SIC
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Transistores (6028)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de funciones Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max)
DMP32D5SFB-7B Diodes Incorporated Dmp32d5sfb-7b 0.4300
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-UFDFN DMP32 Mosfet (Óxido de metal) X1-DFN1006-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 30 V 400 mA (TA) 4.5V, 10V 2.4ohm @ 200 MMA, 10V 2.3V @ 250 µA 4 NC @ 10 V ± 25V 100 pf @ 15 V - 500MW (TA)
DMTH6009LK3-13 Diodes Incorporated DMTH6009LK3-13 1.1400
RFQ
 ECAD 3015 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMTH6009 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 14.2a (TA), 59A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 13.5a, 10V 2V @ 250 µA 33.5 NC @ 10 V ± 16V 1925 pf @ 30 V - 3.2W (TA), 60W (TC)
DMN5L06DMKQ-7 Diodes Incorporated DMN5L06DMKQ-7 0.1808
RFQ
 ECAD 7100 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 DMN5L06 Mosfet (Óxido de metal) 400MW Sot-26 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 50V 305 Ma 2ohm @ 50 mm, 5V 1V @ 250 µA - 50pf @ 25V -
DMTH6010LPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH6010LPSQ-13 1.4200
RFQ
 ECAD 1643 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH6010 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 13.5A (TA), 100A (TC) 4.5V, 10V 8mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 41.3 NC @ 10 V ± 20V 2090 pf @ 30 V - 2.6W (TA), 136W (TC)
DMTH4007SPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH4007SPSQ-13 0.5145
RFQ
 ECAD 9204 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH4007 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 15.7a (TA), 100A (TC) 10V 7.6mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 41.9 NC @ 10 V ± 20V 2082 pf @ 25 V - 2.8W (TA), 136W (TC)
DMG4N60SK3-13 Diodes Incorporated DMG4N60SK3-13 -
RFQ
 ECAD 8485 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Dmg4 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 600 V 3.7a (TC) 10V 2.3ohm @ 2a, 10v 4.5V @ 250 µA 14.3 NC @ 10 V ± 30V 532 pf @ 25 V - 48W (TA)
DMN6040SVTQ-7 Diodes Incorporated DMN6040SVTQ-7 0.6300
RFQ
 ECAD 3150 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMN6040 Mosfet (Óxido de metal) TSOT-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 5A (TA) 4.5V, 10V 44mohm @ 4.3a, 10v 3V @ 250 µA 22.4 NC @ 10 V ± 20V 1287 pf @ 25 V - 1.2W (TA)
DMNH10H028SPSQ-13 Diodes Incorporated DMNH10H028SPSQ-13 1.9400
RFQ
 ECAD 9905 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMNH10 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 40A (TC) 10V 28mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 36 NC @ 10 V ± 20V 2245 pf @ 50 V - 1.6w (TA)
DMJ70H1D3SJ3 Diodes Incorporated DMJ70H1D3SJ3 -
RFQ
 ECAD 4084 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo -55 ° C ~ 155 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA DMJ70 Mosfet (Óxido de metal) Un 251 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 700 V 4.6a (TC) 10V 1.3ohm @ 2.5a, 10v 4V @ 250 µA 13.9 NC @ 10 V ± 30V 351 pf @ 50 V - 41W (TC)
DMN63D8L-7 Diodes Incorporated DMN63D8L-7 0.2400
RFQ
 ECAD 521 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN63 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 350MA (TA) 2.5V, 10V 2.8ohm @ 250 mA, 10V 1.5V @ 250 µA 0.9 NC @ 10 V ± 20V 23.2 pf @ 25 V - 350MW (TA)
DMN61D9UDW-13 Diodes Incorporated DMN61D9UDW-13 -
RFQ
 ECAD 3510 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DMN61 Mosfet (Óxido de metal) 320MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 2 Canal N (Dual) 60V 350 mm 2ohm @ 50 mm, 5V 1V @ 250 µA 0.4nc @ 4.5V 28.5pf @ 30V -
DMG7401SFGQ-7 Diodes Incorporated DMG7401SFGQ-7 -
RFQ
 ECAD 8169 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMG7401 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 Canal P 30 V 9.8a (TA) 4.5V, 20V 11mohm @ 12a, 20V 3V @ 250 µA 58 NC @ 10 V ± 25V 2987 pf @ 15 V - 940MW (TA)
DMN2400UFDQ-7 Diodes Incorporated DMN2400UFDQ-7 0.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-Powerudfn DMN2400 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN1212-3 (TUPO C) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 900 mA (TA) 1.5V, 4.5V 600mohm @ 200 MMA, 4.5V 1V @ 250 µA 0.5 NC @ 4.5 V ± 12V 37 pf @ 16 V - 400MW (TA)
DMN62D0UT-7 Diodes Incorporated DMN62D0UT-7 0.3900
RFQ
 ECAD 3285 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-523 DMN62 Mosfet (Óxido de metal) SOT-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 320MA (TA) 1.8V, 2.5V, 4.5V 2ohm @ 50 mm, 4.5V 1v @ 250a 0.5 NC @ 4.5 V ± 20V 32 pf @ 30 V - 230MW (TA)
2N7002AQ-13 Diodes Incorporated 2N7002AQ-13 0.3000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 60 V 180MA (TA) 5V 5ohm @ 115mA, 10V 2V @ 250 µA ± 20V 23 pf @ 25 V - 370MW (TA)
2N7002TQ-7-F Diodes Incorporated 2N7002TQ-7-F 0.4200
RFQ
 ECAD 49 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-523 2N7002 Mosfet (Óxido de metal) SOT-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 115MA (TA) 5V, 10V 13.5ohm @ 500 mA, 10V 2V @ 250 µA ± 20V 50 pf @ 25 V - 150MW (TA)
DMTH8012LK3Q-13 Diodes Incorporated DMTH8012LK3Q-13 1.1300
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMTH8012 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 80 V 50A (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 12a, 10v 3V @ 250 µA 46.8 NC @ 10 V ± 20V 2051 pf @ 40 V - 2.6W (TA)
DMNH4006SPSQ-13 Diodes Incorporated DMNH4006SPSQ-13 1.3900
RFQ
 ECAD 930 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMNH4006 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 110A (TC) 10V 7mohm @ 50A, 10V 4V @ 250 µA 50.9 NC @ 10 V 20V 2280 pf @ 25 V - 1.6w (TA)
DMNH6012LK3-13 Diodes Incorporated DMNH6012LK3-13 0.4925
RFQ
 ECAD 1626 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMNH6012 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 60A (TC) 4.5V, 10V 12mohm @ 25A, 10V 3V @ 250 µA 35.2 NC @ 10 V ± 20V 1926 pf @ 30 V - 2W (TA)
DMP1055UFDB-7 Diodes Incorporated DMP1055UFDB-7 0.2035
RFQ
 ECAD 2725 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMP1055 Mosfet (Óxido de metal) 1.36W U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 12V 3.9a 59mohm @ 3.6a, 4.5V 1V @ 250 µA 20.8nc @ 8V 1028pf @ 6V -
DMP4013LFGQ-7 Diodes Incorporated DMP4013LFGQ-7 0.9100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMP4013 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 40 V 10.3a (TA) 4.5V, 10V 13mohm @ 10a, 10v 3V @ 250 µA 68.6 NC @ 10 V ± 20V 3426 pf @ 20 V - 1W (TA)
DMT3006LFDF-13 Diodes Incorporated Dmt3006lfdf-13 0.1559
RFQ
 ECAD 8244 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMT3006 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO F) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 30 V 14.1a (TA) 3.7V, 10V 7mohm @ 9a, 10v 3V @ 250 µA 22.6 NC @ 10 V ± 20V 1320 pf @ 15 V - 800MW (TA)
DMT6015LFV-7 Diodes Incorporated DMT6015LFV-7 0.2148
RFQ
 ECAD 2291 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT6015 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (Tipo UX) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 60 V 9.5A (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 250 µA 18.9 NC @ 10 V ± 16V 1103 pf @ 30 V - 2.2W (TA), 30W (TC)
DMTH4004SK3Q-13 Diodes Incorporated DMTH4004SK3Q-13 0.7521
RFQ
 ECAD 1881 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMTH4004 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 100A (TC) 10V 3.2mohm @ 90a, 10V 4V @ 250 µA 68.6 NC @ 10 V ± 20V 4305 pf @ 25 V - 3.9W (TA), 180W (TC)
DMTH6010LPDQ-13 Diodes Incorporated DMTH6010LPDQ-13 1.5200
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH6010 Mosfet (Óxido de metal) 2.8w PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 60V 13.1a (TA), 47.6a (TC) 11mohm @ 20a, 10v 3V @ 250 µA 40.2nc @ 10V 2615pf @ 30V -
DMC3730UFL3-7 Diodes Incorporated DMC3730UFL3-7 0.4800
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-xfdfn almohadilla exposición DMC3730 Mosfet (Óxido de metal) 390MW X2-DFN1310-6 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N y p-canal complementario 30V 1.1a, 700 mA 460mohm @ 200Ma, 4.5V 950MV @ 250 µA 0.9nc @ 4.5V 65.9pf @ 25V -
DMT6015LSS-13 Diodes Incorporated DMT6015LSS-13 0.7100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMT6015 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 9.2a (TA) 4.5V, 10V 16mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 250 µA 18.9 NC @ 30 V ± 16V 1103 pf @ 30 V - 1.5W (TA)
DMTH6010SCT Diodes Incorporated DMTH6010SCT 1.5600
RFQ
 ECAD 9566 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 DMTH6010 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 100A (TC) 10V 7.2mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 36.3 NC @ 10 V ± 20V 1940 pf @ 30 V - 2.8W (TA), 125W (TC)
ZXMN3A02N8TC Diodes Incorporated Zxmn3a02n8tc -
RFQ
 ECAD 2182 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) ZXMN3 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 7.3a (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 12a, 10v 1V @ 250 µA 26.8 NC @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 25 V - 1.56W (TA)
DMP6110SSDQ-13 Diodes Incorporated DMP6110SSDQ-13 0.6600
RFQ
 ECAD 2205 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMP6110 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 60 V 7.8a (TC) 4.5V, 10V 105mohm @ 4.5a, 10V 3V @ 250 µA 17.2 NC @ 10 V ± 20V 969 pf @ 30 V - 1.2W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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