SIC
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Transistores (3861)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa
STD80N340K6 STMicroelectronics STD80N340K6 3.6200
RFQ
 ECAD 455 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std80 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak (A 252) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-STD80N340K6CT EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 800 V 12a (TC) 10V 340mohm @ 6a, 10v 4V @ 100 µA 17.8 NC @ 10 V ± 30V 950 pf @ 400 V - 92W (TC)
SD2931-14 STMicroelectronics SD2931-14 74.7300
RFQ
 ECAD 4919 0.00000000 Stmicroelectónica - Una granela Activo 125 V Monte del Chasis Sot-123a SD2931 175MHz N-canal M174 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-SD2931-14 50 N-canal 50 µA 250 Ma 150W 15dB - 50 V
STWA68N65DM6 STMicroelectronics Stwa68n65dm6 8.1332
RFQ
 ECAD 7206 0.00000000 Stmicroelectónica - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stwa68 Mosfet (Óxido de metal) TO-247 LARGOS LARGOS - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-STWA68N65DM6 EAR99 8541.29.0095 600 N-canal 650 V 55A (TC) 10V 59mohm @ 24a, 10v 4.75V @ 250 µA 80 NC @ 10 V ± 25V 3528 pf @ 100 V - 431W (TC)
STWA32N65DM6AG STMicroelectronics Stwa32n65dm6ag 4.7713
RFQ
 ECAD 8618 0.00000000 Stmicroelectónica Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stwa32 Mosfet (Óxido de metal) TO-247 LARGOS LARGOS - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-stwa32n65dm6ag EAR99 8541.29.0095 600 N-canal 650 V 37a (TC) 10V 97mohm @ 18.5a, 10v 4.75V @ 250 µA 52.6 NC @ 10 V ± 25V 2211 pf @ 100 V - 320W (TC)
STF20N95DK5 STMicroelectronics STF20N95DK5 3.6300
RFQ
 ECAD 8458 0.00000000 Stmicroelectónica - Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF20 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-STF20N95DK5 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 950 V 18a (TC) 10V 330mohm @ 9a, 10v 5V @ 100 µA 50.7 NC @ 10 V ± 30V 1600 pf @ 100 V - 28W (TC)
STK184N4F7AG STMicroelectronics Stk184n4f7ag 0.9900
RFQ
 ECAD 6173 0.00000000 Stmicroelectónica Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ F7 Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-100, SOT-669 Stk184 Mosfet (Óxido de metal) LFPAK56, POWER-SO8 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-stk184n4f7ag EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 100A (TC) 10V 2mohm @ 50a, 10v 4V @ 250 µA 35 NC @ 10 V ± 20V 2750 pf @ 25 V - 136W (TC)
RF5L052K0CB4 STMicroelectronics RF5L052K0CB4 195.0000
RFQ
 ECAD 2756 0.00000000 Stmicroelectónica - Una granela Activo 110 V Monte del Chasis D4e RF5L052K0 500MHz Ldmos D4e - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-RF5L052K0CB4 100 - 1 µA 200 MA 2000W 19.5dB - 50 V
SCTW60N120G2 STMicroelectronics SCTW60N120G2 31.9300
RFQ
 ECAD 2069 0.00000000 Stmicroelectónica - Una granela Activo -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 SCTW60 Mosfet (Óxido de metal) Hip247 ™ - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-SCTW60N120G2 EAR99 8541.29.0095 600 N-canal 1200 V 60A (TC) 18V 52mohm @ 30a, 18V 5V @ 1MA 94 NC @ 8 V +18V, -5V 1969 pf @ 800 V - 389W (TC)
RF2L24280CB4 STMicroelectronics RF2L24280CB4 217.8000
RFQ
 ECAD 3263 0.00000000 Stmicroelectónica - Una granela Activo 65 V Monte del Chasis D4e RF2L24280 2.4GHz ~ 2.5GHz Ldmos D4e - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-RF2L24280CB4 100 - 1 µA 10 Ma 280W 13dB - 28 V
SCTWA70N120G2V-4 STMicroelectronics SCTWA70N120G2V-4 37.5705
RFQ
 ECAD 2609 0.00000000 Stmicroelectónica - Una granela Activo -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 Sctwa70 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-4 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-SCTWA70N120G2V-4 EAR99 8541.29.0095 600 N-canal 1200 V 91a (TC) 18V 30mohm @ 50A, 18V 4.9V @ 1MA 150 NC @ 18 V +22V, -10V 3540 pf @ 800 V - 547W
RF5L10111K0CB4 STMicroelectronics RF5L10111K0CB4 217.8000
RFQ
 ECAD 2659 0.00000000 Stmicroelectónica - Una granela Activo 110 V Monte del Chasis D4e RF5L10111 1.03GHz ~ 1.09GHz Ldmos D4e - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-RF5L10111K0CB4 100 - 1 µA 600 mA 1000W 14.5dB - 50 V
RF2L42008CG2 STMicroelectronics RF2L42008CG2 36.3000
RFQ
 ECAD 7233 0.00000000 Stmicroelectónica - Una granela Activo 65 V Montaje en superficie E2 RF2L42008 700MHz ~ 4.2GHz Ldmos E2 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-RF2L42008CG2 300 - 1 µA 8W 14.5dB -
SGT120R65AL STMicroelectronics Sgt120r65al 5.2000
RFQ
 ECAD 1394 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Sgt120 Ganfet (Nitruro de Galio) Powerflat ™ (5x6) HV descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 650 V 15A (TC) 6V 120mohm @ 5a, 6V 2.6V @ 12MA 3 NC @ 6 V +6V, -10V 125 pf @ 400 V - 192W (TC)
ST16045 STMicroelectronics ST16045 63.5250
RFQ
 ECAD 3227 0.00000000 Stmicroelectónica - Una granela Activo 65 V Montaje en superficie 2L-FLG ST160 700MHz ~ 1.7GHz Ldmos A2 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-ST16045 160 - 1 µA 45W 20dB -
SCTWA40N120G2V-4 STMicroelectronics SCTWA40N120G2V-4 15.6090
RFQ
 ECAD 3291 0.00000000 Stmicroelectónica - Una granela Activo -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 Sctwa40 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-4 - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-SCTWA40N120G2V-4 EAR99 8541.29.0095 600 N-canal 1200 V 36A (TC) 18V 100mohm @ 20a, 18V 4.9V @ 1MA 61 NC @ 18 V +18V, -5V 1233 pf @ 800 V - 277W (TC)
STW65N023M9-4 STMicroelectronics STW65N023M9-4 21.4800
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-4 Stw65 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-4 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 497-STW65N023M9-4 30 N-canal 650 V 95A (TC) 10V 23mohm @ 48a, 10V 4.2V @ 250 µA 230 NC @ 10 V ± 30V 8844 pf @ 400 V - 463W (TC)
STB60NF10-1 STMicroelectronics STB60NF10-1 -
RFQ
 ECAD 8504 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ II Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Stb60n Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 100 V 80a (TC) 10V 23mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 104 NC @ 10 V ± 20V 4270 pf @ 25 V - 300W (TC)
STGD10NC60HT4 STMicroelectronics STGD10NC60HT4 1.6200
RFQ
 ECAD 9913 0.00000000 Stmicroelectónica PowerMesh ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Stgd10 Estándar 60 W Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 390V, 5a, 10ohm, 15V - 600 V 20 A 2.5V @ 15V, 5A 31.8 µJ (Encendido), 95 µJ (apagado) 19.2 NC 14.2NS/72NS
STGB19NC60HDT4 STMicroelectronics Stgb19nc60hdt4 2.8400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectónica PowerMesh ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STGB19 Estándar 130 W D2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-6026-2 EAR99 8541.29.0095 1,000 390V, 12a, 10ohm, 15V 31 ns - 600 V 40 A 60 A 2.5V @ 15V, 12A 85 µJ (Encendido), 189 µJ (apaguado) 53 NC 25ns/97ns
STB100NF03L-03-1 STMicroelectronics STB100NF03L-03-1 -
RFQ
 ECAD 9422 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ III Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Stb100n Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 100A (TC) 4.5V, 10V 3.2mohm @ 50A, 10V 2.5V @ 250 µA 88 NC @ 5 V ± 16V 6200 pf @ 25 V - 300W (TC)
STD38NH02L-1 STMicroelectronics Std38nh02l-1 -
RFQ
 ECAD 9552 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ III Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Std38 Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 24 V 38a (TC) 5V, 10V 13.5mohm @ 19a, 10v 2.5V @ 250 µA 24 NC @ 10 V ± 20V 1070 pf @ 25 V - 40W (TC)
STGD3NB60SD-1 STMicroelectronics STGD3NB60SD-1 -
RFQ
 ECAD 9479 0.00000000 Stmicroelectónica PowerMesh ™ Tubo Obsoleto 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Stgd3 Estándar 48 W Dpak descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 480v, 3a, 1kohm, 15V 1.7 µs - 600 V 6 A 25 A 1.5V @ 15V, 3a 1.1mj (Encendido), 1.15mj (apaguado) 18 NC 125 µs/3.4 µs
STGF12NB60KD STMicroelectronics STGF12NB60KD -
RFQ
 ECAD 9786 0.00000000 Stmicroelectónica PowerMesh ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto - A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STGF12 Estándar 30 W Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 480V, 12a, 10ohm, 15V 37 ns - 600 V 14 A 60 A 2.8V @ 15V, 12A 152 µJ (Encendido), 258 µJ (apaguado) 54 NC 25ns/96ns
STGP6NC60H STMicroelectronics STGP6NC60H -
RFQ
 ECAD 3178 0.00000000 Stmicroelectónica PowerMesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STGP6 Estándar 56 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 390v, 3a, 10ohm, 15V 21 ns - 600 V 15 A 21 A 2.5V @ 15V, 3a 20 µJ (Encendido), 68 µJ (apaguado) 13.6 NC 12ns/76ns
PD54008 STMicroelectronics PD54008 -
RFQ
 ECAD 2939 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto 25 V Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta PD54008 500MHz Ldmos 10 pozo descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 5A 150 Ma 8W 11.5dB - 7.5 V
PD55015-E STMicroelectronics PD55015-E 21.0200
RFQ
 ECAD 8432 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo 40 V Powersso-10rf Pad, La Almohadilla Inferior Expunesta (Formados de 2 cables) PD55015 500MHz Ldmos Powerso-10RF (Plomo Formado) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 5A 150 Ma 15W 14dB - 12.5 V
PD55015STR-E STMicroelectronics PD55015Str-E 16.3350
RFQ
 ECAD 1359 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Activo 40 V Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta PD55015 500MHz Ldmos Powerso-10RF (Plomo Recto) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 5A 150 Ma 15W 14dB - 12.5 V
PD57045-E STMicroelectronics PD57045-E 45.3750
RFQ
 ECAD 6590 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo 65 V Powerso-10 Almohadilla Inferior Expunesta PD57045 945MHz Ldmos 10 pozo descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 5A 250 Ma 45W 14.5dB - 28 V
SD2931 STMicroelectronics SD2931 -
RFQ
 ECAD 3720 0.00000000 Stmicroelectónica - Banda Obsoleto 125 V M244 SD2931 175MHz Mosfet M244 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 20A 250 Ma 150W 15dB - 50 V
STL60N3LLH5 STMicroelectronics Stl60n3llh5 -
RFQ
 ECAD 1076 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ V Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl60 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 60A (TC) 4.5V, 10V 7.1mohm @ 8.5a, 10v 1V @ 250 µA 8 NC @ 4.5 V ± 22V 1290 pf @ 25 V - 60W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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