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Transistores (3592)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Resistencia - Base (R1) | Resistencia - Base de Emisor (R2) | Figura de Ruido (db typ @ f) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SCT2750NYTB | 6.9900 |  | 5038 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-268-3, D³PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA | SCT2750 | Sicfet (CARBURO DE SILICIO) | Un 268 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 1700 V | 5.9a (TC) | 18V | 975mohm @ 1.7a, 18V | 4V @ 630 µA | 17 NC @ 18 V | +22V, -6V | 275 pf @ 800 V | - | 57W (TC) | |||||||||||||||
 | Rss070p05fratb | 1.2346 | | 9502 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | RSS070 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 45 V | 7a (TA) | 4V, 10V | 27mohm @ 7a, 10v | 2.5V @ 1MA | 47.6 NC @ 5 V | ± 20V | 4100 pf @ 10 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||||
 | RP1A090ZPTR | - | | 2756 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-smd, planos de cables | RP1A090 | Mosfet (Óxido de metal) | Mpt6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 12 V | 9a (TA) | 1.5V, 4.5V | 12mohm @ 9a, 4.5V | 1V @ 1MA | 59 NC @ 4.5 V | ± 10V | 7400 pf @ 6 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||||
 | Dta143xe3tl | 0.3700 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Dtc143x | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | SC-75, SOT-416 | DTA143 | 150 MW | EMT3 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 500NA (ICBO) | NPN - Precializado + Diodo | 300mv @ 500 µA, 10 mA | 30 @ 10mA, 5V | 250 MHz | 4.7 kohms | 10 kohms | |||||||||||||||||||
 | Rq6e045tntr | 0.6400 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | RQ6E045 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT6 (SC-95) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 4.5a (TA) | 2.5V, 4.5V | 43mohm @ 4.5a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 10.7 NC @ 4.5 V | ± 12V | 540 pf @ 10 V | - | 950MW (TA) | |||||||||||||||
 | 2SB1236ATV2P | - | | 2424 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Cinta y Caja (TB) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Canal de televisión Británnico | 1 W | Canal de televisión Británnico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 2.500 | 160 V | 1.5 A | 1 µA (ICBO) | PNP | 2v @ 100 ma, 1a | 82 @ 100 mapa, 5V | 50MHz | ||||||||||||||||||||
 | Rcj451n20tl | 4.3500 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | RCJ451 | Mosfet (Óxido de metal) | A 263S | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 200 V | 45a (TC) | 10V | 55mohm @ 22.5a, 10v | 5V @ 1MA | 80 NC @ 10 V | ± 30V | 4200 pf @ 25 V | - | 1.56W (TA), 211W (TC) | |||||||||||||||
 | R6030JNXC7G | 7.8800 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | R6030 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-R6030JNXC7G | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 30A (TC) | 15V | 143mohm @ 15a, 15V | 7V @ 5.5mA | 74 NC @ 15 V | ± 30V | 2500 pf @ 100 V | - | 95W (TC) | ||||||||||||||
| RQ6P015SPTR | 0.8000 | | 13 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | RQ6P015 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT6 (SC-95) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 100 V | 1.5a (TA) | 4V, 10V | 470mohm @ 1.5a, 10V | 2.5V @ 1MA | 322 NC @ 10 V | ± 20V | 950 pf @ 25 V | - | 600MW (TA) | |||||||||||||||
 | R6547ENZ4C13 | 9.5600 | | 466 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | R6547 | Mosfet (Óxido de metal) | To-247g | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-R6547ENZ4C13 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 650 V | 47a (TC) | 10V | 80mohm @ 25.8a, 10V | 4V @ 1.72MA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 3800 pf @ 25 V | - | 480W (TC) | ||||||||||||||
 | Rd3p130sptl1 | 1.8900 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | RD3P130 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 100 V | 13a (TA) | 4V, 10V | 200mohm @ 6.5a, 10V | 2.5V @ 1MA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 20W (TC) | |||||||||||||||
| RCX120N20 | 1.2899 | | 3505 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | Activo | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | RCX120 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220fm | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 200 V | 12a (TC) | 10V | 325mohm @ 6a, 10v | 5.25V @ 1MA | 15 NC @ 10 V | ± 30V | 740 pf @ 25 V | - | 2.23W (TA), 40W (TC) | |||||||||||||||
 | 2SAR512PFRAT100 | 0.4500 | | 455 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-243AA | 2Sar512 | 500 MW | MPT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 1,000 | 30 V | 2 A | 1 µA (ICBO) | PNP | 400mv @ 35mA, 700 mA | 200 @ 100 mapa, 2v | 430MHz | |||||||||||||||||||
 | 2SB1565FU6E | - | | 9094 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Una granela | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | 2 W | Un 220FN | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | 60 V | 3 A | 10 µA (ICBO) | PNP | 1.5V @ 200MA, 2A | 100 @ 500 mA, 5V | 15MHz | ||||||||||||||||||||
 | Rq5p010sntl | 0.6600 | | 13 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-96 | RQ5P010 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 1a (TA) | 4V, 10V | 520mohm @ 1a, 10v | 2.5V @ 1MA | 3.5 NC @ 5 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 700MW (TA) | |||||||||||||||
| Rh6p030bg | - | | 8209 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | * | Tape & Reel (TR) | Activo | RH6P030 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 846-RH6P030BGTR | 0000.00.0000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||
 | 2SC4098T106P | 0.1062 | | 6708 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | 2SC4098 | 200MW | UMT3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | - | 25V | 50mera | NPN | 82 @ 1 MMA, 6V | 300MHz | - | |||||||||||||||||||
| Sh8m31gzetb | 1.9400 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sh8m31 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W (TA) | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 60V | 4.5a (TA) | 65mohm @ 4.5a, 10v, 70mohm @ 4.5a, 10v | 3V @ 1MA | 7nc @ 5V, 40nc @ 10V | 500pf @ 10V, 2500pf @ 10V | - | |||||||||||||||||
 | UT6JA3TCR | 0.8300 | | 3 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-Powerudfn | UT6JA3 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W (TA) | Huml2020l8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 5A (TA) | 59mohm @ 5a, 4.5V | 1.5V @ 1MA | 6.5nc @ 4.5V | 460pf @ 10V | - | |||||||||||||||||
 | R6020AnzC8 | - | | 9085 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tubo | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-3P-3 PACK STOTURO | Mosfet (Óxido de metal) | Un 3pf | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 360 | N-canal | 600 V | 20A (TA) | 10V | 220mohm @ 10a, 10v | 4.15V @ 1MA | 65 NC @ 10 V | ± 30V | 2040 pf @ 25 V | - | 120W (TC) | ||||||||||||||||
| Sp8m2fu6tb | - | | 6469 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sp8m2 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Vecino del canal | 30V | 3.5a | 83mohm @ 3.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 3.5nc @ 5V | 140pf @ 10V | - | |||||||||||||||||
| Sp8k31fratb | 0.3152 | | 7825 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SP8K31 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 3.5a (TA) | 120mohm @ 3.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 5.2NC @ 5V | 250pf @ 10V | - | |||||||||||||||||
| Sp8j65tb1 | - | | 6043 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SP8J65 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 7A | 29mohm @ 7a, 10v | 2.5V @ 1MA | 18NC @ 5V | 1200pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||
| Sp8j1fu6tb | - | | 7343 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SP8J1 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SOP | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 5A | 42mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 16NC @ 5V | 1400pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||
 | Rf4e080gntr | 0.4800 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powerudfn | RF4E080 | Mosfet (Óxido de metal) | Huml2020l8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 8a (TA) | 4.5V, 10V | 17.6mohm @ 8a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 5.8 NC @ 10 V | ± 20V | 295 pf @ 15 V | - | 2W (TA) | |||||||||||||||
 | QH8MA2TCR | 0.5900 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | QH8MA2 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.25W | TSMT8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 30V | 4.5a, 3a | 35mohm @ 4.5a, 10v | 2.5V @ 1MA | 8.4nc @ 10V | 365pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||||||||||
 | R5021anjtl | 3.4663 | | 7004 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | R5021 | Mosfet (Óxido de metal) | LPTS | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 21a (TC) | 220mohm @ 10.5a, 10V | 4.5V @ 1MA | 64 NC @ 10 V | 2300 pf @ 25 V | - | 100W (TC) | |||||||||||||||||
| Sp8k22fratb | 0.8080 | | 6311 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SP8K22 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 45V | 4.5a (TA) | 46mohm @ 4.5a, 10V | 2.5V @ 1MA | 9.6nc @ 5V | 550pf @ 10V | - | |||||||||||||||||
| RQ1A060ZPTR | 0.9600 | | 35 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | RQ1A060 | Mosfet (Óxido de metal) | TSMT8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 6a (TA) | 1.5V, 4.5V | 23mohm @ 6a, 4.5V | 1V @ 1MA | 34 NC @ 4.5 V | ± 10V | 2800 pf @ 6 V | - | 700MW (TA) | |||||||||||||||
| Sh8je5tb1 | 2.4200 | | 6852 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sh8je5 | Mosfet (Óxido de metal) | 2W (TA) | 8-SOP | descascar | 1 (ilimitado) | 2.500 | 2 Canal P | 100V | 4.5a (TA) | 9.1mohm @ 4.5a, 10V | 2.5V @ 1MA | 52NC @ 10V | 2100pf @ 50V | Estándar |
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