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Transistores (17799)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1)
MPS8099G onsemi MPS8099G -
RFQ
 ECAD 8592 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO MPS809 625 MW TO-92 (TO-226) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 5,000 80 V 500 mA 100na NPN 400mv @ 5 Ma, 100 Ma 100 @ 1 mapa, 5v 150MHz
NTMSD2P102LR2 onsemi NTMSD2P102LR2 -
RFQ
 ECAD 7044 0.00000000 onde Fetky ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) NTMSD2 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 Canal P 20 V 2.3a (TA) 2.5V, 4.5V 90mohm @ 2.4a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 18 NC @ 4.5 V ± 10V 750 pf @ 16 V Diodo Schottky (Aislado) 710MW (TA)
MPSA13RLRP onsemi MPSA13RLRP -
RFQ
 ECAD 8249 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 CUERPO LARGO (Formados de cables) MPSA13 625 MW TO-92 (TO-226) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 30 V 500 mA 100NA (ICBO) NPN - Darlington 1.5V @ 100 µA, 100 mA 10000 @ 100mA, 5V 125MHz
SFT1450-H onsemi SFT1450-H -
RFQ
 ECAD 5098 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA SFT145 Mosfet (Óxido de metal) Ipak/tp descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 500 N-canal 40 V 21a (TA) 10V 28mohm @ 10.5a, 10v - 14.4 NC @ 10 V ± 20V 715 pf @ 20 V - 1W (TA), 23W (TC)
FQT7N10TF onsemi Fqt7n10tf 0.6900
RFQ
 ECAD 2736 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA Fqt7n10 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 N-canal 100 V 1.7a (TC) 10V 350mohm @ 850mA, 10V 4V @ 250 µA 7.5 NC @ 10 V ± 25V 250 pf @ 25 V - 2W (TC)
FDMS2572 onsemi FDMS2572 2.5500
RFQ
 ECAD 4321 0.00000000 onde UltraFet ™ Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN FDMS25 Mosfet (Óxido de metal) 8-MLP (5x6), Power56 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 150 V 4.5a (TA), 27a (TC) 6V, 10V 47mohm @ 4.5a, 10v 4V @ 250 µA 43 NC @ 10 V ± 20V 2610 pf @ 75 V - 2.5W (TA), 78W (TC)
MPSA27_D75Z onsemi MPSA27_D75Z -
RFQ
 ECAD 3104 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales MPSA27 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 60 V 800 Ma 500NA NPN - Darlington 1.5V @ 100 µA, 100 mA 10000 @ 100mA, 5V 125MHz
NVTFS5C466NLTAG onsemi Nvtfs5c466nltag 1.4000
RFQ
 ECAD 2932 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-PowerWDFN Nvtfs5 Mosfet (Óxido de metal) 8-WDFN (3.3x3.3) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1.500 N-canal 40 V 51a (TC) 4.5V, 10V 7.3mohm @ 10a, 10v 2.2V @ 250 µA 7 NC @ 4.5 V ± 20V 880 pf @ 25 V - 38W (TC)
MMPQ2907 onsemi MMPQ2907 -
RFQ
 ECAD 8753 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie 16-SOICO (0.154 ", 3.90 mm de ancho) MMPQ29 1W 16-soico descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 40V 600mA 50NA (ICBO) 4 PNP (Quad) 1.6v @ 30 mA, 300 mA 100 @ 150mA, 10V -
PN3566_D26Z onsemi PN3566_D26Z -
RFQ
 ECAD 6291 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto - A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales PN356 625 MW Un 92-3 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 30 V 600 mA 50NA (ICBO) NPN 1V @ 10 Ma, 100 Ma 150 @ 10mA, 10V -
NSVT3904DP6T5G onsemi NSVT3904DP6T5G 0.1265
RFQ
 ECAD 7891 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-963 NSVT3904 350MW Sot-963 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 8,000 40V 200 MMA - 2 NPN (dual) 300mv @ 5 Ma, 50 Ma 100 @ 10mA, 1V 200MHz
FJNS4210RBU onsemi Fjns4210rbu -
RFQ
 ECAD 4967 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 Cuerpo Corto FJNS42 300 MW Un Los 92 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 10,000 40 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 1 mapa, 10 ma 100 @ 1 mapa, 5v 200 MHz 10 kohms
5LN01C-TB-EX onsemi 5LN01C-TB-EX -
RFQ
 ECAD 5142 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto - - - 5ln01 - - - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10,000 - 100MA (TJ) - - - - - -
MMBT4355 onsemi MMBT4355 -
RFQ
 ECAD 3061 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBT4355 350 MW Sot-23-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 60 V 800 Ma 50NA (ICBO) PNP 1v @ 100 mapa, 1a 100 @ 10mA, 10V -
FGH20N6S2 onsemi FGH20N6S2 -
RFQ
 ECAD 5221 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 FGH20 Estándar 125 W TO-247-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 150 390v, 7a, 25ohm, 15V - 600 V 28 A 40 A 2.7V @ 15V, 7a 25 µJ (Encendido), 58 µJ (apaguado) 30 NC 7.7ns/87ns
2SA2013-TD-E onsemi 2SA2013-TD-E 0.7000
RFQ
 ECAD 683 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA 2SA2013 3.5 W PCP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 50 V 4 A 1 µA (ICBO) PNP 340mv @ 100 mm, 2a 200 @ 500mA, 2V 400MHz
BC847CLT1 onsemi BC847CLT1 -
RFQ
 ECAD 3377 0.00000000 onde * Cinta de Corte (CT) Obsoleto BC847 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000
BC212L_D75Z onsemi BC212L_D75Z -
RFQ
 ECAD 5212 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC212 625 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 50 V 300 mA 15NA (ICBO) PNP 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 60 @ 2mA, 5V 200MHz
NVMFS5C423NLAFT3G onsemi Nvmfs5c423nlaft3g 0.7943
RFQ
 ECAD 5187 0.00000000 onde Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) No hay para Nuevos Diseños -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn, 5 cables Nvmfs5 Mosfet (Óxido de metal) 5-DFN (5x6) (8-SOFL) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 5,000 N-canal 40 V 31a (TA), 150A (TC) 4.5V, 10V 2mohm @ 50a, 10v 2V @ 250 µA 50 NC @ 10 V ± 20V 3100 pf @ 20 V - 3.7W (TA), 83W (TC)
MBT6429DW1T1 onsemi MBT6429DW1T1 -
RFQ
 ECAD 2275 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 MBT6429 150MW SC-88/SC70-6/SOT-363 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45V 200 MMA 100na 2 NPN (dual) 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 500 @ 100 µA, 5V 700MHz
FQB10N60CTM onsemi FQB10N60CTM -
RFQ
 ECAD 5606 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab FQB1 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 800 N-canal 600 V 9.5A (TC) 10V 730mohm @ 4.75a, 10V 4V @ 250 µA 57 NC @ 10 V ± 30V 2040 pf @ 25 V - 3.13W (TA), 156W (TC)
BCP68 onsemi BCP68 -
RFQ
 ECAD 4693 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BCP68 1.5 W SOT-223-4 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 20 V 1 A 10 µA (ICBO) NPN 500mv @ 100 mm, 1a 85 @ 500mA, 1V -
2N7000RLRP onsemi 2N7000RLRP 0.0500
RFQ
 ECAD 8941 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto 2N7000 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000
BC635_D27Z onsemi BC635_D27Z -
RFQ
 ECAD 1427 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Obsoleto 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales BC635 1 W Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2,000 45 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mA, 500 mA 40 @ 150mA, 2V 100MHz
NSVBC848BWT1G onsemi NSVBC848BWT1G 0.3100
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 onde - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 NSVBC848 200 MW SC-70-3 (SOT323) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 100 mA 15NA (ICBO) NPN 600mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
FQS4901TF onsemi Fqs4901tf -
RFQ
 ECAD 7692 0.00000000 onde QFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) FQS4901 Mosfet (Óxido de metal) 2W 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 400V 450 mm 4.2ohm @ 225mA, 10V 4V @ 250 µA 7.5nc @ 10V 210pf @ 25V -
HUFA76645P3 onsemi HUFA76645P3 -
RFQ
 ECAD 9086 0.00000000 onde UltraFet ™ Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 HUFA76 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 N-canal 100 V 75A (TC) 4.5V, 10V 14mohm @ 75a, 10v 3V @ 250 µA 153 NC @ 10 V ± 16V 4400 pf @ 25 V - 310W (TC)
PN2369A_D75Z onsemi PN2369A_D75Z -
RFQ
 ECAD 8782 0.00000000 onde - Cinta y Caja (TB) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales PN236 350 MW Un 92-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 15 V 200 MA 400NA (ICBO) NPN 500mv @ 10 Ma, 100 Ma 40 @ 10mA, 1V -
2SJ339 onsemi 2SJ339 1.0400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 onde - Una granela Obsoleto - 2156-2SJ339 289
NDP6030PL onsemi NDP6030PL -
RFQ
 ECAD 1733 0.00000000 onde - Tubo Obsoleto -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 NDP603 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 400 Canal P 30 V 30A (TC) 4.5V, 10V 25mohm @ 19a, 10v 2V @ 250 µA 36 NC @ 5 V ± 16V 1570 pf @ 15 V - 75W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

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