SIC
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Transistores (6028)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició
DMT4008LSS-13 Diodes Incorporated DMT4008LSS-13 0.1652
RFQ
 ECAD 5842 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMT4008 Mosfet (Óxido de metal) 8-SOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMT4008LSS-13DI EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 40 V 12.8a (TA) 4.5V, 10V 8.5mohm @ 12a, 10v 3V @ 250 µA 18.6 NC @ 10 V ± 20V 1143 pf @ 20 V - 1.32W (TA)
DMT47M2LDV-13 Diodes Incorporated DMT47M2LDV-13 0.3704
RFQ
 ECAD 3271 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT47 Mosfet (Óxido de metal) 2.34W (TA), 14.8W (TC) PowerDI3333-8 (TUPO UXC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMT47M2LDV-13DI EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 40V 11.9a (TA), 30.2a (TC) 10.8mohm @ 20a, 10v 2.3V @ 250 µA 14nc @ 10V 891pf @ 20V -
DMT47M2LDV-7 Diodes Incorporated DMT47M2LDV-7 0.3704
RFQ
 ECAD 7783 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT47 Mosfet (Óxido de metal) 2.34W (TA), 14.8W (TC) PowerDI3333-8 (TUPO UXC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMT47M2LDV-7DI EAR99 8541.29.0095 2,000 2 Canal N (Dual) 40V 11.9a (TA), 30.2a (TC) 10.8mohm @ 20a, 10v 2.3V @ 250 µA 14nc @ 10V 891pf @ 20V -
DMT47M2LDVQ-13 Diodes Incorporated DMT47M2LDVQ-13 0.4631
RFQ
 ECAD 6883 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT47 Mosfet (Óxido de metal) 2.34W (TA), 14.8W (TC) PowerDI3333-8 (TUPO UXC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMT47M2LDVQ-13DI EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 40V 11.9a (TA), 30.2a (TC) 10.8mohm @ 20a, 10v 2.3V @ 250 µA 14nc @ 10V 891pf @ 20V -
DMT6009LJ3 Diodes Incorporated DMT6009LJ3 -
RFQ
 ECAD 4131 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA DMT6009 Mosfet (Óxido de metal) TO-251 (TUPO TH) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Dmt6009lj3di EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 60 V 74.5a (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 13.5a, 10V 2V @ 250 µA 33.5 NC @ 10 V ± 16V 1925 pf @ 30 V - 2.9W (TA), 83.3W (TC)
DMT6012LFV-7 Diodes Incorporated DMT6012LFV-7 0.2478
RFQ
 ECAD 5904 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT6012 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (Tipo UX) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMT6012LFV-7DI EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 60 V 43.3a (TC) 4.5V, 10V 12mohm @ 20a, 10v 2.5V @ 250 µA 22.2 NC @ 10 V ± 20V 1522 pf @ 30 V - 1.95W (TA), 33.78W (TC)
DMT6016LJ3 Diodes Incorporated DMT6016LJ3 0.4736
RFQ
 ECAD 8089 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo DMT6016 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados Dmt6016lj3di 0000.00.0000 75
DMT6017LDV-13 Diodes Incorporated DMT6017LDV-13 0.3392
RFQ
 ECAD 1309 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT6017 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (TUPO UXC) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMT6017LDV-13DI EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 25.3a (TC) 22mohm @ 6a, 10v 2.3V @ 250 µA -
DMT6030LFDF-13 Diodes Incorporated DMT6030LFDF-13 0.2048
RFQ
 ECAD 7746 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMT6030 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO F) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMT6030LFDF-13DI EAR99 8541.29.0095 10,000 N-canal 60 V 6.8a (TA) 4.5V, 10V 25.5mohm @ 6.5a, 10v 2.5V @ 250 µA 9.1 NC @ 10 V ± 20V 639 pf @ 30 V - 860MW (TA), 9.62W (TC)
DMT6030LFDF-7 Diodes Incorporated DMT6030LFDF-7 0.2284
RFQ
 ECAD 9095 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMT6030 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO F) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMT6030LFDF-7DI EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 6.8a (TA) 4.5V, 10V 25.5mohm @ 6.5a, 10v 2.5V @ 250 µA 9.1 NC @ 10 V ± 20V 639 pf @ 30 V - 860MW (TA), 9.62W (TC)
DMTH6010SPS-13 Diodes Incorporated DMTH6010SPS-13 0.3648
RFQ
 ECAD 1084 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH6010 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados DMTH6010SPS-13DI EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 13.5A (TA), 100A (TC) 10V 8mohm @ 20a, 10v 4V @ 250 µA 38.1 NC @ 10 V ± 20V 2841 pf @ 30 V - 2.6W (TA), 167W (TC)
BC857CQ-7-F Diodes Incorporated BC857CQ-7-F 0.3600
RFQ
 ECAD 8150 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 15NA PNP 650mv @ 5 mm, 100 mapa 420 @ 2mA, 5V 200MHz
BCM846BS-7 Diodes Incorporated BCM846BS-7 0.0478
RFQ
 ECAD 6183 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 BCM846 200MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado BCM846BS-7DI EAR99 8541.21.0075 3.000 65V 100mA 15NA (ICBO) 2 NPN (dual) par emparejado 400mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BCM847BS-7 Diodes Incorporated BCM847BS-7 0.2700
RFQ
 ECAD 119 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 BCM847 200MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 45V 100mA 15NA (ICBO) 2 NPN (dual) par emparejado 400mv @ 5 Ma, 100 Ma 200 @ 2mA, 5V 100MHz
BCP5610QTA Diodes Incorporated Bcp5610qta 0.1197
RFQ
 ECAD 9585 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA BCP5610 2 W SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Bcp5610qtadi EAR99 8541.29.0075 1,000 80 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 500mv @ 50 mA, 500 mA 63 @ 150mA, 2V 150MHz
DMC2710UVT-7 Diodes Incorporated DMC2710UVT-7 0.4600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMC2710 Mosfet (Óxido de metal) 500MW (TA) TSOT-23-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N y p-canal complementario 20V 1.2a (TA), 900 mA (TA) 400mohm @ 600mA, 4.5V, 700mohm @ 430 mm, 4.5V 1V @ 250 µA 0.6nc @ 4.5V, 0.7nc @ 4.5V 42pf @ 16V, 49pf @ 16V -
DMC3060LVT-7 Diodes Incorporated DMC3060LVT-7 0.4700
RFQ
 ECAD 6089 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMC3060 Mosfet (Óxido de metal) 830MW TSOT-23-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N y p-canal complementario 30V 3.6a (TA), 2.8a (TA) 60mohm @ 3.1a, 10v, 95mohm @ 2.7a, 10v 1.8V @ 250 µA, 2.1V @ 250 µA 11.3nc @ 10V 395pf @ 15V, 324pf @ 15V -
DMC3061SVT-13 Diodes Incorporated DMC3061SVT-13 -
RFQ
 ECAD 9259 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMC3061 Mosfet (Óxido de metal) 880MW TSOT-23-6 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMC3061SVT-13DI EAR99 8541.21.0095 10,000 N y p-canal complementario 30V 3.4a (TA), 2.7a (TA) 60mohm @ 3.1a, 10v, 95mohm @ 2.7a, 10v 1.8V @ 250 µA, 2.2V @ 250 µA 6.6nc @ 10V, 6.8nc @ 10V 278pf @ 15V, 287pf @ 15V -
DMC31D5UDA-7B Diodes Incorporated Dmc31d5uda-7b 0.0820
RFQ
 ECAD 9768 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-SMD, sin Plomo DMC31 Mosfet (Óxido de metal) 370MW (TA) X2-DFN0806-6 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Dmc31d5uda-7bdi EAR99 8541.21.0095 10,000 N y p-canal complementario 30V 400 mA (TA) 1.5ohm @ 100 mm, 4.5V 1V @ 250 µA 0.38nc @ 4.5V 22.6pf @ 15V -
DMN10H170SFGQ-13 Diodes Incorporated DMN10H170SFGQ-13 0.2832
RFQ
 ECAD 5663 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMN10 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMN10H170SFGQ-13DI EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 100 V 2.9a (TA), 8.5a (TC) 4.5V, 10V 122mohm @ 3.3a, 10v 3V @ 250 µA 14.9 NC @ 10 V ± 20V 870.7 pf @ 25 V - 940MW (TA)
DMN24H3D6S-13 Diodes Incorporated DMN24H3D6S-13 -
RFQ
 ECAD 2467 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto DMN24 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMN24H3D6S-13DI Obsoleto 0000.00.0000 10,000
DMN3060LCA3-7 Diodes Incorporated DMN3060LCA3-7 0.3900
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn DMN3060 Mosfet (Óxido de metal) X4-DSN1006-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 30 V 3.9a (TA) 1.8v, 8V 60mohm @ 500 mA, 8V 1.1V @ 250 µA 1.677 NC @ 4.5 V ± 12V 192 pf @ 15 V - 790MW
DMN3071LFR4-7 Diodes Incorporated DMN3071LFR4-7 0.0810
RFQ
 ECAD 7610 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-xfdfn DMN3071 Mosfet (Óxido de metal) X2-DFN1010-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMN3071LFR4-7DI EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 3.4a (TA) 4.5V, 10V 65mohm @ 3.2a, 10V 2.5V @ 250 µA 4.5 NC @ 10 V ± 20V 190 pf @ 15 V - 500MW
DMN30H4D1S-13 Diodes Incorporated DMN30H4D1S-13 -
RFQ
 ECAD 4117 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN30 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMN30H4D1S-13DI EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 300 V 430 mA (TA) 4.5V, 10V 4ohm @ 300mA, 10V 3V @ 250 µA 4.8 NC @ 10 V ± 20V 174 pf @ 25 V - 360MW (TA)
DMN33D8LTQ-13 Diodes Incorporated DMN33D8LTQ-13 0.0683
RFQ
 ECAD 3343 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-523 DMN33 Mosfet (Óxido de metal) SOT-523 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMN33D8LTQ-13DI EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 30 V 115MA (TA) 2.5V, 4V 5ohm @ 10mA, 4V 1.5V @ 100 µA 0.55 NC @ 10 V ± 20V 48 pf @ 5 V - 240MW (TA)
DMN3731U-13 Diodes Incorporated DMN3731U-13 0.2500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3731 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 30 V 900 mA (TA) 1.8V, 4.5V 460mohm @ 200Ma, 4.5V 950MV @ 250 µA 5.5 NC @ 4.5 V ± 8V 73 pf @ 25 V - 400MW
DMN3731U-7 Diodes Incorporated DMN3731U-7 0.2500
RFQ
 ECAD 217 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN3731 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 900 mA (TA) 1.8V, 4.5V 460mohm @ 200Ma, 4.5V 950MV @ 250 µA 5.5 NC @ 4.5 V ± 8V 73 pf @ 25 V - 400MW
DMN4035LQ-13 Diodes Incorporated DMN4035LQ-13 0.4000
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN4035 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 40 V 4.6a (TA) 4.5V, 10V 42mohm @ 4.3a, 10v 3V @ 250 µA 12.5 NC @ 10 V ± 20V 574 pf @ 20 V - 720MW
DMN62D0UWQ-13 Diodes Incorporated DMN62D0UWQ-13 0.4000
RFQ
 ECAD 848 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DMN62 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 60 V 340MA (TA) 1.8V, 4.5V 2ohm @ 100 mm, 4.5V 1V @ 250 µA 0.5 NC @ 4.5 V ± 20V 32 pf @ 30 V - 320MW (TA)
DMN65D9L-7 Diodes Incorporated DMN65D9L-7 0.2300
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN65 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 335MA (TA) 4V, 10V 4ohm @ 500 mA, 10V 2.5V @ 250 µA 0.4 NC @ 4.5 V ± 16V 41 pf @ 25 V - 270MW (TA)
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