SIC
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Transistores (6028)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Voltaje - Clasificado Temperatura de FuncionAmiento Aplicacionales Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Calificación real (amplificador) Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1)
DP0150ALP4-7 Diodes Incorporated Dp0150alp4-7 -
RFQ
 ECAD 2912 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn DP0150 450 MW X2-DFN1006-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Dp0150alp4-7di EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 100 mA 100NA (ICBO) PNP 300mv @ 10 Ma, 100 Ma 120 @ 2mA, 6V 80MHz
ZXMN2088DE6TA Diodes Incorporated ZXMN2088DE6TA 0.2741
RFQ
 ECAD 4883 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 ZXMN2088 Mosfet (Óxido de metal) 1.1w Sot-23-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Zxmn2088de6tadi EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 20V 1.7a 200mohm @ 1a, 4.5V 1V @ 250 µA 3.8nc @ 4.5V 279pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
DMP32D4S-13 Diodes Incorporated DMP32D4S-13 0.3900
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMP32 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 30 V 300 mA (TA) 4.5V, 10V 2.4ohm @ 300mA, 10V 2.4V @ 250 µA 0.6 NC @ 4.5 V ± 20V 51.16 pf @ 15 V - 370MW (TA)
DMG4812SSS-13 Diodes Incorporated DMG4812SSS-13 -
RFQ
 ECAD 6382 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMG4812 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 8a (TA) 4.5V, 10V 15mohm @ 10.7a, 10v 2.3V @ 250 µA 18.5 NC @ 10 V ± 12V 1849 pf @ 15 V Diodo Schottky (Cuerpo) 1.54W (TA)
DMN1150UFB-7B Diodes Incorporated DMN1150UFB-7B 0.4200
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-UFDFN DMN1150 Mosfet (Óxido de metal) X1-DFN1006-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 12 V 1.41a (TA) 1.8V, 4.5V 150mohm @ 1a, 4.5V 1V @ 250 µA 1.5 NC @ 4.5 V ± 6V 106 pf @ 10 V - 500MW (TA)
DMN10H170SFG-13 Diodes Incorporated DMN10H170SFG-13 0.5800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMN10 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 100 V 2.9a (TA), 8.5a (TC) 4.5V, 10V 122mohm @ 3.3a, 10v 3V @ 250 µA 14.9 NC @ 10 V ± 20V 870.7 pf @ 25 V - 940MW (TA)
DMG6968LSD-13 Diodes Incorporated DMG6968LSD-13 -
RFQ
 ECAD 5048 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie - DMG6968 Mosfet (Óxido de metal) - - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMG6968LSD-13DI EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 20 V 6.5a (TA) 1.8V, 4.5V 36mohm @ 3.5a, 1.8v 1.5V @ 250 µA 8.5 NC @ 4.5 V - 151 pf @ 10 V - -
FZT491AQTA Diodes Incorporated Fzt491aqta 0.3400
RFQ
 ECAD 9511 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA FZT491 3 W SOT-223 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0075 1,000 40 V 1 A 100na NPN 500mv @ 100 mm, 1a 300 @ 500 mA, 5V 150MHz
DMP2070UCB6-7 Diodes Incorporated DMP2070UCB6-7 -
RFQ
 ECAD 8783 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-UFBGA, WLBGA DMP2070 Mosfet (Óxido de metal) U-WLB1510-6 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 20 V 2.5a (TA) 1.5V, 4.5V 70mohm @ 1a, 4.5V 1V @ 250 µA 2.9 NC @ 4.5 V ± 8V 210 pf @ 10 V - 920MW (TA)
ZXM64P03XTA Diodes Incorporated ZXM64P03XTA 0.6930
RFQ
 ECAD 1635 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP, 8-MSOP (0.118 ", 3.00 mm de Ancho) ZXM64P03 Mosfet (Óxido de metal) 8-MSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 30 V 3.8a (TA) 4.5V, 10V 75mohm @ 2.4a, 10V 1V @ 250 µA 46 NC @ 10 V ± 20V 825 pf @ 25 V - 1.1W (TA)
ZXMN15A27KTC Diodes Incorporated Zxmn15a27ktc -
RFQ
 ECAD 4430 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 150 V 1.7a (TA) 10V 650mohm @ 2.15a, 10V 4V @ 250 µA 6.6 NC @ 10 V ± 25V 169 pf @ 25 V - 2.2W (TA)
DMP45H150DHE-13 Diodes Incorporated DMP45H150DHE-13 0.4800
RFQ
 ECAD 5011 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA DMP45 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 450 V 250MA (TC) 10V 150ohm @ 50 mm, 10v 4V @ 250 µA 1.8 NC @ 10 V ± 30V 59.2 pf @ 25 V - 13.9W (TC)
DDTC143TE-7-F Diodes Incorporated DDTC143TE-7-F 0.0483
RFQ
 ECAD 5790 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-523 DDTC143 150 MW SOT-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA (ICBO) NPN - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 2.5MA 100 @ 1 mapa, 5v 250 MHz 4.7 kohms
DMTH8012LPS-13 Diodes Incorporated DMTH8012LPS-13 0.3045
RFQ
 ECAD 8919 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH8012 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 80 V 10a (TA), 72a (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 12a, 10v 3V @ 250 µA 34 NC @ 10 V ± 20V 1949 pf @ 40 V - 2.6W (TA), 136W (TC)
LMN200B02-7 Diodes Incorporated LMN200B02-7 -
RFQ
 ECAD 3394 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto PNP DE 50V, 60V N-CANAL Interruptor de Carga Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 LMN200 Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 PNP 200MA, 115MA N-CANAL PNP Pre-Sesgado, N-Canal Previatione Sesgado
LMN400B01-7 Diodes Incorporated LMN400B01-7 -
RFQ
 ECAD 6690 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto PNP DE 50V, 60V N-CANAL Interruptor de Carga Montaje en superficie Sot-23-6 LMN400 Sot-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 PNP DE 400 MA, 115MA PNP Pre-Sesgado, N-Canal Previatione Sesgado
LMN400E01-7 Diodes Incorporated LMN400E01-7 -
RFQ
 ECAD 4574 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto PNP DE 50V, 60V N-CANAL Interruptor de Carga Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 LMN400 Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 PNP DE 400 MA, 115MA PNP Pre-Sesgado, N-Canal Previatione Sesgado
DMN3024LK3-13 Diodes Incorporated DMN3024LK3-13 0.5500
RFQ
 ECAD 5106 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMN3024 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 9.78a (TA) 4.5V, 10V 24mohm @ 7a, 10v 3V @ 250 µA 12.9 NC @ 10 V ± 20V 608 pf @ 15 V - 2.17W (TA)
DMN3024LSS-13 Diodes Incorporated DMN3024LSS-13 0.6100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMN3024 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 6.4a (TA) 4.5V, 10V 24mohm @ 7a, 10v 3V @ 250 µA 12.9 NC @ 10 V ± 20V 608 pf @ 15 V - 1.6w (TA)
ZXMHC10A07N8TC Diodes Incorporated ZXMHC10A07N8TC 1.2100
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) ZXMHC10A07 Mosfet (Óxido de metal) 870MW 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 2 N Y 2 Canal P (Medio Puente) 100V 800 Ma, 680 Ma 700mohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250 µA 2.9nc @ 10V 138pf @ 60V -
ZXMHC3F381N8TC Diodes Incorporated Zxmhc3f381n8tc 1.0400
RFQ
 ECAD 126 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) ZXMHC3F381 Mosfet (Óxido de metal) 870MW 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2.500 2 N Y 2 Canal P (Medio Puente) 30V 3.98a, 3.36a 33mohm @ 5a, 10v 3V @ 250 µA 9NC @ 10V 430pf @ 15V Puerta de Nivel Lógico
DMN4034SSD-13 Diodes Incorporated DMN4034SSD-13 0.8400
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMN4034 Mosfet (Óxido de metal) 1.8w 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 40V 4.8a 34mohm @ 6a, 10v 3V @ 250 µA 18NC @ 10V 453pf @ 20V Puerta de Nivel Lógico
DMN4034SSS-13 Diodes Incorporated DMN4034SSS-13 0.7100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMN4034 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 5.4a (TA) 4.5V, 10V 34mohm @ 6a, 10v 3V @ 250 µA 10 NC @ 10 V ± 20V 453 pf @ 20 V - 1.56W (TA)
DGTD120T40S1PT Diodes Incorporated DGTD120T40S1PT -
RFQ
 ECAD 6715 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 DGTD120 Estándar 357 W To-247 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 450 600V, 40A, 10ohm, 15V 100 ns Parada de Campo 1200 V 80 A 160 A 2.4V @ 15V, 40A 1.96MJ (Encendido), 540 µJ (apagado) 341 NC 65ns/308ns
DMN2053U-13 Diodes Incorporated DMN2053U-13 0.0699
RFQ
 ECAD 4251 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2053 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 20 V 6.5a (TA) 1.8v, 10v 29mohm @ 6a, 10v 1.2V @ 250 µA 4.6 NC @ 4.5 V ± 12V 414 pf @ 10 V - 800MW (TA)
DMN2450UFB4-7R Diodes Incorporated DMN2450UFB4-7R 0.3100
RFQ
 ECAD 4765 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn DMN2450 Mosfet (Óxido de metal) X2-DFN1006-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 1a (TA) 1.8V, 4.5V 400mohm @ 600mA, 4.5V 900MV @ 250 µA 1.3 NC @ 10 V ± 12V 56 pf @ 16 V - 500MW (TA)
DMN3012LDG-13 Diodes Incorporated DMN3012LDG-13 -
RFQ
 ECAD 2364 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powerldfn DMN3012 Mosfet (Óxido de metal) 2.2W (TC) PowerDI3333-8 (Tipo D) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 30V 10a (TA), 20a (TC) 12mohm @ 15a, 5V, 6mohm @ 15a, 5V 2.1V @ 250 µA, 1.15V @ 250 µA 6.1NC @ 4.5V, 12.6nc @ 4.5V 850pf @ 15V, 1480pf @ 15V -
DMN3013LFG-7 Diodes Incorporated DMN3013LFG-7 0.3398
RFQ
 ECAD 6067 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powerldfn DMN3013 Mosfet (Óxido de metal) 2.16W (TA) PowerDI3333-8 (Tipo D) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1,000 2 Canal N (Dual) 30V 9.5a (TA), 15a (TC) 14.3mohm @ 4a, 8V 1.2V @ 250 µA 5.7nc @ 4.5V 600pf @ 15V -
DMN4030LK3Q-13 Diodes Incorporated DMN4030LK3Q-13 0.3665
RFQ
 ECAD 2346 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMN4030 Mosfet (Óxido de metal) TO-252, (D-Pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 9.4a (TA) 4.5V, 10V 30mohm @ 12a, 10v 3V @ 250 µA 12.9 NC @ 10 V ± 20V 604 pf @ 20 V - 2.14W (TA)
DMP2040USD-13 Diodes Incorporated DMP2040USD-13 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMP2040 Mosfet (Óxido de metal) 1.1W (TA) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal P (Dual) 20V 6.5a (TA), 12a (TC) 33mohm @ 8.9a, 4.5V 1.5V @ 250 µA 19NC @ 8V 834pf @ 10V -
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