SIC
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Transistores (3861)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
STP12N60M2 STMicroelectronics STP12N60M2 1.7400
RFQ
 ECAD 8772 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ m2 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP12 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-16020-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 9A (TC) 10V 450mohm @ 4.5a, 10V 4V @ 250 µA 16 NC @ 10 V ± 25V 538 pf @ 100 V - 85W (TC)
STW40NF20 STMicroelectronics Stw40nf20 4.2300
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ Tubo La Última Vez Que Compre -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw40 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-5807-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 200 V 40A (TC) 10V 45mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 75 NC @ 10 V ± 20V 2500 pf @ 25 V - 160W (TC)
MJD32C STMicroelectronics MJD32C -
RFQ
 ECAD 4210 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 MJD32 15 W Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 100 V 3 A 50 µA PNP 1.2V @ 375MA, 3A 10 @ 3a, 4v -
STD13N50DM2AG STMicroelectronics STD13N50DM2AG 1.0103
RFQ
 ECAD 4858 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Activo - - - Std13 - - descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 - 11a (TC) - - - ± 25V - -
STD3N95K5AG STMicroelectronics Std3n95k5ag 1.9000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Stmicroelectónica Automotive, AEC-Q101, Mdmesh ™ K5 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std3 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 950 V 2a (TC) 10V 5ohm @ 1a, 10v 5V @ 100 µA 3.4 NC @ 10 V ± 30V 105 pf @ 100 V - 45W (TC)
STL40N10F7 STMicroelectronics Stl40n10f7 1.7900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectónica Deepgate ™, Stripfet ™ VII Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl40 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 40A (TC) 10V 24mohm @ 10a, 10v 4.5V @ 250 µA 19 NC @ 10 V ± 20V 1270 pf @ 50 V - 5W (TA), 70W (TC)
STF21NM60ND STMicroelectronics Stf21nm60nd 6.0700
RFQ
 ECAD 691 0.00000000 Stmicroelectónica FDMESH ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF21 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 17a (TC) 10V 220mohm @ 8.5a, 10v 5V @ 250 µA 60 NC @ 10 V ± 25V 1800 pf @ 50 V - 30W (TC)
SD3933 STMicroelectronics SD3933 130.6800
RFQ
 ECAD 4324 0.00000000 Stmicroelectónica - Banda Activo 250 V M177 SD3933 30MHz Mosfet M177 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 20A 250 Ma 350W 29dB - 100 V
STD70N03L-1 STMicroelectronics STD70N03L-1 -
RFQ
 ECAD 4228 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ III Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA Std70n Mosfet (Óxido de metal) I-pak descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 30 V 70A (TC) 5V, 10V 7.3mohm @ 35a, 10v 1V @ 250 µA 21 NC @ 5 V ± 20V 2200 pf @ 25 V - 70W (TC)
STD45P4LLF6AG STMicroelectronics Std45p4llf6ag 1.7400
RFQ
 ECAD 8082 0.00000000 Stmicroelectónica Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ F6 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std45 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-15965-2 EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 40 V 50A (TC) 4.5V, 10V 15mohm @ 25A, 10V 2.5V @ 250 µA 65.5 NC @ 10 V ± 18V 3525 pf @ 25 V - 58W (TC)
SD4933 STMicroelectronics SD4933 136.6700
RFQ
 ECAD 1689 0.00000000 Stmicroelectónica - Banda Activo 200 V M177 SD4933 30MHz Mosfet M177 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 40A 250 Ma 300W 24db - 50 V
STH240N10F7-2 STMicroelectronics STH240N10F7-2 4.4200
RFQ
 ECAD 7368 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STH240 Mosfet (Óxido de metal) H2PAK-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 180A (TC) 10V 2.5mohm @ 60a, 10V 4.5V @ 250 µA 160 NC @ 10 V ± 20V 11550 pf @ 25 V - 300W (TC)
STW90NF20 STMicroelectronics Stw90nf20 -
RFQ
 ECAD 2206 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ Tubo Obsoleto -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw90n Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-8464-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 200 V 83A (TC) 10V 23mohm @ 45a, 10v 4V @ 250 µA 164 NC @ 10 V ± 20V 5736 pf @ 25 V - 300W (TC)
STD9N65DM6AG STMicroelectronics Std9n65dm6ag 1.1454
RFQ
 ECAD 8680 0.00000000 Stmicroelectónica Automotriz, AEC-Q101 Una granela Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std9 Mosfet (Óxido de metal) D-Pak (A 252) - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 497-STD9N65DM6AG EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 650 V 9A (TC) 10V 440mohm @ 4.5a, 10V 4.75V @ 250 µA 11.7 NC @ 10 V ± 25V 510 pf @ 100 V - 89W (TC)
STFI10N62K3 STMicroelectronics Stfi10n62k3 2.1800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectónica SUPMESH3 ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-262-3 paquete completo, i²pak Stfi10n Mosfet (Óxido de metal) I2pakfp (un 281) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 620 V 8.4a (TC) 10V 750mohm @ 4a, 10v 4.5V @ 100 µA 42 NC @ 10 V ± 30V 1250 pf @ 50 V - 30W (TC)
STWA70N65DM6 STMicroelectronics Stwa70n65dm6 13.7100
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ dm6 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stwa70 Mosfet (Óxido de metal) TO-247 LARGOS LARGOS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 600 N-canal 650 V 68a (TC) 10V 40mohm @ 34a, 10V 4.75V @ 250 µA 125 NC @ 10 V ± 25V 4900 pf @ 100 V - 450W (TC)
STF18NM80 STMicroelectronics STF18NM80 7.4600
RFQ
 ECAD 4012 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STF18 Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 17a (TC) 10V 295mohm @ 8.5a, 10V 5V @ 250 µA 70 NC @ 10 V ± 30V 2070 pf @ 50 V - 40W (TC)
2STC4793 STMicroelectronics 2STC4793 -
RFQ
 ECAD 6486 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero 2STC 20 W Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-10865-5 EAR99 8541.29.0075 50 230 V 1 A 1 µA (ICBO) NPN 1V @ 50 Ma, 500 Ma 100 @ 100 maja, 5v 100MHz
STFI7LN80K5 STMicroelectronics Stfi7ln80k5 1.9200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To-262-3 paquete completo, i²pak Stfi7 Mosfet (Óxido de metal) I2pakfp (un 281) descascar ROHS3 Cumplante No Aplicable Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 800 V 5A (TC) 10V 1.15ohm @ 2.5a, 10v 5V @ 100 µA 12 NC @ 10 V ± 30V 270 pf @ 100 V - 25W (TC)
STL25N15F4 STMicroelectronics Stl25n15f4 -
RFQ
 ECAD 2195 0.00000000 Stmicroelectónica Deepgate ™, Stripfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl25 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 150 V 25A (TC) 10V 63mohm @ 3a, 10v 4V @ 250 µA 48 NC @ 10 V ± 20V 2710 pf @ 25 V - 80W (TC)
STW20N95K5 STMicroelectronics STW20N95K5 7.8300
RFQ
 ECAD 4700 0.00000000 Stmicroelectónica Supermesh5 ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 STW20 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-12872-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 950 V 17.5a (TC) 10V 330mohm @ 9a, 10v 5V @ 100 µA 40 NC @ 10 V ± 30V 1500 pf @ 100 V - 250W (TC)
STD5NM50T4 STMicroelectronics Std5nm50t4 -
RFQ
 ECAD 6207 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std5nm50 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 500 V 7.5a (TC) 10V 800mohm @ 2.5a, 10V 5V @ 250 µA 13 NC @ 10 V ± 30V 415 pf @ 25 V - 100W (TC)
STGP20H60DF STMicroelectronics STGP20H60DF 2.1700
RFQ
 ECAD 2746 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STGP20 Estándar 167 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400V, 20a, 10ohm, 15V 90 ns Parada de Campo de Trinchera 600 V 40 A 80 A 2V @ 15V, 20a 209 µJ (Encendido), 261 µJ (apaguado) 115 NC 42.5ns/177ns
STS8N6LF6AG STMicroelectronics Sts8n6lf6ag 1.5200
RFQ
 ECAD 7824 0.00000000 Stmicroelectónica Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ F6 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) STS8N6 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 8a (TA) 4.5V, 10V 24mohm @ 4a, 10v 2.5V @ 250 µA 27 NC @ 10 V ± 20V 1340 pf @ 25 V - 3.2W (TA)
STH400N4F6-2 STMicroelectronics STH400N4F6-2 7.7700
RFQ
 ECAD 943 0.00000000 Stmicroelectónica Automotive, AEC-Q101, DeepGate ™, Stripfet ™ VI Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STH400 Mosfet (Óxido de metal) H2PAK-2 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 180A (TC) 10V 1.15mohm @ 60a, 10v 4.5V @ 250 µA 404 NC @ 10 V ± 20V 20500 pf @ 25 V - 300W (TC)
SD2943W STMicroelectronics SD2943W 135.0000
RFQ
 ECAD 6027 0.00000000 Stmicroelectónica - Banda Activo 130 V M177 SD2943 30MHz Mosfet M177 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 N-canal 40A 250 Ma 350W 25db - 50 V
STD150N3LLH6 STMicroelectronics Std150n3llh6 2.0300
RFQ
 ECAD 963 0.00000000 Stmicroelectónica Deepgate ™, Stripfet ™ VI Tape & Reel (TR) Obsoleto 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std15 Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 80a (TC) 4.5V, 10V 2.8mohm @ 40a, 10V 2.5V @ 250 µA 29 NC @ 4.5 V ± 20V 3700 pf @ 25 V - 110W (TC)
STL115N10F7AG STMicroelectronics Stl115n10f7ag 2.8300
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Stmicroelectónica Automotive, AEC-Q101, StripFet ™ F7 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn Stl115 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 107a (TC) 10V 6mohm @ 53a, 10v 4.5V @ 250 µA 72.5 NC @ 10 V ± 20V 5600 pf @ 50 V - 136W (TC)
STB41N40DM6AG STMicroelectronics Stb41n40dm6ag 6.3400
RFQ
 ECAD 4905 0.00000000 Stmicroelectónica Automotive, AEC-Q101, MDMESH ™ DM6 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab STB41 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 400 V 41a (TC) 10V 65mohm @ 20.5a, 10v 5V @ 250 µA 53 NC @ 10 V ± 25V 2310 pf @ 100 V - 250W (TC)
STP20N90K5 STMicroelectronics STP20N90K5 7.0600
RFQ
 ECAD 9726 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ k5 Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STP20 Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-17087 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 900 V 20A (TC) 10V 250mohm @ 10a, 10v 5V @ 100 µA 40 NC @ 10 V ± 30V 1500 pf @ 100 V - 250W (TC)
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    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

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    Unidad de producto estándar

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AD9208BBPZ-3000

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