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Transistores (3592)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Drenaje real (ID) - Max |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | RX3P07BBHC16 | 3.8800 |  | 2063 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Rx3p07 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 846-RX3P07BBHC16 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 80a (TA), 70A (TC) | 6V, 10V | 8.4mohm @ 70a, 10v | 4V @ 1MA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 2410 pf @ 50 V | - | 89W (TA) | ||||||||||||||
| Dta114ye3tl | 0.3700 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Dta115e | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | Dta114 | 150 MW | EMT3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | PNP - Precializado + Diodo | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 82 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 100 kohms | 100 kohms | ||||||||||||||||||
| Dta123ye3tl | 0.3700 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Dta114t | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | DTA123 | 150 MW | EMT3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 1 mapa, 10 ma | 100 @ 1 mapa, 5v | 250 MHz | 10 kohms | |||||||||||||||||||
| Dta144ee3tl | 0.3700 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Dtc144e | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | DTA144 | 150 MW | EMT3 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | NPN - Precializado + Diodo | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 47 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||
| Dta123Je3tl | 0.3700 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Dtc123j | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | DTA123 | 150 MW | EMT3 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | NPN - Precializado + Diodo | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 80 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 2.2 kohms | 47 kohms | ||||||||||||||||||
| Dtc113ze3tl | 0.3700 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Dtc143e | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | DTC113 | 150 MW | EMT3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | NPN - Precializado + Diodo | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 4.7 kohms | 4.7 kohms | ||||||||||||||||||
| Dtc144ee3tl | 0.3700 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | DTA143T | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | Dtc144 | 150 MW | EMT3 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 100 @ 1 mapa, 5v | 250 MHz | 4.7 kohms | |||||||||||||||||||
| Rd3g07bbgtl1 | 3.0600 | | 4006 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Rd3g07 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 V | 150A (TA), 70A (TC) | 4.5V, 10V | 2.3mohm @ 70a, 10v | 2.5V @ 1MA | 56 NC @ 10 V | ± 20V | 3540 pf @ 20 V | - | 89W (TC) | |||||||||||||||
| 2SA1774E3TLQ | 0.3400 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | 2SA1774 | 150 MW | EMT3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 500mV @ 5 mm, 50 Ma | 120 @ 1 MMA, 6V | 140MHz | |||||||||||||||||||
| Dtc123ye3tl | 0.3700 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Dtc124e | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | DTC123 | 150 MW | EMT3 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | NPN - Precializado + Diodo | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 22 kohms | 22 kohms | ||||||||||||||||||
| Rs6n120bhtb1 | 2.9700 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Rs6n120 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-HSOP | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 80 V | 135A (TA), 120A (TC) | 6V, 10V | 4.9mohm @ 60a, 6V | 4V @ 1MA | 53 NC @ 10 V | ± 20V | 3420 pf @ 40 V | - | 3W (TA), 104W (TC) | ||||||||||||||||
| GNP1150tca-Ze2 | 11.8400 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerDFN | GNP1150 | Ganfet (Nitruro de Galio) | DFN8080AK | descascar | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3,500 | N-canal | 650 V | 11a (TC) | 5V, 5.5V | 195mohm @ 1.9a, 5.5V | 2.4V @ 18MA | 2.7 NC @ 6 V | +6V, -10V | 112 pf @ 400 V | - | 62.5W (TC) | ||||||||||||||||
| UT6MC5TCR | 0.8900 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-Powerudfn | UT6M | Mosfet (Óxido de metal) | 2W (TA) | Huml2020l8 | descascar | 1 (ilimitado) | 3.000 | - | 60V | 3.5a (TA), 2.5a (TA) | 95mohm @ 3.5a, 10v, 280mohm @ 2.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | - | - | Estándar | ||||||||||||||||||||
| R6086YNZ4C13 | 11.2000 | | 3657 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | R6086 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247g | descascar | 1 (ilimitado) | 846-R6086YNZ4C13 | 30 | N-canal | 600 V | 86a (TC) | 10V, 12V | 44mohm @ 17a, 12v | 6V @ 4.6MA | 110 NC @ 10 V | ± 30V | 5100 pf @ 100 V | - | 781W (TC) | |||||||||||||||||
| Rq6p020attcr | 0.8600 | | 4540 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | RQ6P020 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT6 (SC-95) | descascar | 1 (ilimitado) | 3.000 | Canal P | 100 V | 2a (TA) | 4.5V, 10V | 220mohm @ 2a, 10v | 2.5V @ 1MA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 760 pf @ 50 V | - | 950MW (TA) | ||||||||||||||||||
| BSM300D12P4G101 | 965.0400 | | 5353 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Caja | Activo | 175 ° C (TJ) | Monte del Chasis | Módulo | BSM300 | CARBURO DE SILICIO (SIC) | 925W (TC) | Módulo | descascar | 1 (ilimitado) | 846-BSM300D12P4G101 | 4 | 2 Canal | 1200V | 291a (TC) | - | 4.8V @ 145.6MA | - | 30000PF @ 10V | Estándar | |||||||||||||||||||
 | 2SD2705STP | - | | 6050 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | SC-72 Peques Formados | 300 MW | SPT | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 5,000 | 20 V | 300 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 100mv @ 3 mm, 30 ma | 820 @ 4MA, 2V | 35MHz | |||||||||||||||||||
 | 2SC5826TV2Q | - | | 9250 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 3-SIP | 1 W | Canal de televisión Británnico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 60 V | 3 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 500mv @ 200MA, 2a | 120 @ 100 mapa, 2v | 200MHz | |||||||||||||||||||
 | QS8K51TR | 0.5748 | | 8917 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | - | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | QS8K51 | - | - | TSMT8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 2A | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||
 | RCJ700N20TL | 5.3300 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | RCJ700 | Mosfet (Óxido de metal) | LPTS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 200 V | 70A (TC) | 10V | 42.7mohm @ 35a, 10v | 5V @ 1MA | 125 NC @ 10 V | ± 30V | 6900 pf @ 25 V | - | 1.56W (TA), 40W (TC) | ||||||||||||||
 | Rp1l080sntr | - | | 3474 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | RP1L080 | Mosfet (Óxido de metal) | Mpt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 8a (TA) | 4V, 10V | 24mohm @ 8a, 10v | 3V @ 1MA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 10 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||||
 | Dtc114ycat116 | 0.2800 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Dtc114 | 200 MW | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 68 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 10 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||
 | Dtb114ect116 | 0.3700 | | 9479 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Dtb114 | 200 MW | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 500 mA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 2.5 mA, 50 mA | 56 @ 50 mm, 5V | 200 MHz | 10 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||
| R6009knjtl | 1.9600 | | 20 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | R6009 | Mosfet (Óxido de metal) | LPTS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 9A (TC) | 10V | 535mohm @ 2.8a, 10V | 5V @ 1MA | 16.5 NC @ 10 V | ± 20V | 540 pf @ 25 V | - | 94W (TC) | ||||||||||||||
 | R6024knx | 2.8800 | | 495 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | R6024 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 24a (TC) | 10V | 165mohm @ 11.3a, 10v | 5V @ 1MA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 2000 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | ||||||||||||||
 | Rq6e085bntcr | 0.9200 | | 530 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | RQ6E085 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT6 (SC-95) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 8.5A (TC) | 10V | 14.4mohm @ 8.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 32.7 NC @ 10 V | ± 20V | 1350 pf @ 15 V | - | 1.25W (TC) | ||||||||||||||
| RQ7E110AJTCR | 0.9700 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | RQ7E110 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 11a (TC) | 4.5V | 9mohm @ 4.5a, 11v | 1.5V @ 10mA | 22 NC @ 4.5 V | ± 12V | 2410 pf @ 15 V | - | 1.5W (TC) | ||||||||||||||
| ES6M2T2CR | - | | 5431 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-ES6M2T2CRTR | Obsoleto | 8,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ES6U41FU7T2CR | - | | 6725 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-ES6U41FU7T2CRTR | Obsoleto | 8,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| DSK9J01Q0L | - | | 5838 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | 125 MW | SSMINI3-F3-B | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 846-DSK9J01Q0LTR | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 6pf @ 10V | 30 Ma |
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