SIC
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Transistores (6028)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tipo de entrada Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Condición de PrueBa Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Tiempo de recuperación inverso (TRR) TipO IGBT Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Corriente - Colector Pulsado (ICM) VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC Cambio de Energía Carga de la Puerta TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
DMP3025LK3-13 Diodes Incorporated DMP3025LK3-13 -
RFQ
 ECAD 9111 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMP3025 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 Canal P 30 V 10.6a (TA) 4.5V, 10V 25mohm @ 7.1a, 10v 3V @ 250 µA 31.6 NC @ 10 V ± 20V 1678 pf @ 15 V - 2.15W (TA)
DMG8601UFG-7 Diodes Incorporated DMG8601UFG-7 0.5800
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powerudfn DMG8601 Mosfet (Óxido de metal) 920MW U-DFN3030-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 canales (dual) Drenaje Común 20V 6.1a 23mohm @ 6.5a, 4.5V 1.05V @ 250 µA 8.8nc @ 4.5V 143pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
DMN3730UFB-7 Diodes Incorporated DMN3730UFB-7 0.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 3-UFDFN DMN3730 Mosfet (Óxido de metal) X1-DFN1006-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 750 mA (TA) 1.8V, 4.5V 460mohm @ 200Ma, 4.5V 950MV @ 250 µA 1.6 NC @ 4.5 V ± 8V 64.3 pf @ 25 V - 470MW (TA)
DMN2004DWK-7 Diodes Incorporated DMN2004DWK-7 0.4900
RFQ
 ECAD 88 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DMN2004 Mosfet (Óxido de metal) 200MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal N (Dual) 20V 540ma 550mohm @ 540 mm, 4.5V 1V @ 250 µA - 150pf @ 16V Puerta de Nivel Lógico
ZXMN6A25K Diodes Incorporated Zxmn6a25k -
RFQ
 ECAD 4371 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 ZXMN6 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 60 V 7a (TA) 4.5V, 10V 50mohm @ 3.6a, 10v 3V @ 250 µA 20.4 NC @ 10 V ± 20V 1063 pf @ 30 V - 2.11W (TA)
DGTD65T40S1PT Diodes Incorporated DGTD65T40S1PT -
RFQ
 ECAD 8753 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 DGTD65 Estándar 341 W To-247 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 450 400V, 40A, 7.9ohm, 15V 145 ns Parada de Campo 650 V 80 A 160 A 2.4V @ 15V, 40A 1.15MJ (Encendido), 350 µJ (apaguado) 219 NC 58ns/245ns
DGTD65T50S1PT Diodes Incorporated DGTD65T50S1PT -
RFQ
 ECAD 2449 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-247-3 DGTD65 Estándar 375 W To-247 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 450 400V, 50A, 7.9ohm, 15V 80 ns Parada de Campo 650 V 100 A 200 A 2.4V @ 15V, 50A 770 µJ (Encendido), 550 µJ (apagado) 287 NC 58ns/328ns
DMN2024U-7 Diodes Incorporated DMN2024U-7 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN2024 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 6.8a (TA) 1.8V, 4.5V 25mohm @ 6.5a, 4.5V 900MV @ 250 µA 7.1 NC @ 4.5 V ± 10V 647 pf @ 10 V - 800MW
DMN2025UFDB-13 Diodes Incorporated DMN2025UFDB-13 0.1272
RFQ
 ECAD 3842 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMN2025 Mosfet (Óxido de metal) 700MW (TA) U-DFN2020-6 (TUPO B) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 2 Canal N (Dual) 20V 6a (TA) 25mohm @ 4a, 4.5V 1V @ 250 µA 12.3nc @ 10V 486pf @ 10V -
DMN2053UVT-13 Diodes Incorporated DMN2053UVT-13 0.0889
RFQ
 ECAD 9135 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMN2053 Mosfet (Óxido de metal) 700MW (TA) TSOT-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 2 Canal N (Dual) 20V 4.6a (TA) 35mohm @ 5a, 4.5V 1V @ 250 µA 3.6nc @ 4.5V 369pf @ 10V -
DMN3013LDG-7 Diodes Incorporated DMN3013LDG-7 0.3398
RFQ
 ECAD 3819 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powerldfn DMN3013 Mosfet (Óxido de metal) 2.16W (TA) PowerDI3333-8 (Tipo D) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1,000 2 Canal N (Dual) 30V 9.5a (TA), 15a (TC) 14.3mohm @ 4a, 8V 1.2V @ 250 µA 5.7nc @ 4.5V 600pf @ 15V -
DMP1022UFDEQ-7 Diodes Incorporated DMP1022UFDEQ-7 0.2568
RFQ
 ECAD 2714 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-Powerudfn DMP1022 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO E) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 12 V 9.1a (TA) 1.2V, 4.5V 16mohm @ 8.2a, 4.5V 800mv @ 250 µA 42.6 NC @ 5 V ± 8V 2953 pf @ 4 V - 660MW (TA)
DMP2075UVT-13 Diodes Incorporated DMP2075UVT-13 0.0792
RFQ
 ECAD 7615 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMP2075 Mosfet (Óxido de metal) TSOT-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10,000 Canal P 20 V 3.8a (TA) 2.5V, 4.5V 75mohm @ 4a, 4.5V 1V @ 250 µA 8.8 NC @ 4.5 V ± 8V 642 pf @ 10 V - 1.2W (TA)
DMP2165UW-13 Diodes Incorporated DMP2165UW-13 0.0733
RFQ
 ECAD 7154 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DMP2165 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 10,000 Canal P 20 V 2.5a (TA) 1.8V, 4.5V 90mohm @ 1.5a, 4.5V 1V @ 250 µA 3.5 NC @ 4.5 V ± 12V 335 pf @ 15 V - 500MW (TA)
DMT3009LFVWQ-13 Diodes Incorporated DMT3009LFVWQ-13 0.2933
RFQ
 ECAD 6642 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn DMT3009 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 12A (TA), 50A (TC) 3.8V, 10V 11mohm @ 14.4a, 10V 3V @ 250 µA 12 NC @ 10 V ± 20V 823 pf @ 15 V - 2.3W (TA), 35.7W (TC)
DMT6007LFGQ-7 Diodes Incorporated DMT6007LFGQ-7 1.0300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT6007 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 60 V 15a (TA), 80a (TC) 4.5V, 10V 6mohm @ 20a, 10v 2V @ 250 µA 41.3 NC @ 10 V ± 20V 2090 pf @ 30 V - 2.2W (TA), 62.5W (TC)
DMT615MLFV-13 Diodes Incorporated Dmt615mlfv-13 0.2258
RFQ
 ECAD 1656 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT615 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (Tipo UX) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 8.5a (TA), 38A (TC) 4.5V, 10V 16mohm @ 10a, 10v 3V @ 250 µA 15.5 NC @ 10 V ± 20V 1039 pf @ 30 V - 1.76W (TA)
DMTH10H010LPS-13 Diodes Incorporated DMTH10H010LPS-13 0.5361
RFQ
 ECAD 9277 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH10 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 10.8a (TA), 98.4a (TC) 4.5V, 10V 8.6mohm @ 13a, 10v 3V @ 250 µA 53.7 NC @ 10 V ± 20V 2592 pf @ 50 V - 1.5W, 125W (TC)
DMTH6016LPD-13 Diodes Incorporated DMTH6016LPD-13 0.4292
RFQ
 ECAD 1710 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powertdfn DMTH6016 Mosfet (Óxido de metal) 2.5W (TA), 37.5W (TC) PowerDI5060-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 60V 9.2a (TA), 33.2a (TC) 19mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 250 µA 17NC @ 10V 864pf @ 30V -
DDTA143ZKA-7-F Diodes Incorporated Ddta143zka-7-f -
RFQ
 ECAD 4353 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddta143 200 MW SC-59-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mV @ 250 µA, 5 mA 80 @ 10mA, 5V 250 MHz 4.7 kohms 47 kohms
DMN3012LEG-7 Diodes Incorporated Dmn3012leg-7 1.5100
RFQ
 ECAD 6818 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powerldfn DMN3012 Mosfet (Óxido de metal) 2.2W (TC) PowerDI3333-8 (Tipo D) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1,000 2 Canales N (Medio Puente) 30V 10a (TA), 20a (TC) 12mohm @ 15a, 5V, 6mohm @ 15a, 5V 2.1V @ 250 µA, 1.15V @ 250 µA 6.1NC @ 4.5V, 12.6nc @ 4.5V 850pf @ 15V, 1480pf @ 15V -
DDTA114WCA-7-F Diodes Incorporated DDTA114WCA-7-F 0.0386
RFQ
 ECAD 2560 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 Ddta114 200 MW Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500NA PNP - Pre -Sesgado 300mv @ 500 µA, 10 mA 24 @ 10mA, 5V 250 MHz 10 kohms 4.7 kohms
DZT751-13 Diodes Incorporated DZT751-13 -
RFQ
 ECAD 6147 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA DZT751 1 W SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2.500 60 V 3 A 100NA (ICBO) PNP 600mv @ 300mA, 3A 100 @ 500mA, 2V 145MHz
DXTP07025BFG-7 Diodes Incorporated DXTP07025BFG-7 0.5400
RFQ
 ECAD 3736 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Monte de superficie, Flanco Humectable 8Powervdfn DXTP07025 900 MW PowerDI3333-8 (SWP) Tipo UX descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 2,000 25 V 3 A 20NA (ICBO) PNP 400mv @ 300mA, 3A 100 @ 1a, 2v 160MHz
DMN3018SFG-7 Diodes Incorporated DMN3018SFG-7 0.1434
RFQ
 ECAD 3232 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMN3018 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 30 V 8.5A (TA) 4.5V, 10V 21mohm @ 10a, 10v 2.1V @ 250 µA 13.2 NC @ 10 V ± 25V 697 pf @ 15 V - 1W (TA)
DMN10H170SK3Q-13 Diodes Incorporated DMN10H170SK3Q-13 0.6500
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 DMN10 Mosfet (Óxido de metal) Un 252-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 12a (TC) 4.5V, 10V 140mohm @ 5a, 10v 3V @ 250 µA 9.7 NC @ 10 V ± 20V 1167 pf @ 25 V - 42W (TC)
DMN4468LSS-13 Diodes Incorporated DMN4468LSS-13 0.4400
RFQ
 ECAD 9401 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) DMN4468 Mosfet (Óxido de metal) 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 10a (TA) 4.5V, 10V 14mohm @ 11.6a, 10v 1.95V @ 250 µA 18.85 NC @ 10 V ± 20V 867 pf @ 10 V - 1.52W (TA)
DMG4468LFG Diodes Incorporated Dmg4468lfg -
RFQ
 ECAD 6751 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-Powerudfn DMG4468 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN3030-8 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 7.62a (TA) 4.5V, 10V 15mohm @ 11.6a, 10v 2V @ 250 µA 18.85 NC @ 10 V ± 20V 867 pf @ 10 V - 990MW (TA)
DMT3020LFVW-7 Diodes Incorporated DMT3020LFVW-7 0.1674
RFQ
 ECAD 1695 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMT3020 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 (Tipo UX) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 N-canal 30 V 38a (TC) 4.5V, 10V 17mohm @ 9a, 10v 2.5V @ 250 µA 7 NC @ 10 V ± 20V 393 pf @ 15 V - 1W (TA)
DMN10H099SFG-13 Diodes Incorporated DMN10H099SFG-13 0.2513
RFQ
 ECAD 7504 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMN10 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 100 V 4.2a (TA) 6V, 10V 80mohm @ 3.3a, 10V 3V @ 250 µA 25.2 NC @ 10 V ± 20V 1172 pf @ 50 V - 980MW (TA)
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