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Transistores (3592)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tipo de entrada | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Condición de PrueBa | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | TipO IGBT | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Corriente - Colector Pulsado (ICM) | VCE (ON) (MAX) @ VGE, IC | Cambio de Energía | Carga de la Puerta | TD (Encendido/apaguado) @ 25 ° C | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2SCR544P5T100 | 0.6100 |  | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2SCR544 | 500 MW | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 80 V | 2.5 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 300mv @ 50 mm, 1a | 120 @ 100 mapa, 3V | 280MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| RXT2222AT100 | 0.2374 | | 4232 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Cinta y Caja (TB) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | RXT2222 | 500 MW | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 40 V | 600 mA | 100NA (ICBO) | NPN | 1V @ 50 Ma, 500 Ma | 100 @ 150mA, 10V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | Dtc114gu3t106 | 0.2000 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Dtc114 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 10 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
 | 2SA1774EBTLQ | 0.3800 | | 9 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-89, SOT-490 | 2SA1774 | 150 MW | EMT3F (SOT-416FL) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 150 Ma | 100NA (ICBO) | PNP | 500mV @ 5 mm, 50 Ma | 120 @ 1 MMA, 6V | 140MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | QS5U13TR | 0.6100 | | 120 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-5 Delgado, TSOT-23-5 | QS5U13 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 2a (TA) | 2.5V, 4.5V | 100mohm @ 2a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 3.9 NC @ 4.5 V | ± 12V | 175 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Aislado) | 1.25W (TA) | ||||||||||||||||||||||
 | 2SAR562F3TR | 0.8400 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-udfn almohadilla exposición | 2Sar562 | 1 W | Huml2020l3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 3.000 | 30 V | 6 A | 100NA (ICBO) | PNP | 300mv @ 150 mm, 3a | 200 @ 500mA, 2V | 180MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | SST6427T116 | 0.1417 | | 1013 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SST6427 | Smd3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 40 V | 50NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1.5V @ 500 µA, 500 mA | 10000 @ 10mA, 5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||
 | DTC114EEFRATL | 0.3900 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | Dtc114 | 150 MW | EMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 50 Ma | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500NA, 10 Ma | 30 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 10 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||||||||
 | QS6K1FRATR | 0.6000 | | 14 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | QS6K1 | Mosfet (Óxido de metal) | 900MW (TC) | TSMT6 (SC-95) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 1a (TA) | 238mohm @ 1a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 2.4nc @ 4.5V | 77pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico, Unidad de 2.5V | ||||||||||||||||||||||||
 | Rf4e070gntr | 0.4500 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powerudfn | RF4E070 | Mosfet (Óxido de metal) | Huml2020l8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 7a (TA) | 4.5V, 10V | 21.4mohm @ 7a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 4.8 NC @ 10 V | ± 20V | 220 pf @ 15 V | - | 2W (TA) | ||||||||||||||||||||||
 | QS8M13TCR | - | | 2213 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | QS8M13 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.5w | TSMT8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 30V | 6a, 5a | 28mohm @ 6a, 10v | 2.5V @ 1MA | 5.5nc @ 5V | 390pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||||||||||||||||
 | Rd3l03battl1 | 1.5000 | | 6 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RD3L03 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RD3L03BATTL1TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 60 V | 35A (TA) | 4.5V, 10V | 41mohm @ 35a, 10v | 2.5V @ 1MA | 37 NC @ 10 V | ± 20V | 1930 pf @ 30 V | - | 56W (TA) | |||||||||||||||||||||
 | RGT50TS65DGC13 | 9.8900 | | 4660 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | RGT50 | Estándar | 174 W | To-247g | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RGT50TS65DGC13 | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | 400V, 25A, 10ohm, 15V | 58 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 48 A | 75 A | 2.1V @ 15V, 25A | - | 49 NC | 27ns/88ns | |||||||||||||||||||||
 | Dtc143tcat116 | 0.2800 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | DTC143 | 200 MW | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mV @ 250 µA, 5 mA | 100 @ 1 mapa, 5v | 250 MHz | 4.7 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
 | Rul035n02tr | 0.6300 | | 696 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | Rul035 | Mosfet (Óxido de metal) | Tumt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 3.5a (TA) | 1.5V, 4.5V | 43mohm @ 3.5a, 4.5V | 1V @ 1MA | 5.7 NC @ 4.5 V | ± 10V | 460 pf @ 10 V | - | 320MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
 | RGW80TS65DGC11 | 6.5400 | | 438 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | RGW80 | Estándar | 214 W | To-247n | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 40a, 10ohm, 15V | 92 ns | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 78 A | 160 A | 1.9V @ 15V, 40A | 760 µJ (Encendido), 720 µJ (apagado) | 110 NC | 44ns/143ns | ||||||||||||||||||||||
 | Rtr025n05tl | 0.6200 | | 4 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-96 | RTR025 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 45 V | 2.5a (TA) | 2.5V, 4.5V | 130mohm @ 2.5a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 3.2 NC @ 4.5 V | ± 12V | 250 pf @ 10 V | - | 1W (TA) | ||||||||||||||||||||||
 | RGW80TK65GVC11 | 6.4000 | | 450 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3PFM, SC-93-3 | RGW80 | Estándar | 81 W | To-3pfm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 40a, 10ohm, 15V | Parada de Campo de Trinchera | 650 V | 39 A | 160 A | 1.9V @ 15V, 40A | 760 µJ (Encendido), 720 µJ (apagado) | 110 NC | 44ns/143ns | |||||||||||||||||||||||
| R6030JNZ4C13 | 10.9600 | | 554 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | R6030 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247g | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 600 V | 30A (TC) | 15V | 143mohm @ 15a, 15V | 7V @ 5.5mA | 74 NC @ 15 V | ± 30V | 2500 pf @ 100 V | - | 370W (TC) | ||||||||||||||||||||||
| DTC115GU3T106 | 0.2000 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | DTC115 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 82 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 100 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
| Dtc643tut106 | 0.3800 | | 200 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | DTC643 | 200 MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 20 V | 600 mA | 500NA (ICBO) | NPN - Pre -Sesgado | 150mv @ 2.5mA, 50 mA | 820 @ 50 mm, 5V | 150 MHz | 4.7 kohms | ||||||||||||||||||||||||||
| RHU003N03FRAT106 | 0.0630 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | RHU003 | Mosfet (Óxido de metal) | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 300 mA (TA) | 4V, 10V | 1.2ohm @ 300mA, 10V | 2.5V @ 1MA | ± 20V | 20 pf @ 10 V | - | 200MW | |||||||||||||||||||||||
 | Dta043emt2l | 0.0382 | | 9910 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Dta043e | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | Sot-723 | DTA043 | 150 MW | VMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 8,000 | 50 V | 100 mA | 500NA | PNP - Precializado + Diodo | 150mv @ 500 µA, 5 mA | 20 @ 5MA, 10V | 250 MHz | 4.7 kohms | 4.7 kohms | |||||||||||||||||||||||||
| RYC002N05T316 | 0.3800 | | 54 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Ryc002 | Mosfet (Óxido de metal) | SST3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 50 V | 200MA (TA) | 4.5V | 2.2ohm @ 200 MMA, 4.5V | 800mv @ 1 MMA | ± 8V | 26 pf @ 10 V | - | 350MW (TC) | |||||||||||||||||||||||
 | RGW80TS65CHRC11 | 13.2900 | | 8418 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | RGW80 | Estándar | 214 W | To-247n | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RGW80TS65CHRC11 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 400V, 20a, 10ohm, 15V | 33 ns | - | 650 V | 81 A | 160 A | 1.9V @ 15V, 40A | 120 µJ (Encendido), 340 µJ (apagado) | 110 NC | 43ns/145ns | |||||||||||||||||||||
| 2SAR375P5T100R | 0.6600 | | 9 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2Sar375 | 500 MW | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 120 V | 1.5 A | 1 µA (ICBO) | PNP | 320MV @ 80MA, 800 Ma | 120 @ 200MA, 5V | 280MHz | ||||||||||||||||||||||||||
 | Rrf015p03tl | 0.4900 | | 780 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 3-SMD, planos de cables | RRF015 | Mosfet (Óxido de metal) | Tumt3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 1.5a (TA) | 4V, 10V | 160mohm @ 1.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 6.4 NC @ 10 V | ± 20V | 230 pf @ 10 V | - | 320MW (TA) | ||||||||||||||||||||||
 | Dtc124eubtl | 0.2000 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | Montaje en superficie | SC-85 | DTC124 | 200 MW | UMT3F | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 30 Ma | 500NA | NPN - Pre -Sesgado | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 56 @ 5MA, 5V | 250 MHz | 22 kohms | 22 kohms | |||||||||||||||||||||||||
 | BCW32T116 | 0.0935 | | 2173 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | - | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | BCW32 | SST3 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 32 V | 100 mA | - | NPN | - | 200 @ 2mA, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||
| 2SCR533P5T100 | 0.4700 | | 736 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2SCR533 | 500 MW | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 50 V | 3 A | 1 µA (ICBO) | NPN | 350mv @ 50 mm, 1a | 180 @ 50mA, 3V | 320MHz |
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