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400V, 20a, 12ohm, 15V 166 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 40 A 80 A 2V @ 15V, 20a 140 µJ (Encendido), 560 µJ (apagado) 63 NC 26ns/108ns
STGF3HF60HD STMicroelectronics STGF3HF60HD -
RFQ
ECAD 4763 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Stgf3 Estándar 18 W Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 400V, 1.5A, 100OHM, 15V 85 ns - 600 V 7.5 A 18 A 2.95V @ 15V, 1.5a 19 µJ (Encendido), 12 µJ (apaguado) 12 NC 11ns/60ns
STGWA40H60DLFB STMicroelectronics Stgwa40h60dlfb -
RFQ
ECAD 9802 0.00000000 Stmicroelectónica pensión de medios Tubo Activo 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stgwa40 Estándar 283 W TO-247 LARGOS LARGOS - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 - Parada de Campo de Trinchera 600 V 40 A 2V @ 7V, 40A - -
STGWA40H65DFB STMicroelectronics Stgwa40h65dfb 4.2600
RFQ
ECAD 2632 0.00000000 Stmicroelectónica pensión de medios Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stgwa40 Estándar 283 W TO-247 LARGOS LARGOS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 400V, 40a, 5ohm, 15V 62 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 80 A 160 A 2V @ 15V, 40A 498 µJ (Encendido), 363 µJ (apagado) 210 NC 40ns/142ns
STU3N65M6 STMicroelectronics Stu3n65m6 0.5230
RFQ
ECAD 5067 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ m6 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Stu3n65 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 650 V 3.5A (TC) 10V 1.5ohm @ 1.75a, 10V 3.75V @ 250 µA 6 NC @ 10 V ± 25V 150 pf @ 100 V - 45W (TC)
STL225N6F7AG STMicroelectronics Stl225n6f7ag 3.7100
RFQ
ECAD 6098 0.00000000 Stmicroelectónica Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ F7 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn Stl225 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 120a (TC) 10V 1.4mohm @ 60a, 10v 4V @ 250 µA 98 NC @ 10 V ± 20V 6500 pf @ 25 V - 188W (TC)
STL36DN6F7 STMicroelectronics Stl36dn6f7 1.1000
RFQ
ECAD 4024 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl36 Mosfet (Óxido de metal) 58W Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 60V 33A (TC) 27mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250 µA 8NC @ 10V 420pf @ 30V -
STB25NF06AG STMicroelectronics Stb25nf06ag -
RFQ
ECAD 2332 0.00000000 Stmicroelectónica Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb25n Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 19a (TC) 4.5V, 10V - - - - 50W (TC)
STD10LN80K5 STMicroelectronics Std10ln80k5 2.9300
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ k5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std10 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak (A 252) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 800 V 8a (TC) 10V 630mohm @ 4a, 10v 5V @ 100 µA 15 NC @ 10 V ± 30V 427 pf @ 100 V - 110W (TC)
PD85050S STMicroelectronics PD85050S -
RFQ
ECAD 9223 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo 50 V PowerSo-10RF Padera Inferior Expuesta (2 cables rectos) PD85050 870MHz Ldmos Powerso-10RF (Plomo Recto) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 400 1 µA 500 mA 55w 12dB - 13.6 V
SCTWA10N120 STMicroelectronics Sctwa10n120 10.9300
RFQ
ECAD 500 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Sctwa10 Sicfet (CARBURO DE SILICIO) HIP247 ™ Larges Largos descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado -1138-sctwa10n120 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1200 V 12a (TC) 20V 690mohm @ 6a, 20V 3.5V @ 250 µA (topos) 21 NC @ 20 V +25V, -10V 300 pf @ 1000 V - 110W (TC)
STL200N45LF7 STMicroelectronics Stl200n45lf7 -
RFQ
ECAD 8448 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ f7 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl200 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 45 V 120a (TC) 4.5V, 10V 1.8mohm @ 18a, 10v 1.2V @ 250 µA 33 NC @ 4.5 V ± 20V 5170 pf @ 25 V - 150W (TC)
STGB7H60DF STMicroelectronics STGB7H60DF 0.6716
RFQ
ECAD 9092 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stgb7 Estándar 88 W D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 400V, 7a, 47ohm, 15V 136 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 14 A 28 A 1.95V @ 15V, 7a 99 µJ (Encendido), 100 µJ (apaguado) 46 NC 30ns/160ns
STU12N60M2 STMicroelectronics Stu12n60m2 0.7754
RFQ
ECAD 1785 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ m2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Stu12 Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 600 V 9A (TC) 10V 450mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250 µA 16 NC @ 10 V ± 25V 538 pf @ 100 V - 85W (TC)
STU16N60M2 STMicroelectronics Stu16n60m2 -
RFQ
ECAD 7422 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ m2 Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Stu16n Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (ipak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 600 V 12a (TC) 10V 320mohm @ 6a, 10v 4V @ 250 µA 19 NC @ 10 V ± 25V 700 pf @ 100 V - 110W (TC)
STFU24N60M2 STMicroelectronics STFU24N60M2 2.9900
RFQ
ECAD 1445 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ m2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STFU24 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16110-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 18a (TC) 10V 190mohm @ 9a, 10v 4V @ 250 µA 29 NC @ 10 V ± 25V 1060 pf @ 100 V - 30W (TC)
STL135N8F7AG STMicroelectronics Stl135n8f7ag 3.2500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectónica Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ F7 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn Stl135 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 80 V 130A (TC) 10V 3.6mohm @ 13a, 10v 4.5V @ 250 µA 103 NC @ 10 V ± 20V 6800 pf @ 40 V - 4.8W (TA), 135W (TC)
STFW3N170 STMicroelectronics STFW3N170 6.3100
RFQ
ECAD 5834 0.00000000 Stmicroelectónica PowerMesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-3P-3 PACK STOTURO STFW3 Mosfet (Óxido de metal) Un 3pf descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16308-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 1700 V 2.6a (TC) 10V 13ohm @ 1.3a, 10v 5V @ 250 µA 44 NC @ 10 V ± 30V 1100 pf @ 100 V - 63W (TC)
STW72N60DM2AG STMicroelectronics Stw72n60dm2ag 11.4700
RFQ
ECAD 9547 0.00000000 Stmicroelectónica Automotive, AEC-Q101, MDMESH ™ DM2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw72 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16130-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 66a (TC) 10V 42mohm @ 33a, 10v 5V @ 250 µA 121 NC @ 10 V ± 25V 5508 pf @ 100 V - 446W (TC)
STP18N60DM2 STMicroelectronics STP18N60DM2 2.7100
RFQ
ECAD 8937 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ dm2 Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP18 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 12a (TC) 10V 295mohm @ 6a, 10v 5V @ 250 µA 20 NC @ 10 V ± 25V 800 pf @ 100 V - 90W (TC)
STW56N60DM2 STMicroelectronics Stw56n60dm2 12.1000
RFQ
ECAD 6888 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ dm2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw56 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16341-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 50A (TC) 10V 60mohm @ 25A, 10V 5V @ 250 µA 90 NC @ 10 V ± 25V 4100 pf @ 100 V - 360W (TC)
STGD5H60DF STMicroelectronics Stgd5h60df 1.1600
RFQ
ECAD 5943 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Stgd5 Estándar 83 W Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 400V, 5A, 47OHM, 15V 134.5 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 10 A 20 A 1.95V @ 15V, 5A 56 µJ (Encendido), 78.5 µJ (apaguado) 43 NC 30ns/140ns
STGF15M65DF2 STMicroelectronics STGF15M65DF2 1.7100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STGF15 Estándar 31 W Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16480-5 EAR99 8541.29.0095 50 400V, 15a, 12ohm, 15V 142 ns Parada de Campo de Trinchera 650 V 30 A 60 A 2V @ 15V, 15a 90 µJ (Encendido), 450 µJ (apaguado) 45 NC 24ns/93ns
STGF5H60DF STMicroelectronics STGF5H60DF 1.5100
RFQ
ECAD 3606 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Stgf5 Estándar 24 W Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16481-5 EAR99 8541.29.0095 50 400V, 5A, 47OHM, 15V 134.5 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 10 A 20 A 1.95V @ 15V, 5A 56 µJ (Encendido), 78.5 µJ (apaguado) 43 NC 30ns/140ns
STF27N60M2-EP STMicroelectronics STF27N60M2-EP 3.1200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ M2-EP Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF27 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 20A (TC) 10V 163mohm @ 10a, 10v 4.75V @ 250 µA 33 NC @ 10 V ± 25V 1320 pf @ 100 V - 30W (TC)
STF26N60M2 STMicroelectronics STF26N60M2 3.0400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF26 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16514-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 20A (TC) 10V 165mohm @ 11a, 10v 4V @ 250 µA ± 25V - 30W (TC)
STGW33IH120D STMicroelectronics STGW33IH120D -
RFQ
ECAD 9295 0.00000000 Stmicroelectónica PowerMesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 STGW33 Estándar 220 W TO-247 LARGOS LARGOS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-8440-5 EAR99 8541.29.0095 30 960V, 20a, 10ohm, 15V 85 ns - 1200 V 60 A 45 A 2.8V @ 15V, 20a 1.5mj (Encendido), 3.4mj (apaguado) 127 NC 46ns/284ns
STP6N62K3 STMicroelectronics STP6N62K3 1.9500
RFQ
ECAD 86 0.00000000 Stmicroelectónica SUPMESH3 ™ Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP6N62 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 620 V 5.5a (TC) 10V 1.2ohm @ 2.8a, 10v 4.5V @ 50 µA 34 NC @ 10 V ± 30V 875 pf @ 50 V - 90W (TC)
STW55NM50N STMicroelectronics Stw55nm50n -
RFQ
ECAD 9099 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw55n Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-8462-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 500 V 54a (TC) 10V 54mohm @ 27A, 10V 4V @ 250 µA 180 NC @ 10 V ± 25V 5800 pf @ 50 V - 350W (TC)
STB75NF75T4 STMicroelectronics STB75NF75T4 3.7900
RFQ
ECAD 4945 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ II Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB75 Mosfet (Óxido de metal) D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 75 V 80a (TC) 10V 11mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 160 NC @ 10 V ± 20V 3700 pf @ 25 V - 300W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock