SIC
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Transistores (3861)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Calificación Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Freacuencia Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Real - PrueBa Potencia - Salida Ganar Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Figura de ruido Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Voltaje - PrueBa Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
STI23NM60ND STMicroelectronics Sti23nm60nd -
RFQ
 ECAD 7305 0.00000000 Stmicroelectónica FDMESH ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Sti23n Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 19.5a (TC) 10V 180mohm @ 10a, 10v 5V @ 250 µA 70 NC @ 10 V ± 25V 2050 pf @ 50 V - 150W (TC)
STGP19NC60W STMicroelectronics STGP19NC60W 4.3100
RFQ
 ECAD 351 0.00000000 Stmicroelectónica PowerMesh ™ Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STGP19 Estándar 130 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 390V, 12a, 10ohm, 15V - 600 V 40 A 2.5V @ 15V, 12A 81 µJ (Encendido), 125 µJ (apaguado) 53 NC 25ns/90ns
STGW19NC60HD STMicroelectronics STGW19NC60HD 3.2600
RFQ
 ECAD 7698 0.00000000 Stmicroelectónica PowerMesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 STGW19 Estándar 140 W TO-247 LARGOS LARGOS descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 30 390V, 12a, 10ohm, 15V 31 ns - 600 V 42 A 60 A 2.5V @ 15V, 12A 85 µJ (Encendido), 189 µJ (apaguado) 53 NC 25ns/97ns
STP5N120 STMicroelectronics STP5N120 -
RFQ
 ECAD 4354 0.00000000 Stmicroelectónica Supermesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Stp5n Mosfet (Óxido de metal) Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 1200 V 4.7a (TC) 10V 3.5ohm @ 2.3a, 10V 5V @ 100 µA 55 NC @ 10 V ± 30V 120 pf @ 25 V - 160W (TC)
STGP19NC60HD STMicroelectronics STGP19NC60HD 2.8500
RFQ
 ECAD 2085 0.00000000 Stmicroelectónica PowerMesh ™ Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 STGP19 Estándar 130 W Un 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 390V, 12a, 10ohm, 15V 31 ns - 600 V 40 A 60 A 2.5V @ 15V, 12A 85 µJ (Encendido), 189 µJ (apaguado) 53 NC 25ns/97ns
STD70N2LH5 STMicroelectronics Std70n2lh5 -
RFQ
 ECAD 6306 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ V Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Std70n Mosfet (Óxido de metal) Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 25 V 48a (TC) 5V, 10V 7.1mohm @ 24a, 10v 1V @ 250 µA 8 NC @ 5 V ± 22V 1300 pf @ 25 V - 60W (TC)
MD1802FX STMicroelectronics MD1802FX -
RFQ
 ECAD 5370 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero ISOWATT218FX MD1802 57 W ISOWATT-218FX descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-8755-5 EAR99 8541.29.0095 30 700 V 10 A 200 µA NPN 1.5V @ 1.25a, 5a 5.5 @ 5a, 5V -
STW42N65M5 STMicroelectronics Stw42n65m5 10.9900
RFQ
 ECAD 6867 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ v Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw42 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-8796-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 650 V 33A (TC) 10V 79mohm @ 16.5a, 10v 5V @ 250 µA 100 NC @ 10 V ± 25V 4650 pf @ 100 V - 190W (TC)
STGDL6NC60DIT4 STMicroelectronics Stgdl6nc60dit4 -
RFQ
 ECAD 4602 0.00000000 Stmicroelectónica PowerMesh ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Stgdl6 Estándar 50 W Dpak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 390v, 3a, 10ohm, 15V 23 ns - 600 V 13 A 18 A 2.9V @ 15V, 3a 32 µJ (Encendido), 24 µJ (apaguado) 12 NC 6.7ns/46ns
STGF14N60D STMicroelectronics STGF14N60D -
RFQ
 ECAD 5777 0.00000000 Stmicroelectónica PowerMesh ™ Tubo Obsoleto - A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STGF14 Estándar 33 W Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-8897-5 EAR99 8541.29.0095 50 390V, 7a, 10ohm, 15V 37 ns - 600 V 11 A 50 A 2.1V @ 15V, 7a - -
STK20N75F3 STMicroelectronics Stk20n75f3 -
RFQ
 ECAD 6950 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Polarpak® Stk20 Mosfet (Óxido de metal) Polarpak® descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 75 V 20A (TC) 10V 7mohm @ 10a, 10v 4V @ 250 µA 53 NC @ 10 V ± 20V 3150 pf @ 25 V - 5.2W (TC)
STF3LN62K3 STMicroelectronics STF3LN62K3 -
RFQ
 ECAD 7329 0.00000000 Stmicroelectónica SUPMESH3 ™ Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Stf3ln Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 620 V 2.5A (TC) 10V 3ohm @ 1.25a, 10V 4.5V @ 50 µA 17 NC @ 10 V ± 30V 386 pf @ 50 V - 20W (TC)
STF4N52K3 STMicroelectronics STF4N52K3 1.1200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Stmicroelectónica SUPMESH3 ™ Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Stf4n Mosfet (Óxido de metal) Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 525 V 2.5A (TC) 10V 2.6ohm @ 1.25a, 10V 4.5V @ 50 µA 11 NC @ 10 V ± 30V 334 pf @ 100 V - 20W (TC)
LET9060C STMicroelectronics LET9060C -
RFQ
 ECAD 2036 0.00000000 Stmicroelectónica - Caja Obsoleto 80 V M243 LET9060 945MHz Ldmos M243 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 25 12A 400 mA 75W 18dB - 28 V
STD150N2LH5 STMicroelectronics Std150n2lh5 -
RFQ
 ECAD 1026 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Obsoleto - - - Std15 - - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 - - - - - -
STL56N3LLH5 STMicroelectronics Stl56n3llh5 1.2100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ V Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl56 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 56a (TC) 4.5V, 10V 9mohm @ 7.5a, 10v 1V @ 250 µA 6.5 NC @ 4.5 V +22V, -20V 950 pf @ 25 V - 62.5W (TC)
STH180N10F3-6 STMicroelectronics STH180N10F3-6 -
RFQ
 ECAD 4843 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ III Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) STH180 Mosfet (Óxido de metal) H2PAK-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 180A (TC) 10V 4.5mohm @ 60a, 10V 4V @ 250 µA 114.6 NC @ 10 V ± 20V 6665 pf @ 25 V - 315W (TC)
STW34NM60ND STMicroelectronics Stw34nm60nd 12.3600
RFQ
 ECAD 600 0.00000000 Stmicroelectónica FDMESH ™ II Tubo Activo 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 Stw34 Mosfet (Óxido de metal) TO-247-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 497-11366-5 EAR99 8541.29.0095 30 N-canal 600 V 29a (TC) 10V 110mohm @ 14.5a, 10v 5V @ 250 µA 80.4 NC @ 10 V ± 25V 2785 pf @ 50 V - 190W (TC)
STS1DNF20 STMicroelectronics Sts1dnf20 -
RFQ
 ECAD 3343 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Obsoleto - - - Sts1d - - - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 - - - - - - - -
STL11N3LLH6 STMicroelectronics Stl11n3llh6 1.4500
RFQ
 ECAD 3837 0.00000000 Stmicroelectónica Deepgate ™, Stripfet ™ VI Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl11 Mosfet (Óxido de metal) Powerflat ™ (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 11a (TC) 4.5V, 10V 7.5mohm @ 5.5a, 10V 1V @ 250 µA (min) 17 NC @ 4.5 V ± 20V 1690 pf @ 24 V - 2W (TA), 50W (TC)
LET9060STR STMicroelectronics Let9060str -
RFQ
 ECAD 553 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Obsoleto 80 V PowerSo-10RF Padera Inferior Expuesta (2 cables rectos) LET9060 960MHz Ldmos Powerso-10RF (Plomo Recto) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 600 12A 300 mA 60W 17.2db - 28 V
LET9060TR STMicroelectronics Let9060tr -
RFQ
 ECAD 7866 0.00000000 Stmicroelectónica - Tape & Reel (TR) Obsoleto 80 V Powersso-10rf Pad, La Almohadilla Inferior Expunesta (Formados de 2 cables) LET9060 960MHz Ldmos Powerso-10RF (Plomo Formado) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 600 12A 300 mA 60W 17.2db - 28 V
STB95N4F3 STMicroelectronics Stb95n4f3 2.3300
RFQ
 ECAD 377 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ III Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab Stb95n Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 40 V 80a (TC) 10V 5.8mohm @ 40a, 10v 4V @ 250 µA 54 NC @ 10 V ± 20V 2200 pf @ 25 V - 110W (TC)
STQ2NK60ZR-AP STMicroelectronics STQ2NK60ZR-AP -
RFQ
 ECAD 2097 0.00000000 Stmicroelectónica Supermesh ™ Cinta de Corte (CT) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales STQ2 Mosfet (Óxido de metal) Un 92-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 600 V 400 mA (TC) 10V 8ohm @ 700 mA, 10V 4.5V @ 50 µA 10 NC @ 10 V ± 30V 170 pf @ 25 V - 3W (TC)
STL66DN3LLH5 STMicroelectronics Stl66dn3llh5 2.2400
RFQ
 ECAD 9628 0.00000000 Stmicroelectónica Automotive, AEC-Q101, Stripfet ™ V Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn Stl66 Mosfet (Óxido de metal) 72W Powerflat ™ (5x6) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 78.5a 6.5mohm @ 10a, 10v 3V @ 250 µA 12NC @ 4.5V 1500pf @ 25V Puerta de Nivel Lógico
STN1NF20 STMicroelectronics Stn1nf20 0.8400
RFQ
 ECAD 455 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ II Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Stn1nf20 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 200 V 1A (TC) 10V 1.5ohm @ 500 mA, 10V 4V @ 250 µA 5.7 NC @ 10 V ± 20V 90 pf @ 25 V - 2W (TA)
STGF35HF60W STMicroelectronics STGF35HF60W 2.6800
RFQ
 ECAD 857 0.00000000 Stmicroelectónica - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero STGF35 Estándar 40 W Un 220FP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 400V, 20a, 10ohm, 15V - 600 V 19 A 150 A 2.5V @ 15V, 20a 290 µJ (Encendido), 185 µJ (apagado) 140 NC 30ns/175ns
STI26NM60N STMicroelectronics Sti26nm60n 4.7400
RFQ
 ECAD 942 0.00000000 Stmicroelectónica Mdmesh ™ II Tubo Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Sti26n Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 600 V 20A (TC) 10V 165mohm @ 10a, 10v 4V @ 250 µA 60 NC @ 10 V ± 25V 1800 pf @ 50 V - 140W (TC)
STI55NF03L STMicroelectronics Sti55nf03l 1.7000
RFQ
 ECAD 755 0.00000000 Stmicroelectónica Stripfet ™ II Tubo Obsoleto -60 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA STI55 Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 30 V 55A (TC) 4.5V, 10V 13mohm @ 27.5a, 10V 2.5V @ 250 µA 27 NC @ 4.5 V ± 16V 1265 pf @ 25 V - 80W (TC)
STI5N52U STMicroelectronics Sti5n52u -
RFQ
 ECAD 3407 0.00000000 Stmicroelectónica UltrafastMesh ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA Sti5n Mosfet (Óxido de metal) I2pak descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 525 V 4.4a (TC) 10V 1.5ohm @ 2.2a, 10v 4.5V @ 50 µA 16.9 NC @ 10 V ± 30V 529 pf @ 25 V - 70W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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