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Transistores (6028)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max) Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) Current - Collector (IC) (Max) Real - Corte de Coleción (Max) Tipo de transistor VCE Saturation (Max) @ IB, IC DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE FRECUENCIA - Transició Resistencia - Base (R1) Resistencia - Base de Emisor (R2)
DMP10H4D2S-7 Diodes Incorporated DMP10H4D2S-7 0.4000
RFQ
 ECAD 4990 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMP10 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 100 V 270MA (TA) 4V, 10V 4.2ohm @ 500 mA, 10V 3V @ 250 µA 1.8 NC @ 10 V ± 20V 87 pf @ 25 V - 380MW (TA)
IMT17-7 Diodes Incorporated IMT17-7 -
RFQ
 ECAD 9044 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Sot-23-6 IMT17 300MW Sot-26 - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 500mA 100NA (ICBO) 2 PNP (dual) 600mv @ 50 mA, 500 mA 120 @ 100 mapa, 3V 200MHz
DMG1012UW-7 Diodes Incorporated DMG1012UW-7 0.3500
RFQ
 ECAD 900 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SC-70, SOT-323 DMG1012 Mosfet (Óxido de metal) Sot-323 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 20 V 1a (TA) 1.8V, 4.5V 450mohm @ 600mA, 4.5V 1V @ 250 µA 0.74 NC @ 4.5 V ± 6V 60.67 pf @ 16 V - 290MW (TA)
ZVN2120ASTOA Diodes Incorporated ZVN2120ASTOA -
RFQ
 ECAD 2529 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-Línea-3 Mosfet (Óxido de metal) Línea electálica (compatible con 92) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 200 V 180MA (TA) 10V 10ohm @ 250 mA, 10v 3V @ 1MA ± 20V 85 pf @ 25 V - 700MW (TA)
DDTB122LU-7-F Diodes Incorporated DDTB122LU-7-F 0.3500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Diodos incorporados * Tape & Reel (TR) Obsoleto Ddtb122 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000
DMN3020UFDF-13 Diodes Incorporated DMN3020UFDF-13 0.1260
RFQ
 ECAD 8313 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMN3020 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO F) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10,000 N-canal 30 V 15A (TC) 1.5V, 4.5V 19mohm @ 4.5a, 4.5V 1V @ 250 µA 27 NC @ 8 V ± 12V 1304 pf @ 15 V - 2.03W (TA)
DMP3065LVT-7 Diodes Incorporated DMP3065LVT-7 -
RFQ
 ECAD 1594 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 DMP3065 Mosfet (Óxido de metal) TSOT-26 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 4.9a (TA) 4.5V, 10V 42mohm @ 4.9a, 10V 2.1V @ 250 µA 12.3 NC @ 10 V ± 20V 587 pf @ 15 V - 1.2W (TA)
ZVN4206GTA Diodes Incorporated ZVN4206GTA 0.9400
RFQ
 ECAD 5597 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA ZVN4206 Mosfet (Óxido de metal) SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 60 V 1a (TA) 5V, 10V 1ohm @ 1.5a, 10v 3V @ 1MA ± 20V 100 pf @ 25 V - 2W (TA)
DMTH6004SCT Diodes Incorporated DMTH6004SCT 1.5750
RFQ
 ECAD 2366 0.00000000 Diodos incorporados - Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 DMTH6004 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados DMTH6004SCTDI-5 EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 100A (TC) 10V 3.65mohm @ 100a, 10V 4V @ 250 µA 95.4 NC @ 10 V ± 20V 4556 pf @ 30 V - 2.8W (TA), 136W (TC)
FZT951T3DW Diodes Incorporated FZT951T3DW -
RFQ
 ECAD 3305 0.00000000 Diodos incorporados - Una granela Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA 1.6 W SOT-223 - 31-FZT951T3DW EAR99 8541.29.0095 1 60 V 5 A 50NA PNP 460mv @ 500 mA, 5A 100 @ 2a, 1v 120MHz
DMP3017SFV-7 Diodes Incorporated DMP3017SFV-7 -
RFQ
 ECAD 7535 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMP3017 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 Canal P 30 V 40A (TC) 4.5V, 10V 10mohm @ 11.5a, 10v 3V @ 250 µA 41 NC @ 10 V ± 25V 2246 pf @ 15 V - 31W (TA)
DMP3068L-7 Diodes Incorporated DMP3068L-7 0.4200
RFQ
 ECAD 79 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMP3068 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 Canal P 30 V 3.3a (TA) 1.8v, 10v 72mohm @ 4.2a, 10V 1.3V @ 250 µA 15.9 NC @ 10 V ± 12V 708 pf @ 15 V - 700MW (TA)
DMP2035UFDF-13 Diodes Incorporated DMP2035UFDF-13 0.1238
RFQ
 ECAD 6420 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-udfn almohadilla exposición DMP2035 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO F) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 10,000 Canal P 20 V 8.1a (TA) 1.5V, 4.5V 29mohm @ 6.4a, 4.5V 1V @ 250 µA 20.5 NC @ 4.5 V ± 8V 1808 pf @ 15 V - 2.03W (TA)
DMN3029LFG-13 Diodes Incorporated DMN3029LFG-13 0.1514
RFQ
 ECAD 5998 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMN3029 Mosfet (Óxido de metal) PowerDI3333-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 5.3a (TA) 4.5V, 10V 18.6mohm @ 10a, 10v 1.8V @ 250 µA 11.3 NC @ 10 V ± 25V 580 pf @ 15 V - 1W (TA)
BSS138K-7 Diodes Incorporated BSS138K-7 0.3100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 BSS138 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 50 V 310MA (TA) 10V 3.5ohm @ 220 mm, 10V 1.5V @ 250 µA 0.95 NC @ 10 V ± 20V 23.2 pf @ 25 V - 380MW
ZTX453STOB Diodes Incorporated Ztx453stob -
RFQ
 ECAD 7654 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 200 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-línea-3, clientes potenciales formados ZTX453 1 W Línea electálica (compatible con 92) descascar 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 2,000 100 V 1 A 100NA (ICBO) NPN 700mv @ 15 Ma, 150 Ma 40 @ 150mA, 10V 150MHz
ZVN2110ASTZ Diodes Incorporated Zvn2110astz 0.7100
RFQ
 ECAD 8011 0.00000000 Diodos incorporados - Cinta de Corte (CT) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero E-Línea-3 ZVN2110 Mosfet (Óxido de metal) Línea electálica (compatible con 92) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 N-canal 100 V 320MA (TA) 10V 4ohm @ 1a, 10v 2.4V @ 1MA ± 20V 75 pf @ 25 V - 700MW (TA)
DMN6040SFDE-7 Diodes Incorporated DMN6040SFDE-7 0.6000
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-Powerudfn DMN6040 Mosfet (Óxido de metal) U-DFN2020-6 (TUPO E) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 5.3a (TA) 4.5V, 10V 38mohm @ 4.3a, 10V 3V @ 250 µA 22.4 NC @ 10 V ± 20V 1287 pf @ 25 V - 660MW (TA)
FZT560TC Diodes Incorporated FZT560TC 0.2755
RFQ
 ECAD 8157 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-261-4, TO-261AA FZT560 2 W SOT-223-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar Afectados EAR99 8541.29.0075 4.000 500 V 150 Ma 100na PNP 500mV @ 10 Ma, 50 Ma 80 @ 50 mm, 10v 60MHz
DMN100-7-F Diodes Incorporated DMN100-7-F -
RFQ
 ECAD 2966 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN100 Mosfet (Óxido de metal) SC-59-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 30 V 1.1a (TA) 4.5V, 10V 240mohm @ 1a, 10v 3V @ 1MA 5.5 NC @ 10 V ± 20V 150 pf @ 10 V - 500MW (TA)
ZVP2120ASTZ Diodes Incorporated Zvp2120astz -
RFQ
 ECAD 5636 0.00000000 Diodos incorporados - Cinta de Corte (CT) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formó Clientes Potenciales ZVP2120 Mosfet (Óxido de metal) Un 92 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 2,000 Canal P 200 V 120MA (TA) 10V 25ohm @ 150 mm, 10v 3.5V @ 1MA ± 20V 100 pf @ 25 V - 700MW (TA)
ZXMN10A07ZTA Diodes Incorporated Zxmn10a07zta 0.6000
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA Zxmn10 Mosfet (Óxido de metal) SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 100 V 1a (TA) 6V, 10V 700mohm @ 1.5a, 10V 4V @ 250 µA 2.9 NC @ 10 V ± 20V 138 pf @ 50 V - 1.5W (TA)
DDA124EU-7-F Diodes Incorporated DDA124EU-7-F 0.0756
RFQ
 ECAD 5942 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 6-TSOP, SC-88, SOT-363 DDA124 200MW Sot-363 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500NA 2 PNP - Precializado (dual) 300mv @ 500 µA, 10 mA 56 @ 5MA, 5V 250MHz 22 kohms 22 kohms
ZVN4206NTC Diodes Incorporated ZVN4206NTC -
RFQ
 ECAD 1018 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Obsoleto - Montaje en superficie SOT-223-8 ZVN4206 Mosfet (Óxido de metal) - Sm8 - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 4.000 2 Canal N (Dual) 60V - - - - - -
DDA143TH-7 Diodes Incorporated Dda143th-7 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SOT-563, SOT-666 DDA143 150MW SOT-563 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA - 2 PNP - Precializado (dual) 300mV @ 250 µA, 2.5MA 100 @ 1 mapa, 5v 250MHz 4.7 kohms -
DCX124EK-7-F-50 Diodes Incorporated DCX124EK-7-F-50 0.0465
RFQ
 ECAD 5101 0.00000000 Diodos incorporados Dcx (xxxx) k Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie SC-74, SOT-457 DCX124 300MW SC-74R descascar 31-DCX124EK-7-F-50 EAR99 8541.21.0075 3.000 50V 100mA 500NA (ICBO) 1 NPN, 1 PNP - Precializado (Dual) 300mv @ 500 µA, 10 mA 80 @ 5MA, 5V 250MHz 22 kohms 22 kohms
DMC6070LND-7 Diodes Incorporated Dmc6070lnd-7 0.3045
RFQ
 ECAD 3740 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8Powervdfn DMC6070 Mosfet (Óxido de metal) 1.4w PowerDI3333-8 (TUPO UXB) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 2,000 Vecino del canal 60V 3.1a, 2.4a 85mohm @ 1.5a, 10V 3V @ 250 µA 11.5nc @ 10V 731pf @ 20V -
ZXTN25060BZQTA Diodes Incorporated Zxtn25060bzqta 0.3040
RFQ
 ECAD 6692 0.00000000 Diodos incorporados Automotriz, AEC-Q101 Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-243AA ZXTN25060 1.1 W SOT-89-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0075 1,000 60 V 5 A 50NA (ICBO) NPN 305mv @ 500 Ma, 5a 100 @ 10mA, 2V 185MHz
MMBF170Q-7-F Diodes Incorporated MMBF170Q-7-F 0.3500
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 MMBF170 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar Cumplimiento de Rohs 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 N-canal 60 V 500 mA (TA) 4.5V, 10V 5ohm @ 200ma, 10v 3V @ 250 µA ± 20V 40 pf @ 10 V - 300MW (TA)
DMN53D0L-13 Diodes Incorporated DMN53D0L-13 0.0473
RFQ
 ECAD 2642 0.00000000 Diodos incorporados - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 DMN53 Mosfet (Óxido de metal) Sot-23-3 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado DMN53D0L-13DI EAR99 8541.21.0095 10,000 N-canal 50 V 500 mA (TA) 2.5V, 10V 1.6ohm @ 500 mA, 10V 1.5V @ 250 µA 0.6 NC @ 4.5 V ± 20V 46 pf @ 25 V - 370MW (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

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AD9208BBPZ-3000

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