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Transistores (6028)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2DB1132R-13 | 0.4600 |  | 2 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2DB1132 | 1 W | SOT-89-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 32 V | 1 A | 500NA (ICBO) | PNP | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 180 @ 100 mm, 3V | 190MHz | |||||||||||||||||
 | DMC25D0UVT-13 | 0.1276 | | 5589 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | DMC25 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.2w | TSOT-23-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | DMC25D0UVT-13DI | EAR99 | 8541.29.0095 | 10,000 | Vecino del canal | 25V, 30V | 400 Ma, 3.2a | 4ohm @ 400mA, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 0.7nc @ 8V | 26.2pf @ 10V | - | ||||||||||||||
 | DMT6013LFDF-7 | 0.4116 | | 8184 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-udfn almohadilla exposición | DMT6013 | Mosfet (Óxido de metal) | U-DFN2020-6 (TUPO F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 10a (TA) | 4.5V, 10V | 15mohm @ 8.5a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 1081 pf @ 30 V | - | 900MW (TA) | |||||||||||||
 | 2N7002TA | - | | 9385 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | 2N7002 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 115MA (TA) | 5V, 10V | 7.5ohm @ 500 mA, 10V | 2.5V @ 250 µA | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 330MW (TA) | ||||||||||||||
 | BSS84W-7 | - | | 3674 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | BSS84 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-323 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 50 V | 130MA (TA) | 5V | 10ohm @ 100 mapa, 5V | 2v @ 1 mapa | ± 20V | 45 pf @ 25 V | - | 200MW (TA) | ||||||||||||||
 | DDTC143XE-7-F | 0.3500 | | 158 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SOT-523 | DDTC143 | 150 MW | SOT-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 4.7 kohms | 10 kohms | ||||||||||||||||
 | Zvp2106astz | 0.8700 | | 8979 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Cinta de Corte (CT) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | E-línea-3 | ZVP2106 | Mosfet (Óxido de metal) | Línea electálica (compatible con 92) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | Canal P | 60 V | 280MA (TA) | 10V | 5ohm @ 500 mA, 10V | 3.5V @ 1MA | ± 20V | 100 pf @ 18 V | - | 700MW (TA) | ||||||||||||||
 | ZVN4310GTA | 1.5900 | | 7 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | ZVN4310 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 1.67a (TA) | 5V, 10V | 540mohm @ 3.3a, 10V | 3V @ 1MA | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 3W (TA) | ||||||||||||||
 | NMSD200B01-7 | - | | 4041 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-363 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 200MA (TA) | 5V, 10V | 3ohm @ 50 mm, 5V | 3V @ 1MA | ± 20V | 50 pf @ 25 V | Diodo Schottky (Aislado) | 200MW (TA) | |||||||||||||||
| Zvn4306astoa | - | | 2935 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | E-línea-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Línea electálica (compatible con 92) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | N-canal | 60 V | 1.1a (TA) | 5V, 10V | 330mohm @ 3a, 10v | 3V @ 1MA | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 850MW (TA) | ||||||||||||||||
 | Zxtp19060cffta | 0.6900 | | 7580 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-3 Platos Platos | Zxtp19060 | 1.5 W | SOT-23F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 60 V | 4 A | 50NA (ICBO) | PNP | 270mv @ 400mA, 4A | 200 @ 100 mapa, 2v | 180MHz | |||||||||||||||||
| Zxmn2069fta | 0.1240 | | 3 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-23-3 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 1.4a (TA) | - | - | - | |||||||||||||||||||||
| DMT3020LFDF-13 | 0.1914 | | 9869 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-udfn almohadilla exposición | DMT3020 | Mosfet (Óxido de metal) | U-DFN2020-6 (TUPO F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10,000 | N-canal | 30 V | 8.4a (TA) | 4.5V, 10V | 17mohm @ 9a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 393 pf @ 15 V | - | 700MW (TA), 1.8W (TC) | |||||||||||||
| ZVP0120Astoa | - | | 3298 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | E-línea-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Línea electálica (compatible con 92) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | Canal P | 200 V | 110MA (TA) | 10V | 32ohm @ 125mA, 10V | 3.5V @ 1MA | ± 20V | 100 pf @ 25 V | - | 700MW (TA) | ||||||||||||||||
 | DMP2130LDM-7 | 0.4400 | | 3 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-23-6 | DMP2130 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-26 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3.4a (TA) | 2.5V, 4.5V | 80mohm @ 4.5a, 4.5V | 1.25V @ 250 µA | 7.3 NC @ 4.5 V | ± 12V | 443 pf @ 16 V | - | 1.25W | |||||||||||||
 | ZDT1049TC | - | | 3468 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-223-8 | ZDT1049 | 2.75W | Sm8 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 25V | 5A | 10NA | 2 NPN (dual) | 220mv @ 50 Ma, 4a | 300 @ 1a, 2v | 180MHz | ||||||||||||||||||
| DMN65D8LDWQ-13 | 0.0690 | | 2100 | 0.00000000 | Diodos incorporados | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | DMN65 | Mosfet (Óxido de metal) | 300MW | Sot-363 | descascar | Cumplimiento de Rohs | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 10,000 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 180 Ma | 6ohm @ 115mA, 10V | 2V @ 250 µA | 0.87nc @ 10V | 22pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||
 | DMN5L06WKQ-7 | - | | 4367 | 0.00000000 | Diodos incorporados | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | DMN5L06 | Mosfet (Óxido de metal) | Sot-323 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 50 V | 300 mA (TA) | 1.8V, 5V | 2ohm @ 50 mm, 5V | 1V @ 250 µA | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 250MW (TA) | ||||||||||||||
 | DMN4010LFG-7 | 0.6600 | | 7149 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | DMN4010 | Mosfet (Óxido de metal) | PowerDI3333-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | N-canal | 40 V | 11.5a (TA) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 14a, 10v | 3V @ 250 µA | 37 NC @ 10 V | ± 20V | 1810 pf @ 20 V | - | 930MW (TA) | |||||||||||||
 | DMP1011UCB9-7 | 0.8300 | | 15 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 9-UFBGA, WLBGA | DMP1011 | Mosfet (Óxido de metal) | U-WLB1515-9 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 10a (TA) | 2.5V, 4.5V | 10mohm @ 2a, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 10.5 NC @ 4.5 V | -6v | 1060 pf @ 4 V | - | 890MW (TA) | |||||||||||||
| DMN33D8LDW-13 | 0.0555 | | 7047 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | DMN33 | Mosfet (Óxido de metal) | 350MW | Sot-363 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 10,000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 250 Ma | 2.4ohm @ 250 mA, 10V | 1.5V @ 100 µA | 1.23nc @ 10V | 48pf @ 5V | - | |||||||||||||||
| MMBT2222AT-7 | - | | 9129 | 0.00000000 | Diodos incorporados | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-523 | MMBT2222 | 150 MW | SOT-523 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V | 600 mA | 10NA (ICBO) | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | 300MHz | |||||||||||||||||
 | DMTH4007SPD-13 | 1.2800 | | 4 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | DMTH4007 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.6w | PowerDI5060-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 14.2a | 8.6mohm @ 17a, 10v | 4V @ 250 µA | 41.9nc @ 10V | 2026pf @ 30V | - | |||||||||||||||
 | DMN3022LDG-13 | 0.3632 | | 7751 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powerldfn | DMN3022 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.96W (TA) | PowerDI3333-8 (Tipo D) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar Afectados | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 7.6a (TA), 15a (TC) | 22mohm @ 10a, 5v, 8mohm @ 10a, 5V | 2.1V @ 250 µA, 1.2V @ 250 µA | 3.7NC @ 4.5V, 8NC @ 4.5V | 481pf @ 15V, 996pf @ 15V | - | |||||||||||||||
| ZVP2106ASTOB | - | | 9273 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | E-línea-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Línea electálica (compatible con 92) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | Canal P | 60 V | 280MA (TA) | 10V | 5ohm @ 500 mA, 10V | 3.5V @ 1MA | ± 20V | 100 pf @ 18 V | - | 700MW (TA) | ||||||||||||||||
 | Zxmn3b04n8tc | - | | 5820 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | ZXMN3 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 7.2a (TA) | 2.5V, 4.5V | 25mohm @ 7.2a, 4.5V | 700mV @ 250 µA (min) | 23.1 NC @ 4.5 V | ± 12V | 2480 pf @ 15 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||||
| ZTX1056A | - | | 7586 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | E-línea-3 | ZTX1056A | 1 W | Línea electálica (compatible con 92) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | ZTX1056A-NDR | EAR99 | 8541.29.0075 | 4.000 | 160 V | 3 A | 10NA | NPN | 300mv @ 200MA, 3A | 300 @ 500 mA, 10V | 120MHz | |||||||||||||||||
| ZVN4310GTC | - | | 3261 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223-3 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 4.000 | N-canal | 100 V | 1.67a (TA) | 5V, 10V | 540mohm @ 3.3a, 10V | 3V @ 1MA | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 3W (TA) | ||||||||||||||||
| MMDT3904-7-F | 0.2800 | | 32 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | MMDT3904 | 200MW | Sot-363 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40V | 200 MMA | 50NA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 300mv @ 5 Ma, 50 Ma | 100 @ 10mA, 1V | 300MHz | |||||||||||||||||
 | DMT6013LSS-13 | 0.1914 | | 6293 | 0.00000000 | Diodos incorporados | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | DMT6013 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | DMT6013LSS-13DI | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 60 V | 10a (TA) | 4.5V, 10V | 14.3mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 15 NC @ 10 V | ± 20V | 1081 pf @ 30 V | - | 1.4W (TA) |
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