SIC
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Transistores (3861)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Aporte Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Termistor NTC Capacitancia de Entrada (CIE) @ VCE Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
STS1DN45K3 STMicroelectronics STS1DN45K3 -
RFQ
 ECAD 3554 0.00000000 Stmicroelectónica SUPMESH3 ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Sts1d Mosfet (Óxido de metal) 1.3w 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 450V 500mA 3.8ohm @ 500 mA, 10V 4.5V @ 50 µA 6NC @ 10V 150pf @ 25V -
STL52N25M5 STMicroelectronics Stl52n25m5 -
RFQ
 ECAD 8409 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ v Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl52 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 250 V 28a (TC) 10V 65mohm @ 14a, 10v 5V @ 100 µA 47 NC @ 10 V ± 25V 1770 pf @ 50 V - 2.5W (TA), 110W (TC)
STGD3HF60HDT4 STMicroelectronics Stgd3hf60hdt4 1.0700
RFQ
 ECAD 3612 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Stgd3 Estándar 38 W Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 400V, 1.5A, 100OHM, 15V 85 ns - 600 V 7.5 A 18 A 2.95V @ 15V, 1.5a 19 µJ (Encendido), 12 µJ (apaguado) 12 NC 11ns/60ns
STF9NM60N STMicroelectronics Stf9nm60n 2.8900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ II Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF9NM60 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 6.5a (TC) 10V 745mohm @ 3.25a, 10V 4V @ 250 µA 17.4 NC @ 10 V ± 25V 452 pf @ 50 V - 25W (TC)
STB25NM60N-1 STMicroelectronics STB25NM60N-1 -
RFQ
 ECAD 4039 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-5730 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 21a (TC) 10V 160mohm @ 10.5a, 10v 4V @ 250 µA 84 NC @ 10 V ± 25V 2400 pf @ 50 V - 160W (TC)
STGF19NC60HD STMicroelectronics STGF19NC60HD 2.4700
RFQ
 ECAD 344 0.00000000 Stmicroelectónica PowerMesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STGF19 Estándar 32 W Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 390V, 12a, 10ohm, 15V 31 ns - 600 V 16 A 60 A 2.5V @ 15V, 12A 85 µJ (Encendido), 189 µJ (apaguado) 53 NC 25ns/97ns
STGW39NC60VD STMicroelectronics STGW39NC60VD 5.8000
RFQ
 ECAD 527 0.00000000 Stmicroelectónica PowerMesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 STGW39 Estándar 250 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-5741 EAR99 8541.29.0095 30 390v, 30a, 10ohm, 15V 45 ns - 600 V 80 A 220 A 2.4V @ 15V, 30a 333 µJ (encendido), 537 µJ (OFF) 126 NC 33ns/178ns
STG3P2M10N60B STMicroelectronics STG3P2M10N60B -
RFQ
 ECAD 1586 0.00000000 Stmicroelectónica Semitop® Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte del Chasis Semitop®2 Stg3p2 56 W Rectificador de Puente de Una Sola Fase Semitop®2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 15 Inversor trifásico - 600 V 19 A 2.5V @ 15V, 7a 10 µA No 720 pf @ 25 V
STGE50NB60HD STMicroelectronics Stge50nb60hd -
RFQ
 ECAD 6171 0.00000000 Stmicroelectónica PowerMesh ™ Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) Monte del Chasis SOT-227-4, Miniócrita Stge50 300 W Estándar Isotop descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 497-5269-5 EAR99 8541.29.0095 100 Soltero - 600 V 100 A 2.8V @ 15V, 50A 250 µA No 4.5 NF @ 25 V
PD55035S-E STMicroelectronics PD55035S-E -
RFQ
 ECAD 4654 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto 40 V Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta PD55035 500MHz Ldmos Powerso-10RF (Plomo Recto) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 7A 200 MA 35W 16.9dB - 12.5 V
STGW30NC120HD STMicroelectronics STGW30NC120HD 5.1600
RFQ
 ECAD 3019 0.00000000 Stmicroelectónica PowerMesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stgw30 Estándar 220 W TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-5314-5 EAR99 8541.29.0095 30 960V, 20a, 10ohm, 15V 152 ns - 1200 V 60 A 2.75V @ 15V, 20a 1.66mj (Encendido), 4.44mj (apaguado) 110 NC 29ns/275ns
STGB14NC60KDT4 STMicroelectronics Stgb14nc60kdt4 2.1600
RFQ
 ECAD 6651 0.00000000 Stmicroelectónica PowerMesh ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stgb14 Estándar 80 W D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 390V, 7a, 10ohm, 15V 37 ns - 600 V 25 A 50 A 2.5V @ 15V, 7a 82 µJ (Encendido), 155 µJ (apaguado) 34.4 NC 22.5ns/116ns
STGB6NC60HT4 STMicroelectronics Stgb6nc60ht4 1.8000
RFQ
 ECAD 174 0.00000000 Stmicroelectónica PowerMesh ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stgb6 Estándar 56 W D2pak descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 390v, 3a, 10ohm, 15V - 600 V 15 A 21 A 2.5V @ 15V, 3a 20 µJ (Encendido), 68 µJ (apaguado) 13.6 NC 12ns/76ns
STGD6NC60HDT4 STMicroelectronics Stgd6nc60hdt4 1.4800
RFQ
 ECAD 5475 0.00000000 Stmicroelectónica PowerMesh ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Stgd6 Estándar 56 W Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 390v, 3a, 10ohm, 15V 21 ns - 600 V 15 A 21 A 2.5V @ 15V, 3a 20 µJ (Encendido), 68 µJ (apaguado) 13.6 NC 12ns/76ns
STGF10NC60KD STMicroelectronics STGF10NC60KD 1.7000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectónica PowerMesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STGF10 Estándar 25 W Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-5114-5 EAR99 8541.29.0095 50 390V, 5a, 10ohm, 15V 22 ns - 600 V 9 A 30 A 2.5V @ 15V, 5A 55 µJ (Encendido), 85 µJ (apaguado) 19 NC 17ns/72ns
STGF6NC60HD STMicroelectronics Stgf6nc60hd 1.5400
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 Stmicroelectónica PowerMesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Stgf6 Estándar 20 W Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 390v, 3a, 10ohm, 15V 21 ns - 600 V 6 A 21 A 2.5V @ 15V, 3a 20 µJ (Encendido), 68 µJ (apaguado) 13.6 NC 12ns/76ns
STGP10NC60H STMicroelectronics STGP10NC60H 1.9800
RFQ
 ECAD 63 0.00000000 Stmicroelectónica PowerMesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stgp10 Estándar 60 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 390V, 5a, 10ohm, 15V - 600 V 20 A 2.5V @ 15V, 5A 31.8 µJ (Encendido), 95 µJ (apagado) 19.2 NC 14.2NS/72NS
STGP10NC60K STMicroelectronics STGP10NC60K -
RFQ
 ECAD 9090 0.00000000 Stmicroelectónica PowerMesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stgp10 Estándar 60 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-5119-5 EAR99 8541.29.0095 1,000 390V, 5a, 10ohm, 15V - 600 V 20 A 30 A 2.5V @ 15V, 5A 55 µJ (Encendido), 85 µJ (apaguado) 19 NC 17ns/72ns
STF24N60M6 STMicroelectronics STF24N60M6 2.9200
RFQ
 ECAD 1929 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ m6 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF24 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-18246 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 17a (TJ) 10V 190mohm @ 8.5a, 10v 4.75V @ 250 µA 23 NC @ 10 V ± 25V 960 pf @ 100 V - 30W (TC)
STW65N60DM6 STMicroelectronics Stw65n60dm6 9.3600
RFQ
 ECAD 8562 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ dm6 Tubo Activo - A Través del Aguetero TO-247-3 Stw65 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-18313 EAR99 8541.29.0095 600 N-canal 600 V 38a (TC) - - - ± 25V - -
STWA70N60DM6 STMicroelectronics Stwa70n60dm6 13.2400
RFQ
 ECAD 3364 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ dm6 Tubo Activo - A Través del Aguetero TO-247-3 Stwa70 Mosfet (Óxido de metal) TO-247 LARGOS LARGOS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 N-canal 600 V 62a (TC) - - - ± 25V - -
STO33N60M6 STMicroelectronics STO33N60M6 5.1400
RFQ
 ECAD 88 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ m6 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-POWERSFN Sto33 Mosfet (Óxido de metal) Toll (HV) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.800 N-canal 600 V 25A (TC) 10V 125mohm @ 12.5a, 10V 4.75V @ 250 µA 33.4 NC @ 10 V ± 25V 1515 pf @ 100 V - 230W (TC)
RF2L16180CF2 STMicroelectronics RF2L16180CF2 127.0500
RFQ
 ECAD 8896 0.00000000 Stmicroelectónica - Una granela Activo 65 V Montaje en superficie B2 RF2L16180 1.3GHz ~ 1.7GHz Ldmos B2 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-RF2L16180CF2 120 - 1 µA 180W 17.5dB -
BU900TP STMicroelectronics Bu900tp -
RFQ
 ECAD 2620 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Sot-82 Bu900 55 W SOT-82-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 370 V 5 A 100 µA NPN - Trilinton, Capaces Zener 4V @ 3MA, 3A 7000 @ 1a, 5V -
STI17NF25 STMicroelectronics STI17NF25 -
RFQ
 ECAD 7651 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Sti17n Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 250 V 17a (TC) 10V 165mohm @ 8.5a, 10v 4V @ 250 µA 29.5 NC @ 10 V ± 20V 1000 pf @ 25 V - 90W (TC)
STF21N65M5 STMicroelectronics STF21N65M5 4.9500
RFQ
 ECAD 8190 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ v Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF21 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 650 V 17a (TC) 10V 190mohm @ 8.5a, 10v 5V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 25V 1950 pf @ 100 V - 30W (TC)
STW23NM60N STMicroelectronics Stw23nm60n -
RFQ
 ECAD 8132 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw23n Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 19a (TC) 10V 180mohm @ 9.5a, 10v 4V @ 250 µA 60 NC @ 10 V ± 25V 2050 pf @ 50 V - 150W (TC)
STB10NK60Z-1 STMicroelectronics STB10NK60Z-1 -
RFQ
 ECAD 7783 0.00000000 Stmicroelectónica Supermesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Stb10n Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 10a (TC) 10V 750mohm @ 4.5a, 10V 4.5V @ 250 µA 70 NC @ 10 V ± 30V 1370 pf @ 25 V - 115W (TC)
STF6N95K5 STMicroelectronics STF6N95K5 2.3300
RFQ
 ECAD 970 0.00000000 Stmicroelectónica Supermesh5 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF6 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-12854-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 950 V 9A (TC) 10V 1.25ohm @ 3a, 10v 5V @ 100 µA 13 NC @ 10 V ± 30V 450 pf @ 100 V - 25W (TC)
STP70N10F4 STMicroelectronics STP70N10F4 -
RFQ
 ECAD 9809 0.00000000 Stmicroelectónica Deepgate ™, Stripfet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP70 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 65a (TC) 10V 19.5mohm @ 30a, 10v 4V @ 250 µA 85 NC @ 10 V ± 20V 5800 pf @ 25 V - 150W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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