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Transistores (3592)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2SC5880TV2R | - |  | 1316 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 3-SIP | 1 W | Canal de televisión Británnico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 60 V | 2 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 500mv @ 100 mm, 1a | 180 @ 100mA, 2V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | 2SK2095N | - | | 7365 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | 2SK2095 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220FN | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 60 V | 10a (TA) | 4V, 10V | 95mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 1MA | ± 20V | 1600 pf @ 10 V | - | 30W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | Dtc113zu3hzgt106 | 0.3800 | | 45 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | DTC113 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 33 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 1 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||
 | 2sc6114t2lr | - | | 4238 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-72 Peques Formados | 150 MW | VMN3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 50 V | 100 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 300 mv @ 2.5mA, 25 mA | 180 @ 2mA, 6V | 130MHz | |||||||||||||||||||||||||
 | BCX56-16T100 | 0.3341 | | 5991 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | - | Montaje en superficie | To-243AA | BCX56 | 2 W | MPT3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 80 V | 1 A | - | NPN | 500mv @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 2V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||
 | Dta044tmt2l | 0.0382 | | 5791 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Dta044t | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sot-723 | Dta044 | 150 MW | VMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50 V | 60 Ma | 500NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 150mv @ 500 µA, 5 mA | 100 @ 5 MMA, 10V | 250 MHz | 47 kohms | ||||||||||||||||||||||||
 | Sh8k32gzetb | 1.5700 | | 17 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sh8k32 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4W (TA) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 4.5a (TA) | 65mohm @ 4.5a, 10V | 2.5V @ 1MA | 10NC @ 5V | 500pf @ 10V | - | ||||||||||||||||||||||
| Dta124xu3hzgt106 | 0.3800 | | 609 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Dta124 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 68 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 22 kohms | 47 kohms | |||||||||||||||||||||||
| Sh8k39gzetb | 2.1600 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sh8k39 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4W (TA) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 8a (TA) | 21mohm @ 8a, 10v | 2.7V @ 200 µA | 25nc @ 10V | 1240pf @ 30V | - | ||||||||||||||||||||||
 | R5007ANX | 2.1200 | | 140 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | R5007 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 V | 7a (TA) | 10V | 1.05ohm @ 3.5a, 10v | 4.5V @ 1MA | 13 NC @ 10 V | ± 30V | 500 pf @ 25 V | - | 40W (TC) | ||||||||||||||||||||
| R6020knx | 2.8500 | | 431 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | R6020 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 20A (TC) | 10V | 196mohm @ 9.5a, 10V | 5V @ 1MA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 1550 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | RGTH50TS65GC11 | - | | 4782 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Rgth50 | Estándar | 174 W | To-247n | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 25A, 10ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 50 A | 100 A | 2.1V @ 15V, 25A | - | 49 NC | 27ns/94ns | |||||||||||||||||||||
 | Hp8ka1tb | 1.2200 | | 2273 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | HP8KA1 | Mosfet (Óxido de metal) | 3W | 8-HSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 14A | 5mohm @ 14a, 10v | 2.5V @ 10mA | 24nc @ 4.5V | 2550pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||
 | SCT3060AlGC11 | 14.1800 | | 428 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SCT3060 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | To-247n | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 39A (TC) | 18V | 78mohm @ 13a, 18V | 5.6V @ 6.67MA | 58 NC @ 18 V | +22V, -4V | 852 pf @ 500 V | - | 165W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | R6024ENZC8 | - | | 4344 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 360 | N-canal | 600 V | 24a (TC) | 10V | 165mohm @ 11.3a, 10v | 4V @ 1MA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 1650 pf @ 25 V | - | 120W (TC) | |||||||||||||||||||||
 | EMX5T2R | 0.2183 | | 2312 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | EMX5T2 | 150MW | EMT6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 8,000 | 11V | 50mera | 500NA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 500mv @ 5 Ma, 10 Ma | 56 @ 5mA, 10V | 3.2GHz | ||||||||||||||||||||||||
 | Rq3e160adtb | 0.7800 | | 9130 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8Powervdfn | RQ3E160 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-HSMT (3.2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 16a (TA) | 4.5V, 10V | 4.5mohm @ 16a, 10v | 2.5V @ 1MA | 51 NC @ 10 V | ± 20V | 2550 pf @ 15 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||
 | RF4C050APTR | 0.6900 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powerudfn | RF4C050 | Mosfet (Óxido de metal) | Huml2020l8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 10a (TA) | 1.8V, 4.5V | 26mohm @ 5a, 4.5V | 1V @ 1MA | 55 NC @ 4.5 V | -8v | 5500 pf @ 10 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||
 | US6T8TR | 0.5800 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | US6T8 | 400MW | Tumt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 12V | 1.5a | 100NA (ICBO) | 2 PNP (dual) | 200 MV a 25 mm, 500 Ma | 270 @ 200MA, 2V | 400MHz | ||||||||||||||||||||||||
 | MMST3904T146 | 0.3500 | | 13 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | MMST3904 | 200 MW | Smt3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V | 200 MA | 50NA | NPN | 300mv @ 5 Ma, 50 Ma | 100 @ 10mA, 1V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||
 | QS6K21TR | 0.6200 | | 7 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | QS6K21 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.25W | TSMT6 (SC-95) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 45V | 1A | - | 1.5V @ 1MA | - | - | - | ||||||||||||||||||||||
 | R6042JNZ4C13 | 12.3900 | | 159 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | R6042 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247g | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 42a (TC) | 15V | 104mohm @ 21a, 15v | 7V @ 5.5mA | 100 NC @ 15 V | ± 30V | 3500 pf @ 100 V | - | 495W (TC) | ||||||||||||||||||||
 | RQ5E040AJTCL | 0.5300 | | 9 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-96 | RQ5E040 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 4A (TA) | 2.5V, 4.5V | 37mohm @ 4a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 4.3 NC @ 4.5 V | ± 12V | 480 pf @ 15 V | - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||
 | R6009JND3TL1 | 2.5900 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | R6009 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 600 V | 9A (TC) | 15V | 585mohm @ 4.5a, 15V | 7V @ 1.38mA | 22 NC @ 15 V | ± 30V | 645 pf @ 100 V | - | 125W (TC) | ||||||||||||||||||||
| RRL025P03TR | 0.7000 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | RRL025 | Mosfet (Óxido de metal) | Tumt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 2.5a (TA) | 4V, 10V | 75mohm @ 2.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 5.2 NC @ 5 V | ± 20V | 480 pf @ 10 V | - | 320MW (TA) | ||||||||||||||||||||
 | Ruf025n02tl | 0.6300 | | 7 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, planos de cables | RUF025 | Mosfet (Óxido de metal) | Tumt3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 2.5a (TA) | 1.5V, 4.5V | 54mohm @ 2.5a, 4.5V | 1.3V @ 1MA | 5 NC @ 4.5 V | ± 10V | 370 pf @ 10 V | - | 320MW (TA) | ||||||||||||||||||||
| Dta114tubtl | 0.0366 | | 6332 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Dta114 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | PNP - Pre -Sesgado | 300mv @ 1 mapa, 10 ma | 100 @ 1 mapa, 5v | 250 MHz | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||
 | Rdd022n50tl | 0.5954 | | 8895 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RDD022 | Mosfet (Óxido de metal) | CPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 500 V | 2a (TC) | 10V | 5.4ohm @ 1a, 10v | 4.7V @ 1 MMA | 6.7 NC @ 10 V | ± 30V | 168 pf @ 25 V | - | 20W (TC) | ||||||||||||||||||||
| SCT3022AlGC11 | 53.0000 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SCT3022 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | To-247n | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 93A (TC) | 18V | 28.6mohm @ 36a, 18V | 5.6V @ 18.2MA | 133 NC @ 18 V | +22V, -4V | 2208 pf @ 500 V | - | 339W (TC) | ||||||||||||||||||||
| Rss090p03tb | - | | 1864 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | RSS090 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 9a (TA) | 4V, 10V | 14mohm @ 9a, 10v | 2.5V @ 1MA | 39 NC @ 5 V | ± 20V | 4000 pf @ 10 V | - | 2W (TA) |
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